钨酸铅晶体生长及其组份挥发

本文首次报道了用坩埚下降技术生长钨酸铜（ＰＷＯ）晶体，研究了提拉和坩埚下降两种技术生长ＰＷＯ晶体的组份挥发，得到的结果是ＰｂＯ的挥发速率高于ＷＯ３，并对一组晶体不同部位的Ｘ射线发光性能作了研究。     

钨酸铅(PbWO_4)晶体的发光均匀性研究

通过对下降法生长的全尺寸钨酸铅（ＰｂＷＯ４）晶体沿长轴方向不同点的透过率和光产额的测量、分段晶体的透过率和光产额的测量,研究了钨酸铅晶体的发光均匀性及其影响因素．结果表明：钨酸铅晶体发光均匀性主要由生长后期的钨酸铅晶体质量所决定,采用晶种为大头的加工取向有利于提高钨酸铅晶体的发光均匀性．     

硅酸铋（Bi12SiO20）晶体生长的研究进展

本文介绍了光折变晶体ＢＳＯ生长研究的国内外进展。对ＢＳＯ晶体生长方法、组分和结构缺陷表征、材料性能的改进等几个方面进行了综合评述。讨论了各种生长方法的优缺点以及阻碍ＢＳＯ晶体批量生产的几种因素。指出坩埚下降法在实现大尺寸优质ＢＳＯ晶体的批量生产方面已显示出优越性，它应该成为今后ＢＳＯ晶体生长研究的一个重要发展方向。     

锗酸盐晶体的坩埚下降法生长研究

锗酸盐晶体是一类重要的功能晶体材料。其中，Bi4Ge3O12(BGO)是一种优良的闪烁晶体，广泛应用于高能物理、地质勘察和医疗成像等领域；Sr2Ga2Ge4O14(SGG)是重要的压电晶体，作为基片材料可以制作高性能的声表面波(SAW)器件，在移动通讯、高温探测等方面有良好的应用前景；Pb5Ge3O11(PGO)晶体具有小的介点常数和比较大的热释电系数，被认为是优秀的热释电探测器材料，而其旋光性则可应用于信息存储和信号处理等过程；Sr3Ga2Ge4O14(Nd:SGG)晶体是高峰值、短脉冲和高频率固态激光器用潜在的激光晶体材料；Bi12GeO20(BGI)是一种有前途的多功能晶体材料，在光折变、电光、压电等方面都有着重要的应用；Bi4GexSi1-xO12混晶的生长有望获得成本低、性能好的无机闪烁晶体。作者采用改进型坩埚下降法生长技术成功生长了闪烁晶体BGO、铁电晶体PG0、压电晶体SGG、光折变晶体BGO、激光晶体Nd：SGG、闪烁体BGSO混晶等多种锗酸盐功能晶体。     

退火处理对PbWO4晶体闪烁性能的影响

本文报道了用改进的坩埚下降技术生长ＰｂＷＯ４晶体经退火处理后,对Ｘ射线激发发射谱,透过谱以及抗辐照损伤能力的影响,指出ＰｂＷＯ４晶体在适合的富氧气氛环境和温度制度下经退火处理后,闪烁性能及抗辐照能力明显得到改善。     

钨酸铅(PbWO4)晶体的发光均匀性研究

通过对下降法生长的全尺寸钨酸铅（PbWO4）晶体沿长轴方向不同点的透过率和光产额的测量、分段晶体的透过率和光产额的测量,研究了钨酸铅晶体的发光均匀性及其影响因素。结果表明：钨酸铅晶体发光均匀性主要由生长后期的钨酸铅晶体质量所决定,采用晶种为大头的加工取向有利于提高钨酸铅晶体的发光均匀性。     

熔体组成与PbWO4:Y3+晶体闪烁性能稳定性的关系

部分PWO:Y3+晶体辐照后光产额升高,并且辐照硬度对退火温度较敏感.本文选取未掺杂及Sb、La3+、Y3+单掺和La3+/Sb、Y3+/Sb双掺的PWO样品进行对照实验,同时选取代表性晶体的顶部急冷料做了X射线荧光主量分析.结果发现:低剂量辐照后光产额升高现象只存在于含Y3+离子的PWO晶体中,并且这类晶体往往存在420nm吸收带;在改进Bridgeman法生长PWO晶体的后期,使熔体保持一定程度的负电性将有利于抑制该现象,即可有效地抑制同样是负电性的间隙氧进入晶体.结合测试数据,本文讨论了该现象的起因和机理,提出了掺杂剂的选择原则.     

高质量钨酸铅(PWO)晶体的生长

用改进的垂直坩埚下降法成功地生长了高质量的钨酸铅晶体，晶体毛坯的尺寸为２８ｍｉｎ×２８ｍｍ×３６０ｍｍ；晶体的生长工艺参数为：籽晶取向［００１］；下降速度 ０．６～１．０ｍｍ／ｈ；生长界面附近的温度梯度为２０～３０℃／ｃｍ，加工后的晶体成品在４２０ｎｍ附近的透过率＞６０％；在３６０ｎｍ附近的透过率＞２５％．晶体的光输出＞９ｐ．ｅ／ＭｅＶ；光伤＜５％．     

Y3+:PbWO4晶体低剂量辐照行为研究

三价稀土离子(La3+、Lu3+和y3+等)掺杂显著地提高了钨酸铅晶体的辐照硬度,但是部分Y3+掺杂钨酸铅晶体表现出特殊的低剂量辐照行为,即光产额辐照后升高,并且辐照硬度对退火温度较敏感.本研究挑选了存在这一现象的Y3+:PbWO4晶体,测试不同温度的退火处理对晶体透过率、光产额和辐照硬度的关系,发现:辐照后光产额升高的现象同时存在于晶体的晶种端,而不是只集中在晶体顶端,并且和辐照前后晶体在400～500nm波段附近的透过率变化有关;生长态Y3+:PWO晶体中导致430nm吸收带的色心的稳定性很低,低剂量辐照对该色心有"漂白"作用,辐照剂量率加大则晶体表现出光产额的降低;分段晶体的系列退火实验解释了辐照硬度对退火温度较为敏感这一现象,为进一步深入研究提供了实验基础.     

Bi_4Ge_3O_(12)晶体生长时的附生体BiOCl

在用Bridgmam法生长BGO大晶体过程中,曾几次发现在晶体顶部冷却料表面或坩埚顶端的壁上有很薄的一些片状物存在,它是无色,透明的晶片,但却与BGO晶体不同。为阐明它对BGO晶体生长过程的影响,对这些片状物进行了分析研究。