富氧氮氧化硅薄膜退火的研究

利用红外吸收(IR)谱和X射线光电子谱(XPS)对富氧氮氧化硅(oxygen-rich SiOxNy)及其在600、750和900℃下退火后样品的微结构进行了研究.实验中除观察到N、H的释放外,首次发现退火会导致SiOxNy中O的释放,同时还发现退火温度不同,H、O、N元素的释放量以及微结构的变化都不相同,根据这些现象,提出了5个化学反应过程并予以解释.     

MCs^＋—SIMS技术及其应用

强烈的基体效应一直是造成二次离了质谱（ＳＩＭＳ）难以定量分析和解释的主要原因，受其影响，常规ＳＩＭＳ，即Ｍ－ＳＩＭＳ（检测原子型二次离子Ｍ或Ｍ，Ｍ是要分析的元素）的适用范围受到了很大的限制，近几年来，上述状况已经通过一种新技术开发得到明显改善，这就是ＭＣｓ－ＳＩＭＳ技术，即在Ｃｓ一次离子轰击睛检测分子型二次离子ＭＣｓ而不是Ｍ。由于该技术明显减小甚至消除基体效应，从而开辟了ＳＩＭＳ定量分析的新途径，     

MCs~ -SIMS技术及其应用

强烈的基体效应一直是造成二次离子质谱（SIMS）难以定量分析和解释的主要原因。受其影响，常规SIMS，即M±－SIMS（检测原子型二次离子M＋或M－，M是要分析的元素）的适用范围受到了很大的限制。近几年来，上述状况已经通过一种新技术开发得到明显改善，这就是MCS＋－SIMS技术，即在CS＋一次离子轰击下检测分子型二次离子MCS＋而不是M±。由于该技术能明显减小甚至消除基体效应，从而开辟了SIMS定量分析的新途径。在综述MCS＋－SIMS技术的由来、发展、特点和应用以及MCS＋的生成机理的基础上，介绍了该技术的扩展思路。     

富氧氮氧化硅薄膜退火的研究

利用红外吸收(IR)谱和X射线光电子谱(XPS)对富氧氮氧化硅(oxygen-rich SiOxNy)及其在600、750和900℃下退火后样品的微结构进行了研究.实验中除观察到N、H的释放外,首次发现退火会导致SiOxNy中O的释放,同时还发现退火温度不同,H、O、N元素的释放量以及微结构的变化都不相同,根据这些现象,提出了5个化学反应过程并予以解释.     

混频式环振压力传感器

为了解决传感器的数字化,提出了一种新的环振式数字压力传感器,它采用做在硅梁上的MOS环形振荡器作为敏感元件,采用混频器作为片内的信号处理单元,实现环形振荡器的频率相减.该传感器的输出量为频率信号,具有准数字输出、灵敏度高、温度系数低以及制作工艺简单等特点.样品的灵敏度为1.52kHz/kPa.     

高阻硅衬底上多孔硅牺牲层工艺的研究

采用离子注入的方法在高电阻率的硅衬底上选择性地形成低阻区,制备了多孔硅牺牲层,研究用"先做微结构后形成多孔硅"的多孔硅牺牲层工艺制作微悬空结构.     

硅基垂直腔面光发射器件的设计与实现

提出了一种新型硅基垂直腔面光发射器件结构.它采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法制备的非晶硅/二氧化硅交替生长的多层薄膜结构为布拉格反射器(DBR),以夹在上下两个布拉格反射器之间的非晶碳化硅薄膜为中间发光层.通过设计与模拟,分析了DBR中薄膜生长顺序与层数对器件性能的影响.根据设计制作了光致红光发射器件并测量分析了它的光致发光谱.     

介质上电润湿现象的研究

介绍了介质上电润湿的基本原理,分析了介质层材料的介电常数对接触角变化的影响,并提出了优化介质薄膜厚度的方法,为介质上电润湿的进一步应用提供了理论基础.     

一种新型厌水性碳氟聚合物薄膜的制备

利用ICP-CVD工艺制备出一种新型厌水性碳氟聚合物薄膜,并给出了制备薄膜的工艺参数.通过观测该薄膜的表面形貌和它与去离子水之间的接触角,结果表明,该薄膜均匀致密,与去离子水之间的接触角高达110°.     

碳化硅门极可关断晶闸管的研究进展北大核心CSCD

由于SiC材料的理想特性使SiC门极可关断晶闸管(GTO)的发展受到广泛关注。SiC GTO是一种用于控制大电流的高功率开关器件,具有开关速度高、功耗低以及控制电路的复杂程度低等优点,在高压、高温开关电路应用中有着独特的优势。阐述了近十几年来SiC GTO的研究进展,在介绍SiC GTO的等效模型和工作原理的基础上,重点介绍了SiC GTO在阻断电压、传导电流、正向压降和载流子寿命调控等方面的研究现状,详细讨论了提高SiC GTO阻断性能的5种不同的结终端技术和实现载流子寿命调控的具体方法,给出了典型SiC GTO器件的传导电流和正向压降,并对影响CTO性能的主要因素进行了分析。同时,对SiC GTO的未来发展趋势进行了展望。