Optimization of frequency characteristics for SAW device using apodization weighting method

To calibrate the tracing performance of the thirty meter telescope(TMT)tertiary mirror,for the special requirement of the TMT,the laser tracker is used to verify the motion.Firstly,the deviation is divided into two parts,namely,the repeatable error and the unrepeatable part.Then,based on the laser tracker,the mearturement and evalutation methods of the rigid body motion for the mirror are established,and the Monte Carol method is used to determine the accuracy of the mothod.Lastly,the mothod is applied to the turn table of a classical telescope and the residual error is about 4 arc second.The work of this paper will guide the next desgin and construction work of the thirty meter telescope tertiary mirror.     

Ge2Sb2Te5的电化学特性及化学机械抛光

从电化学角度研究了Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中的作用，以及不同的pH值和H2O2浓度下的电化学特性. 采用Solartron SI1287电化学设备测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电位和动电位扫描. 开路电位结果表明：Ge2Sb2Te5在pH值为10的抛光液中表现出钝化行为；而抛光液的pH值为11时，开始向活化转变；当pH值为12时，薄膜处于活化状态. 在动电位扫描过程中，不同的pH值和H2O2浓度下，薄膜的扫描曲线形状相似，表明薄膜腐蚀具有相同的反应机理. 自制碱性抛光液，对Ge2Sb2Te5薄膜进行化学机械抛光，用SEM和EDS对抛光后的结构进行分析. 结果表明，通过CMP实现了Ge2Sb2Te5填充结构.     

硅晶片双面超精密化学机械抛光

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nalco2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40%(14μm/h vs 10μm/h);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.     

ULSI化学机械抛光的研究与展望

随着半导体行业的飞速发展，集成电路特征尺寸的微细化，半导体薄膜表面的高平坦化对器件高性能、低成本、高成品率有着重要的影响。作为唯一能实现全局平坦化方法的化学机械抛光(CMP)，近年来发展迅速，应用广泛。文章综述了化学机械抛光技术的发展现状：包括化学机械抛光设备、抛光液、抛光机理模型及应用研究进展；在此基础上，对CMP下一步发展的方向及其应用前景进行了展望。     

CMP专用大粒径硅溶胶研磨料生长及控制机理

为满足甚大规模集成电路(ULSI)互连结构高质量、高效率化学机械抛光(CMP)的要求,以LaMer模型为理论指导,对恒液面聚合生长法制备大粒径、低分散度硅溶胶研磨料的粒径增长阶段进行了机理分析,并讨论了加料速率对平均粒径及分散度的影响;优化加料速率为3.6 mL/min,以此控制体系中硅酸浓度的变化趋势,避免产生两种类型的新晶核,实现了单纯的粒径增长.以胶粒平均粒径28nm、分散度1.13的母液制备出粒径57nm、分散度1.07的硅溶胶.通过工艺调整并按照分级生长模式,进一步制得符合高质量、高效率CMP专用的大粒径(平均粒径为112nm)、低分散度(接近于1.00)硅溶胶研磨料.     

硅衬底超精密CMP中抛光液的研究

针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、台阶仪对抛光速率和表面进行了测试和表征.通过优化实验获得了高速率、高平整的抛光表面.去除速率(MRR)达697nm/min,表面粗糙度(RMS)降低至0.4516nm,在提高抛光速率的同时对硅片实现了超精密抛光.     

酸酐固化环氧树脂/蒙脱石纳米复合材料的合成及固化动力学的研究

以甲基四氢酸酐为固化剂，对环氧树脂／蒙脱石纳米复合材料的合成进行了研究，并对其微观结构进行了表征；此外为进一步优化酸酐固化环氧树脂的工艺条件，本文采用DSC法对其固化动力学进行了研究。微观结构研究结果表明：有机蒙脱石已经以纳米尺度分散在环氧树脂基体中；固化动力学的结果表明：固化反应的表观活化能ΔE=68．52kJ／mol；反应级数n=0．9；凝胶温度Tgel=116．7℃，固化温度Tcure=134.5℃。     

聚合物/层状硅酸盐纳米复合材料的研究进展

聚合物/层状硅酸盐(PLS)纳米复合材料是一新兴复合材料,具有优异的性能,是当前材料科学的研究热点之一。本文作者首先简要概述了层状硅酸盐的结构及其表面修饰,其中LS的离子交换容量和插层剂的种类是制备PLS纳米复合材料的关键因素之一;然后介绍了PLS纳米复合材料的制备方法、微观结构及其特点,其主要制备方法是插层复合法,包括插层聚合法和聚合物插层法两种;最后展望了PLS纳米复合材料的发展、特性及应用。     

粘合衬用热熔胶全细粉的制备及性能研究

采用“溶涨”粉化法对聚酰胺热熔胶进行制粉 ,通过优化粉化条件 ,制得细粉 (通过 2 0 0目 )达 90 %以上。同深冷粉碎法相比 ,细粉收率高 ,胶粉的应用性能与其相当     

ULSI介质CMP用大粒径硅溶胶纳米研磨料的合成及应用研究

针对超大规模集成电路多层互连结构中介质CMP抛光速率低,急需的大粒径硅溶胶研磨料,本文采用改进的粒径生长控制工艺制备介质CMP用大粒径硅溶胶,并采用TEM、激光粒度分析仪和Zeta电位测试仪等先进手段对其粒径大小、粒径分布和稳定性进行了表征。以低分散度硅溶胶纳米研磨料配制抛光浆料进行了二氧化硅介质的CMP研究,结果表明,平均粒径103．4nm的硅溶胶浆料的去除速率达630nm／min,有效解决了二氧化硅介质CMP低速率的难题。