Bi／Bi2O3晶格复合热电薄膜的制备及其性能研究

利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备Bi／Bi2O3晶格复合热电薄膜，考察了溅射功率对单层Bi薄膜表面粗糙度和热电性能的影响，结果表明，当溅射功率为22W时，薄膜具有最小的表面粗糙度16.3nm，电导率和功率因子分别为2．9×10^4S／m和5．74μV／k^2m，单层Bi薄膜最佳的工作温度为85～105℃。Bi／Bi2O3晶格复合热电薄膜最佳的溅射层数为5层，其电导率和功率因子分别为9．0×10^4S／m和21．0μN／k^2m，分别比单层Bi薄膜提高了2．1倍和2．65倍。