改性溶胶-凝胶法制备ZrO_2纳米晶粉及其团聚控制

对溶胶 -凝胶法进行改性 ,使凝胶聚沉为沉淀物 ,进而可以成功地合成ZrO2(9%Y2O3)纳米粉体。采用热重 -差热(TG -DTA)分析、粒度分布分析、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)测试法对粉料制备工艺过程进行了研究。结果表明 ,改性的溶胶 -凝胶法在聚沉前加入分子量大小不同的表面活性剂 ,聚沉后采用无水乙醇超声分散 ,可以有效地消除团聚现象。沉淀产物在450℃以下可以完全分解为ZrO2(Y2O3)粉体 ,600℃煅烧颗粒晶粒度为14nm。     

Co-Mn-Ni系NTC热敏电阻超微细粉体的液相法制备

讨论了液相法制备Co-Mn-Ni三元系NTC热敏电阻超微细粉体的一些主要方法,如共沉淀法,均匀沉淀法,溶胶–凝胶法等的基本原理与优缺点,并对一些具体制备方法进行了比较。     

热损补偿型铝吸收剂量量热计的研制

叙述了热损补偿型铝吸收剂量量热计的结构及测量原理，给出了量热计在１０－３５℃工作温区的电加热标定因子，得到了６０Ｃｏγ辐照室中剂量率对距离的分布。     

微波加热法合成CaS:Ce,Sm及其发光特性

用微波加热法合成CaS:Ce,Sm材料,由光谱可知,其光激励光谱和发射光谱分别位于红外和可见光区域,因而只要选择适当的光探测方法即可记录发射光.与高温固相法比较,微波加热法合成能够减少S的升华,提高反应速率,同时能够有效回避保护气氛并最大限度地去除对环境的污染;在生成CaS的同时完成稀土金属的掺杂,从而比较容易的得到了纯度较高的CaS:Ce,Sm.     

热中子注量率测量方法研究

研究了金箔激活法和热释光法测量热中子注量率的方法，并对中国原子能研究院101重水反应堆某热中子通道热中子注量率的大小进行了测量，结果表明两种方法测量结果一致性很好，偏差仅为8．8％。     

高补偿硅的阻–温特性

采用5Ω·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅.笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104Ω·cm的样品,进行测量电阻随温度的变化关系(温度从77 K上升到300 K).测试结果表明:在没有光照条件下测试时,电阻随温度的变化同普通的半导体;但在受到光照时,却出现极不相同的情况,这种不同,可能来自所掺杂的硅是一种光敏材料及掺入的杂质是一种深能级杂质.     

高补偿硅的光敏感特性

对电阻率为5 ·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅。并在室温(25℃)和液氮温度(196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性。测试结果表明:这种材料是一种光敏感材料,其敏感性受外加的电压、样品的温度及补偿后样品的电阻率影响。     

掺锰对不同导电类型硅材料热敏特性的影响

采用电阻率为5 ·cm的p型单晶硅和n型单晶硅,通过高温扩散金属锰的方法,可得到两种类型的热敏材料。测试发现,选择适当的扩散温度和时间,这两种类型的热敏材料一致性都较好。对n型硅掺锰,得到的是小正温度系数热敏材料,其B值在620 K左右;对p型硅掺锰,得到的是负温度系数热敏材料,其B值在4 200 ~4300 K之间。     

电子束在硅中的能量损耗

利用矩法对能量从0.5～8 MeV的电子束在硅中的能量损耗分布作了理论计算。并对相应的轫致辐射能损分布作了近似计算。得到了硅中吸收剂量对深度的分布。     

光致荧光剂量计的研究

介绍了光致荧光剂量计的原理和组成，并进行了辐射剂量测量，探讨了应用中存在的一些实际问题。