电子束沉积In2O3基W-Mo共掺薄膜的特性研究

利用电子束反应沉积技术制备了高迁移率I2O3基W-Mo共掺(IMWO,I<,2>O<,3>:WO<,3>/MoO<,3>)薄膜,研究了不同等量WO<,3>-MoO<,3>掺杂浓度对薄膜的微观结构、光学性能和电学性能的影响.IMWO薄膜的表面形貌呈现"类金字塔"型.随着WO<,3>-MoO<,3>共掺量的增加,IMWO薄...     

976nm单管激光器光纤耦合技术研究

对典型量子阱激光器的光束特性和光纤特性进行了简要分析,在此基础上,利用光线踪迹理论,对光纤激光器所用976 nm泵浦模块的耦合光路进行设计,并采用光学设计软件Tracepro对设计的光路进行模拟。通过对C-mount封装的单管进行耦合试验,测得90μm条宽激光器耦合到105μm芯径时,数值孔径NA=0.22楔形光纤(未镀增透膜)的耦合效率可高达92%;100μm条宽激光器耦合到105μm芯径时,NA=0.22楔形光纤(未镀增透膜)的耦合效率可达80%以上。将测量得到的结果和理论的模拟结果进行比较,分析了影响耦合效率的原因。     

非晶硅太阳能电池的新进展

对非晶硅材料的物理性能及工艺优势进行了阐述,其中介绍了一种新型的刻划成图工艺,即等离子CVM,简单回顾了非晶硅太阳电池的历史发展,分析了非晶硅太阳电池当前所存在的问题,提出了其发展的方向,其中,主要论述了叠层非晶硅太阳电池,并介绍了几种新型的非晶硅电池.最后,概括了非晶硅太阳电池的应用现状及前景。     

VCSEL的偏振特性随注入电流变化的实验研究

注入电流是影响VCSEL偏振特性的重要因素。谊论文通过实验，测量了VCSEL的出射光偏振特性随着注入电流的变化。观察到了两次偏振转换的过程，即随着注入电流的升高出射偏振光由椭圆偏振光——圆偏振光——椭圆偏振光——圆偏振光——椭圆偏振光的过程，并且在变化的过程中电流的变化范围很小。     

三维半导体GaAs量子阱微腔中的腔极化激元

半导体微腔中腔模和激子模耦合形成腔极化激元,三维微腔中由于横向限定腔模和激子模形成离散化的本征模式.本文计算了远离截止近似下,三维半导体微腔中空腔腔模的能量与微腔半径的关系;及腔模和激子模耦合后,三维半导体柱型微腔中具有相同角量子数和径向量子数的两个低阶腔模、重空穴激子模、轻空穴激子模耦合形成的腔极化激元能量随微腔半径变化的情况.结果表明随着微腔半径的减小腔模能量蓝移,腔模与相应的重空穴激子模、轻空穴激子模耦合形成的腔极化激元的三支随着微腔半径的减小存在明显的反交叉行为.随着微腔半径的变化,极化激元的三支所体现的模     

增益与光强的相关系数对光栅外腔半导体激光器稳态特性的影响

本文引入增益与光强的相关系数h,建立了光栅外腔半导体激光器的稳态模型。数值计算结果表明:激光器的其它参数必须与h相匹配,才能使激光输出的稳定区增大,且可在一定波长范围内进行选频,保证很好的单模性。     

DH激光器电光延迟时间与注入脉冲电流的关系及其测量

本文推导了DH激光器电光延迟时间与注入脉冲电流幅度和上升前沿的关系表达式,并用我们设计的测试系统,对本所研制的质子轰击条形DH激光器进行了测试。对于90-15~#器件,在1.5倍脉冲阈值电流注入下,测得其电光延迟时间td为4ns,载流子自发复合寿命τ_sp为3.2 ns;对加有直流偏置的情况也进行了测试;还列出了另外几个器件的测试结果。从画出的测试曲线来看,与理论曲线符合得都比较好。     

讲授《半导体激光器原理》课体会

本文简单介绍了《半导体激光器原理》课的内容,指出了与激光物理课的不同点,强调了在工作物质的选择,结构等方面的特殊性。在讲课中要对     

量子阱DBR微腔激光器中自发发射的控制

应用腔量子电动力学和量子阱物理,计算了量子阱DBR微腔激光器的自发发射谱.发现由于DBR微腔和量子阱分别对光子和载流子的限制,单方向的自发发射可以增进约三个量级,总的自发发射增强一个量级.     

用于CATV的DFB激光器同轴封装激光焊接技术研究

激光焊接技术广泛应用于光电子封装领域,它能形成很强的结合力,显示出无可比拟的优越性.但激光脉冲形状设置仍存在一定缺陷.研究了用于CATV的DFB激光器同轴封装激光焊接技术,利用Nd:YAG激光焊接系统,在两种不同的激光脉冲形式下,对DFB激光器和光纤进行焊接,分析了焊点宽度、深度与激光脉冲的关系.通过推力实验,测得DFB激光器输出先功率的变化大小,验证焊点质量,得出实际生产中脉宽为5 ms和2 ms、电压为310 V和360 V的激光脉冲,从而提高了焊接质量和工艺水平.