夏天·女人·护肤

夏天,这个季节的主角是女性。经历3个季度的漫长等待,女人在这一季节,当仁不让地宣告美丽。1 肌肤是女人自信的锋芒 有些女人敢于挑战身材,拥有青春资本的她们大口吃着冰淇淋,却继续保持着曼妙身姿;有些女人敢向情感宣战,越是放纵自己,越是得到男人宠爱。可是很少有女人敢与肌肤作对。因为聪明的女人知道,肌肤就如女人本身,她是美丽的,妖艳多变的,也是脆弱的,所以肌肤不知不觉中就成为她们展露的锋芒。     

小型发电机的应用

蓄电池容量有限,单独用它为应急通信电台供电,短则几小时长则十多个小时蓄电池电量就会耗尽,不能让通信持续进行。采用小型发电机供电的方案则可以比蓄电池有更长的维持时间,并且加入燃料发动后随时可以提供电力,不需要提前很多时间做充电准备。     

毛细管气相色谱法分析2-氯-4-溴苯酚

用毛细管气相色谱，FID检测器．双内标法定量，分离测定了2-氯-4-溴苯酚及其主要杂质邻氯苯酚、2-氯-5-溴苯酚和2-氯-4，4-双溴苯酚的含量。其相对标准偏差为0．19，0．014，0．016，0，020，变异系数分别为0．19％．4．71％．1．84％．2．05％。     

没有"万能"的材料,只有"最好"的材料--浅谈热处理技术与工艺的作用和地位

从材料科学与工程的内涵或定义出发,在简要叙述了材料合成/加工是组成材料科学与工程中4个(或5个)基本要素之一的基础上,进一步提出材料的热处理技术与工艺是改进和提高材料内在质量、从而使材料结构、组织和性质合理优化,达到材料使用效能的重要的、不可或缺的重要手段和技术措施,最后提出材料失效与否是检验材料热处理技术与工艺优劣的重要指标和发展方向.     

力学化学效应对LY12CZ铝合金点蚀行为的影响

利用电化学测量技术研究了加载弹性载荷对LY12CZ铝合金在3％NaCI溶液中的自腐蚀电位、点蚀电位和保护电位的影响规律，同时利用小孔发展速率（PPR）-电位曲线法和电位扫描技术及显微测量技术研究了载荷对预选电位下的真实小孔发展速率的影响，根据点蚀电流密度随应力变化情况来研究力学化学作用对LY12CZ点蚀敏感性的影响，结果表明在加载应力时，LY12CZ铝合金的自腐蚀电位、保护电位和破裂电位都有不同程度的负移，负移的量取决于应力的大小。在加载应力时点蚀电流密度随应力增加也出现增大的现象，研究结果表明力学化学效应对LY12CZ铝合金的点蚀行为有显著影响。     

辽河流域水环境时空差异性评价

采用聚类分析和主成分分析等多元统计方法对辽河流域的水环境时空差异性进行分析评价.依据流域内4条主要河流(辽河、浑河、太子河和大辽河)的25个监测点2000-2009年资料,监测点分为重度污染区、中度污染区和水质清洁区,反映不同采样点的水质水平和污染程度.通过重度污染区和中度污染区的各个站点主成分综合得分的计算,得到辽河...     

机械装备构件轻量化主要技术途径的探讨

在对机械装备构件轻量化的基本原则和主要技术依据进行概括的基础上,就机械装备构件轻量化强度设计技术进行探讨,分别在简单拉伸、弯曲、扭转、疲劳等受力状态下,对简单形状构件轻量化强度设计判据进行分析,并进一步得到构件轻量化强度设计通用判据;对铁、钛、铝、镁、钴等金属基体合金轻量化性能指标进行比较,并进一步提出逐步建立构件轻量化材料性能指标体系的设想;对机械装备构件轻量化成形工艺和表面改性技术的作用进行概括,并提出通过工艺技术提高构件材料的强度(或屈服强度)、提高构件截面形状的抗弯截面系数(或抗扭截面系数)、提高表面层材料的强度(或屈服强度)和改变构件表面为压应力状态等工艺途径来达到构件轻量化目的。     

基于五次谐波法与改进型锁相环结合的配电网故障选线研究

随着用户侧非线性负荷的增加,系统正常运行时线路中的谐波分量增加,故障时难以精确识别故障线路的零序电流谐波分量,使得以往利用滤波器进行五次谐波分析法的精度降低.为了解决这个问题,将应用于风电并网发电的锁相环经改进后用于小电流接地系统故障选线,对故障信号进行处理,通过比较各条线路波形相位与幅值的不同来确定故障线路,获得了很好的效果.以10 kV架空线-电缆混合线路为例,建立锁相环的小信号模型,利用改进型锁相环将波形中的五次谐波进行锁定,并用名为Simulink的软件进行仿真验证,仿真结果证明了理论分析的正确性.     

碳化硅结势垒肖特基二极管的质子辐射效应

碳化硅结势垒肖特基二极管(SiC JBS)是新一代航天器电推进系统的关键部件,但高能粒子辐射严重威胁其可靠性与稳定性。为揭示其辐射损伤机理,为其抗辐射加固设计与考核评估储备数据,本研究基于加速器开展了先进商用SiC JBS 10~20 MeV中能质子地面辐照实验,并提取器件辐照前后的正向伏安特性、反向伏安特性、电容电压等电学参数及缺陷特性。系统分析器件关键特性随辐照条件的改变规律。结果显示,质子辐照引起了器件肖特基势垒升高、载流子浓度降低,且10 MeV较低能质子导致的位移损伤退化更严重。分析认为,PN结界面缺陷导致高性能商用SiC JBS反向电学性能对中能质子的辐照更加敏感,正向特性相对稳定,辐照生碳缺陷造成载流子去除效应是引起SiC JBS性能退化的主要机制。