排序方式: 共有34条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
用直流磁控溅射法制备了氧铟锡(ITO)薄膜。采用XRD、TEM、XPS对薄膜的微结构和化学组分进行了测试分析。分析结果表明:制备的薄膜中,Sn元素已固溶到In2O3晶格形成了多晶ITO。延长退火时间,薄膜的结晶度增加,SnO被氧化为SnO2并逐渐达到饱和,薄膜表面先失氧后附氧,膜中氧空位含量先增加后减少。退火1h后,薄膜具有最低电阻率(6×10-4Ω.cm)和高可见光平均透射率(93.2%)。 相似文献
4.
5.
用射频磁控溅射法在室温Si基片上制备了60.7~1545.0nm范围内不同厚度的MgF2薄膜,并用X射线衍射及激光干涉相移技术对不同厚度MgF2薄膜微结构和应力分布进行了测试分析。结构分析表明:制备的MgF2薄膜呈多晶状态,仍为四方结构;随膜厚由420.0nm增加到1545.0nm,膜的平均晶粒尺寸由3.2tim逐渐增大到14.5nnl。应力研究表明:所制备的MgF2薄膜在Ф≠30mm选区内全场平均应力均表现为张应力;随膜厚增加,MgR薄膜中的平均应力值起始时呈近似线性缓慢减小,当膜厚大于1200nm时,其选区平均应力及应力差基本趋于稳定。 相似文献
6.
7.
Al掺杂ZnO薄膜的表面形貌和光学性质 总被引:3,自引:0,他引:3
用原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和荧光光谱仪观察采用溶胶-凝胶法制备的Al掺杂ZnO薄膜的表面形貌、透射光谱和光致发光谱.结果表明,Al掺杂量为0.5at 9/6的ZnO薄膜经550℃退火处理后,粗糙度为1.817,Al掺杂量为1.0at%的ZnO薄膜经600℃退火处理后,粗糙度增大到4.625.样品在可见光范围内的平均透过率均大于80%.当激发波长为325 nm时,在397 nm(3.13 eV)附近出现紫外发光峰;当激发波长为360 nm时,在443 nm(2.80 eV)附近出现蓝色发光峰.探讨了样品的蓝光发光机制. 相似文献
8.
9.
10.
采用直流磁控溅射技术制备超薄Au膜,用原子力显微镜观察薄膜的表面形貌。功率谱密度计算结果显示,随着溅射时间增加,高频段曲线拟合直线的斜率增大,相应的分形维数从2.579减小到2.500;而低频段曲线拟合直线的斜率减小,相应的分形维数由2.607增大到2.819,薄膜表面形貌存在多尺度行为。多重分形谱结果表明,随着溅射时间的增加,分形谱宽Δα从0.051增大到0.118,说明薄膜表面高度分布范围愈来愈宽,表面粗糙度愈来愈大,与rms研究结果一致。样品的Δf均0,说明样品表面最高峰位的数目均多于最低谷位的数目。 相似文献