创新服务观念，提升育人水平

高校图书馆是学校文献信息中心，是为教学、科研服务的学术性机构，是服务育人的重要场所。本文阐述了华东理工大学图书馆以读者为中心，创新服务观念，提升育人水平的具体措施和实际成效。     

用溅射淀积法外延生长优质Cd_xHg_(1-x)Te薄膜

采用汞蒸汽等离子体阴极溅射技术,已同时在几种CdTe衬底上(总面积为20cm~2)外延生长了Cd_xHg_(1-x)Te薄膜。薄膜在加热到310℃的衬底上生成,其淀积速率为0.6μm.h(总厚度≤30μm)。采用不同的实验方法对薄膜的结晶学特性进行了分析,这些方法包括:反射X-射线形貌、衍射分布图的半值宽度(FWHM)测量、透射电子显微镜分析(TEM)和卢瑟福反向散射分析(RBS)。TEM法,摆动曲线和RBS的结果揭示出薄膜具有很高的结晶学质量(外延层内的位错密度接近10~4cm~(-2))。在4K和300K之间测量了Cd_xHg_(1-x)Te外延层的霍耳系数。衬底温度为285℃时淀积的外延层(镉的组分为0.23,厚度16μm),在77K测量的结果是:载流子浓度n大约为2.7×10.(16)cm~(-3);霍耳迁移率为64000cm~2·V~(-1·S~(-1)。当镉的组分为0,31时(外延层厚度为18μm),则得到n=1.6×10~(16)cm~(-3);霍耳迁移率为16000cm~2·V~(-1)·S~(-1)。淀积出来的外延膜在双温区炉子内的汞气氛中退火后,其电学性质得到改善。n型外延膜的电子迁移率提高到接近用非最佳退火参量得到的体材料的水平。     

用阴极溅射法淀积的原生Cd_xHg_(1-x)Te外延层的结构和电学性质

采用汞蒸汽等离子体阴极溅射法,在一些CdTe衬底上(总面积为20厘米~2)同时生长了碲镉汞外延层。外延层和衬底之间的过渡区很窄(约80毫微米),沿外延层表面(4厘米~2)的组分变化小于±0.01CdTe克分子分数。在4K到300K之间测量了CdHgTe外延层的霍耳系数。在77K测量,对于在300℃淀积的外延层(Cd组分为0.20克分子分数),得到的结果为:n大约等于5×10~(16)厘米~(-3);霍耳迁移率为12000厘米~2/伏·秒。对于在250℃淀积的外延层的结果为:p=1×10~(17)厘米~(-3);霍耳迁移率为55厘米~2/伏·秒。     

半导体温差电材料及其致冷器

用改良的布里奇曼法制备以碲化铋(Bi_2Te_3)为基并掺入适量中性杂质元素的室温半导体温差电材料,晶体直径为φ19—25mm,其特性具有明显的取向性,平行于晶锭轴切取电偶臂时比垂直切取具有更好的性能。优值系数p型Z达3.2×10~(-3)K~(-1),n型Z达3.1×10~(-1)K~(-1)。文中还介绍了致冷器的工作原理、设计的基本依据和主要的计算公式,以及制作致冷器的主要工艺步骤。     

半导体热电致冷材料及其应用

本文在简要叙述了热电致冷技术的发展史后,着重说明了热电致冷材料的基本特性和制备方法,致冷器的基本工作原理,设计中要考虑的诸多因素,对若干基本量的计算公式以及热电致冷的优点和它在各领域中的用应。认为热电致冷是具有广阔应用前景的新技术。     

用高频溅射法研制具有光电导特性的碲锡铅薄膜

一、前言碲锡铅(PbSnTe)是目前国内外正在广泛而深入研究的一种Ⅳ—Ⅵ族合成固溶体化合物。它不仅是用来制造长波红外探测器的本征半导体材料,而且也是激光长波接收器材料。在用于高分辨率的长波扫描装置方面,它和HgCdTe阵列相竞争。采用高频溅射法是深入研制具有光电导性能的PbSnTe薄膜的途径之一。     

Hg_(1-x)Cd_xTe合金的低温热膨胀

测定了合金组分x=0.20和0.30的半导体Hg_(1-x)Cd_xTe的线性热膨胀系数,这对于红外探测器的制备工艺是有意义的。该类半导体的温度依赖关系类同于其它闪锌矿结构的化合物的温度依赖关系。在64K,热膨胀系数变成负值;并且除在30K以下外,热膨胀系数都不受组分影响。在30K以下,富HgTe的合金有较低的负极小值。     

物联网的应用和前景展望

物联网被视为互联网的应用扩展,应用创新是物联网的发展的核心,以用户体验为核心的创新是物联网发展的灵巍。沥诞网作为未来发展的趋势,将给世界和社会带来巨大变革,并改变人们的生活方式。