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1.
介绍一种化学气相渗透与先驱体浸渍裂解联用(CVI-PIP)的工艺制备碳毡增强SiC复合材料,采用SEM分析复合材料的显微结构,采用三点弯曲法测试复合材料的力学性能,结果显示在复合材料致密化过程早期,CVI工艺致密化效率明显高于PIP工艺;与完全采用PIP工艺制备C/SiC复合材料相比,采用CVI-PIP工艺可提高复合材料的致密化效率和致密化程度,复合材料残留孔隙率从18.86%下降到5.45%;相应的,C/SiC复合材料的抗弯强度与弹性模量分别从66.43 MPa和38.43 GPa增加到112.16 MPa和68.49 GPa;采用CVI-PIP联用工艺同时能够增加复合材料与其表面CVD涂层的结合性能.  相似文献   
2.
SiC基反射镜制备工艺研究进展   总被引:4,自引:0,他引:4  
空间系统用的高性能轻质反射镜的研究和应用正逐年稳定发展,本文从几种卫星反射镜材料的性能和特性出发,得出SiC及其复合材料作为反射镜材料性能最佳的结论;通过比较各种工艺制备SiC基反射镜性能,结果显示:只有C V D SiC能够作为反射镜反射光学表面。本文重点详细介绍了SiC及其复合材料反射镜制备工艺及方法特点,并对其工艺发展前景进行了展望。  相似文献   
3.
CVI-PIP工艺制备C/SiC复合材料及其显微结构研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用化学气相渗透(CVI)与先驱体浸渍裂解(PIP)两种工艺方法联用制备C/SiC陶瓷基复合材料,通过与单纯PIP工艺的致密化效率比较,复合材料的扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)分析,结果表明:采用CVI-PIP联用的方法制备C/SiC复合材料,致密化程度有明显的提高.CVI沉积SiC基体结晶性较好,为典型的β-SiC晶体结构;而PIP先驱体聚碳硅烷裂解基体为无定型结构,基体结构差异是决定材料结构与性能的关键因素.  相似文献   
4.
阐述了SiC反射镜的制备工艺及方法特点,对其坯体制备、表面致密化涂层、表面光学精加工和轻量化作了详尽的表述;着重介绍了SiC反射镜的国内外发展现状,并讨论了其今后的发展方向.  相似文献   
5.
以先驱体浸渍裂解工艺制备了Cf/Sic复合材料,在相同工艺条件下,研究了四种纤维织构:2.5D,三维四向,三维五向,三维六向对复合材料结构和性能的影响.研究结果表明,2.5D纤维织构的复合材料,其力学性能优于其它三种织构的复合材料,2.5D织构的复合材料弯曲强度达到了406.25MPa,三维四向织构复合材料弯曲强度只有128.80MPa,三维五向织构复合材料159.74MPa,三维六向织构复合材料150.42MPa,并结合纺织学的结构理论对这种影响进行了剖析.  相似文献   
6.
Cf/SiC复合材料制备工艺研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
结合材料复合过程中纤维编织体易变形的问题,系统研究了复合材料制备过程中编织体变形的规律,以及对所制备复合材料结构和性能的影响.通过实验研究发现,编织体体积控制有利于复合材料增强体纤维的均匀分布,实现复合材料结构和性能的均一化,有利于复合材料整体性能的提高,并且,编织体体积控制有利于提高复合材料的致密化速率,最终获得高致密度、高性能的复合材料.  相似文献   
7.
对CH3SiHCl2的甲醇解产物进行了相色谱一质谱联用分析,确定反应产物混合液的相组物质,并结合反应过程中Si-H和Si-CH3吸光度比值的变化,对醇解反应过程进行了研究。  相似文献   
8.
Cf/SiC陶瓷基复合材料的发展与应用现状   总被引:13,自引:1,他引:12  
介绍了Cf/SiC复合材料的制备工艺,分析了各种制备工艺的优、缺点.描述了Cf/SiC复合材料近年来在航空涡轮发动机、热保护系统、光学结构及光学反射镜以及刹车片系统等领域的应用发展状况.对当前Cf/SiC复合材料研究存在的问题进行了分析,指出提高Cf/SiC陶瓷基复合材料抗氧化性仍是未来发展的一个重要研究方向.  相似文献   
9.
先驱体转化法制备 2D C/SiC-ZrB2复合材料及其性能   总被引:2,自引:0,他引:2  
针对高超音速飞行器、可重复使用运载器和下一代火箭发动机等超高温使用环境的工况要求,提出在2D C/SiC复合材料体系中引入耐超高温相ZrB2。采用先驱体转化法制备了不同ZrB2含量的2D C/SiC-ZrB 2新型复合材料,考察了ZrB2含量对材料力学性能、微观结构和抗烧蚀性能的影响。结果表明,材料的力学性能(弯曲强度和弯曲模量)随着材料中ZrB2含量的增加有一定的下降,材料的抗烧蚀性能明显提高。其中含ZrB2体积分数为19.4%的试样弯曲强度达到242.6MPa,弯曲模量为37.1GPa;经氧乙炔焰烧蚀考核90 s后,试样表面温度达到2329℃,线烧蚀率为0.015 mm/s,质量烧蚀率为 0.005g/s。  相似文献   
10.
陶瓷基复合材料制备温度过高一直是制约其引入主动冷却工艺、突破其本征使用温度的主要原因之一。采用差热(TG-DTA)、红外(IR)、X射线衍射(XRD)等分析测试手段,研究了聚碳硅烷(Polycarbosilane,PCS)的裂解及化学转化过程,从理论上说明了先驱体聚碳硅烷(PCS)低温(1000℃)陶瓷化的可行性。结果表明:聚碳硅烷在750℃实现无机化,880℃开始结晶,即聚碳硅烷在高温合金耐受温度范围(1000℃)内,即可实现陶瓷化。以聚碳硅烷(PCS)为先驱体,炭纤维为增强体,采用先驱体浸渍裂解(PIP)工艺低温制备了炭纤维增强碳化硅(C/SiC)陶瓷基复合材料,当制备温度为900℃时,所制备C/SiC复合材料密度为1.70g/cm3,弯曲强度达到657.8MPa,剪切强度为61.02MPa,断裂韧性为22.53MPa.m1/2,并采用扫描电子显微镜(SEM)对复合材料的微观形貌进行了分析。  相似文献   
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