三维半导体GaAs量子阱微腔中的腔极化激元

半导体微腔中腔模和激子模耦合形成腔极化激元,三维微腔中由于横向限定腔模和激子模形成离散化的本征模式.本文计算了远离截止近似下,三维半导体微腔中空腔腔模的能量与微腔半径的关系;及腔模和激子模耦合后,三维半导体柱型微腔中具有相同角量子数和径向量子数的两个低阶腔模、重空穴激子模、轻空穴激子模耦合形成的腔极化激元能量随微腔半径变化的情况.结果表明随着微腔半径的减小腔模能量蓝移,腔模与相应的重空穴激子模、轻空穴激子模耦合形成的腔极化激元的三支随着微腔半径的减小存在明显的反交叉行为.随着微腔半径的变化,极化激元的三支所体现的模     

精确的一维光子晶体的带隙

半导体材料的折射率是光频率的函数,所以在计算光子晶体的能带结构时必须考虑到色散关系。光子晶体存在光子禁带在反射谱上表现为高反射率带。本文已GaAs基材料为例,利用传输矩阵方法计算了考虑色散后的一维光子晶体的反射谱,计算结果表明考虑色散后的光子晶体禁带的宽度较不考虑色散关系的光子晶体的带隙要窄,如果光子晶体中存在缺陷则考虑色散后的光子晶体缺陷态的位置较不考虑色散关系时红移,且光子损耗较小。     

BiVO4/Co3O4、BiVO4/NiO纳米p-n结型光催化材料的制备与研究

采用水热合成法,选择不同反应温度、反应时间、pH值和表面活性剂,制备出不同结构的BiVO4粉末,并以此包覆制备了BiVO4/Co3O4、BiVO4/NiO.采用X射线衍射、扫描电子显微镜、紫外-可见吸收光谱技术对产物进行分析表征,结果表明,在反应液pH值为9,水热温度180°,水热时间8小时,可得到纯的单斜晶系白钨矿型BiVO4粉末;包覆的纳米p-n结型BiVO4/Co3O4、BiVO4/NiO光催化材料能有效分离光生电子和空穴,大大提高了光催化的效率.     

一种金融双界面卡可测试性设计研究

由于安全性好,存储容量大等方面的优点,金融IC卡代替传统的磁条卡已经成为一种必然趋势;由于电路的复杂性,在金融卡的设计过程中必需注意可测试性设计;文章对一种金融双界面卡进行可测试性设计,主要关注嵌入式存储器、振荡器电路和非接触模拟前端电路的可测试性设计,在进行理论分析的基础上提出测试结构,并对电路进行设计;最终基于V777系统对流片以后的金融双界面卡进行测试,测试结果表明本设计具有很好的功能。     

三维半导体GaAs量子阱微腔中的腔极化激元

半导体微腔中腔模和激子模耦合形成腔极化激元,三维微腔中由于横向限定腔模和激子模形成离散化的本征模式.本文计算了远离截止近似下,三维半导体微腔中空腔腔模的能量与微腔半径的关系;及腔模和激子模耦合后,三维半导体柱型微腔中具有相同角量子数和径向量子数的两个低阶腔模、重空穴激子模、轻空穴激子模耦合形成的腔极化激元能量随微腔半径变化的情况.结果表明随着微腔半径的减小腔模能量蓝移,腔模与相应的重空穴激子模、轻空穴激子模耦合形成的腔极化激元的三支随着微腔半径的减小存在明显的反交叉行为.随着微腔半径的变化,极化激元的三支所体现的模式的特性是变化的.