首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3篇
  免费   1篇
  国内免费   5篇
金属工艺   1篇
建筑科学   3篇
一般工业技术   5篇
  2020年   1篇
  2019年   1篇
  2010年   1篇
  2009年   3篇
  2008年   1篇
  2004年   1篇
  1991年   1篇
排序方式: 共有9条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
目的探讨过氧化物酶体增殖物激活受体7(PPAR7)基因外显子6多态性与多囊卵巢综合征(PCOS)的关系。方法抽取中国汉族111例PCOS患者(PCOS组)和92例非DCOS女性患者(对照组)静脉血;特异引物聚合酶链反应(PCR)扩增后限制性酶切(PCR—RFLP),电泳分离,检测PPARγ基因外显子6的多态性,并分析其与P—COS患者各项临床特征的关系。结果PCOS组中CT/TT基因型频率、T等位基因频率明显高于对照组(P〈0.01);PCOS患者中PPARγ基因外显子6突变者BMI、腰围、臀围、空腹血糖明显高于未突变者(P〈0.05),肥胖型PCOS患者中突变(CT/TT)明显高于非肥胖型PCOS患者(P〈0.05)。结论PPAR7基因外显子6的多态性与PCOS肥胖的发生、空腹血糖升高有关。  相似文献   
2.
利用热蒸发方法在多壁碳纳米管表面沉积Ag纳米颗粒,XRD结果显示,Ag纳米颗粒以晶体形态存在,同时透射电镜分析结果表明,Ag纳米晶颗粒引起碳纳米管横截面形变,从而形成Ag纳米晶颗粒/碳纳米管异质复合材料,这些纳米异质复合材料相互连接,形成网络化分布的结构.  相似文献   
3.
上述证明“乌头门与灵星门”分明是两类门,应是曰乌头大门,曰表,曰阀阅,今呼为棂星门”,一字可信的。然而在梁思成教授所著《营造法式注释》卷上不差,可以证明不存在转抄之误。提起庄绰字季裕,历第13页却照录北宋李诫主编《营造法式》而未在注释经北宋神宗、哲宗、徽宗、饮宗和  相似文献   
4.
目的使Co-TiO_2纳米颗粒复合薄膜同时具备高的磁化强度及电阻率,从而实现更好的高频软磁特性。方法通过磁控共溅射的方法,在不同金属靶功率下制备了Co-TiO_2纳米颗粒复合薄膜,并探究金属含量对薄膜的微观结构、表面形貌、电学和静态磁学性能的影响。结果薄膜中的金属颗粒被非晶态的TiO_2分散。金属含量的增加可以显著提高纳米颗粒薄膜中金属颗粒的结晶性,降低薄膜电阻率,并且通过改变金属含量,可使薄膜逐渐从超顺磁态向铁磁态转变,达到精确调控纳米颗粒复合薄膜的磁学和电学性能的目的。结论在金属含量达到54%时,实现了高电阻率和高饱和磁化强度共存,有望得到具有高频软磁特性的纳米颗粒复合薄膜。  相似文献   
5.
Co-TiO2纳米复合薄膜作为一种新型自旋电子材料, 由于具有良好的生物相容性, 近年来受到广泛关注。但在制备过程中, 磁性金属Co处于氧化气氛, 容易部分氧化, 从而影响薄膜的隧道磁电阻性能。为了抑制磁性金属的氧化, 提高金属态含量, 本研究通过强磁靶共溅射法制备了Co-TiO2纳米复合薄膜。该方法采用的强磁靶头, 磁场强度高、分布均匀, 可以提高溅射粒子的能量和溅射速率, 降低因高能粒子碰撞而发生氧化的概率。因此强磁靶共溅射法能明显抑制金属Co的氧化, 提高纳米复合薄膜的自旋极化率。所制备的Co-TiO2纳米复合薄膜主要由非晶态的TiO2基体和分散其中的Co颗粒组成。通过调节金属Co颗粒尺寸和分布状态, 在电学上实现了金属态向绝缘态转变, 在磁学上实现了铁磁性向超顺磁性转变。Co含量为51.3at%时, Co-TiO2纳米复合薄膜表现为高金属态和高电阻率, 并且实现了高达8.25%的室温隧道磁电阻。强磁靶共溅射法使Co-TiO2纳米复合薄膜的室温磁电阻性能得到了进一步提高, 这对于磁性金属—氧化物纳米复合薄膜的研究有着重要的意义。  相似文献   
6.
脉冲激光沉积法生长In掺杂SrTiO3薄膜及其微观结构研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在MgO/TiN/Si(100)衬底上,生长不同In掺杂量的SrInxTi1-xO3(x=0、0.1、0.2)薄膜,研究In掺杂及本征SrTiO3(STO)缓冲层对薄膜结晶性能,表面形貌、生长模式及紫外拉曼光谱特性的影响.结果表明,In掺杂导致薄膜结晶度降低,通过引入本征STO缓冲层可有效提高In掺杂STO薄膜的结晶度,增强薄膜的(200)择优取向性.然而随In掺杂量的增加,薄膜表面平均粗糙度增大;生长模式由层状生长转变为岛状-层状复合模式;拉曼一次声子振动模式峰强逐渐增强,说明薄膜的晶体对称性降低.  相似文献   
7.
采用脉冲激光沉积法(PLD),以Pt(111)/Ti/SiO2/Si为衬底,制备了具有电阻转变特性的TiO2薄膜.X射线衍射(XRD)分析未发现明显的TiO2结晶峰,薄膜呈纳米晶或非晶态.扫描电子显微镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)分析表明,TiO2薄膜表面平整、光滑致密.电学测试结果表明,TiO2薄膜具有明显的单极性电阻转变特性,高低阻态比值达到104.高阻态下薄膜的导电过程可用空间电荷限制电流模型解释,过程中存在软击穿现象.在此基础上,对薄膜中丝导电通道的产生及熔断过程进行了初步分析.  相似文献   
8.
9.
采用脉冲激光沉积法(PLD),以Pt(111)/Ti/SiO2/Si为衬底,制备了具有电阻转变特性的TiO2薄膜.X射线衍射(XRD)分析未发现明显的TiO2结晶峰,薄膜呈纳米晶或非晶态.扫描电子显微镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)分析表明,TiO2薄膜表面平整、光滑致密.电学测试结果表明,TiO2薄膜具有明显的单极性电阻转变特性,高低阻态比值达到104.高阻态下薄膜的导电过程可用空间电荷限制电流模型解释,过程中存在软击穿现象.在此基础上,对薄膜中丝导电通道的产生及熔断过程进行了初步分析.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号