蜡油加氢热高分气/混合氢换热器腐蚀泄漏分析及防护

某公司蜡油加氢装置热高分气/混合氢换热器E5102在运行9 a后发生内漏，导致装置被迫紧急停工检修。检修结束后，对管束的腐蚀泄漏原因进行分析。通过宏观观察、管束测厚、元素分析及离子分析，结合工艺模拟计算、腐蚀机理分析和注水情况分析，认为管程NH₄Cl结盐导致垢下腐蚀、注水冲洗不彻底及注水方式不合理是引起换热器腐蚀泄漏的主要原因，并提出了改进措施及建议，希望对各企业预防加氢装置热高分气/混合氢换热器的腐蚀泄漏有一定帮助。     

印花舒丽绸工艺探讨

本文主要分析探讨了印花舒丽绸生产工艺。通过对比试验，在采用活性／涂料共同印花时，选用合适的粘合剂和柔软剂，使产品的手感、悬垂性等有了改善，并使该产品上了档次。     

脉冲激光沉积法Li-N双受主共掺p型ZnO薄膜的生长及其特性

采用脉冲激光沉积技术制备了Li-N双受主共掺杂p型ZnO薄膜,其中Li来自Li掺杂ZnO陶瓷靶,N来自N2O生长气氛.室温Hall测试发现Li-N共掺p型ZnO薄膜的最低电阻率为3.99Ω·cm,迁移率为0.17cm2/(V·s),空穴浓度为9.12×1018cm-3.PL谱测试发现了与Li受主和N受主态相关的发光峰,其受主能级分别约为120和222meV.由p-ZnO:(Li,N)薄膜制备的ZnO同质p-n结具有整流特性.     

PLD法合成MgxZn1-xO纳米柱阵列

使用脉冲激光沉积法(PLD)在Si(100)衬底上无催化生长出了MgxZn1-xO纳米柱阵列.扫描电镜结果发现:在较大的范围内,直径为30～50nm、长度约为60nm均匀分布的纳米柱阵列生长在一层厚度约为70nm的纳米晶薄膜上.XRD结果中的(002)峰和PL谱中的带边发射峰相对于纯ZnO薄膜都发生了不同程度的偏移,表明了Mg组分的掺入改变了ZnO的晶格常数和带隙宽度.分析了MgxZn1-xO纳米柱的生长机制.     

Room-temperature electroluminescence of p-ZnxMg（1-x）O：Na/n-ZnO p-n junction light emitting diode

p-ZnxMg1-xO：Na/n-ZnO p-n junction light emitting diode （LED） was produced on n-ZnO （0001） single-crystal substrate using pulsed laser deposition. The realization of band gap engineering was achieved by the incor-poration of Mg in ZnO layers and was confirmed by photoluminescence spectrum. The p-type ZnxMg1-xO：Na film with low resistance was obtained at 500 ℃ and in which, Na has taken effect evidenced by Hall and X-ray photo-electron spectroscopy measurements. The current-voltage curve of LED showed a rectifying behavior and obvious electroluminescence was realized by feeding a direct current up to 40 mA. Furthermore, its structural and electric characters are discussed as well.     

蒸馏水中采用脉冲激光烧蚀制备Ag纳米粒子胶体

采用脉冲激光（重复率为10Hz，能量密度为4．2J／cm^2）对蒸馏水中的Ag靶烧蚀不同时间后，制备得到Ag纳米粒子胶体，并对其进行紫外～可见分光光度计分析和透射电镜观察。结果表明：烧蚀时间为5～7．5min时，Ag纳米粒子粒径及分布随烧蚀时间呈减少趋势，烧蚀时间从7．5变化至15min时又随之增加，而烧蚀时间从15变化至25min时又随之减少：获得的纳米粒子浓度增高，且溶液中粒子的团聚率也增大：烧蚀时间为7．5min时，粒子粒径达到最小（D=14、48nm），粒径分布最小（8=25．8nm）。在实验基础上，应用纳米粒子对脉冲激光自吸收产生的“爆炸”与“熔化生长”模型解释了烧蚀时间对纳米粒子胶体的影响规律，证实通过改变烧蚀时间来控制纳米粒子尺寸和形貌、以及防止纳米粒子发生团聚的可行性。     

ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，具有许多优异的性能。但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷（如空位氧Vo和间隙锌Zni)，对受主产生高度自补偿作用，天然为n型半导体，难以实现p型转变。ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术，也一直是ZnO研究中的主要课题，目前已取得重大进展，文章对此进行了详细阐述。     

SiO2/Si衬底制备ZnO薄膜及表征

本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜.引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响.利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究.结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO薄膜具有优良的晶体质量,电学性能和发光性能.     

脉冲激光沉积法室温下ZnO薄膜的制备与表征

在室温条件下,采用脉冲激光沉积技术在玻璃衬底上生长了ZnO薄膜.对薄膜的XRD分析表明,ZnO薄膜为六方纤锌矿结构并沿c轴取向生长,且(002)衍射峰的半高峰宽仅为0.24°.薄膜沿c轴方向受到一定的张应力为1.7×108 N/m2.原子力显微镜分析表明薄膜表面较为平整,平均粗糙度约为6.5 nm,晶粒尺寸约为50 nm.此外,透射光谱分析表明薄膜的禁带宽度为3.25 eV,与ZnO体材料的禁带宽度3.30 eV基本相同.     

直流反应磁控溅射生长p型ZnO薄膜及其特性的研究

本文报道了利用直流反应磁控技术生长p型ZnO薄膜。ZnO薄膜在不同的衬底温度沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,生长气氛为NH3 O2 中。利用X射线衍射、Hall试验和透射光谱对其性能进行研究 ,结果表明 ,ZnO薄膜为高度c轴取向 ,在 5 0 0℃的衬底温度下具有很好的结晶性能 ,而且 ,该温度下ZnO还实现了p型转变 ,电阻率为 10 3 Ω·cm ,载流子浓度 10 15cm-3 ,Hall迁移率 3 4cm2 / (V·s)。这是利用溅射技术首次制备出p ZnO薄膜。实验还表明p ZnO薄膜在可见光区域具有 90 %的高透射率 ,室温下光学带宽约为 3 2 1eV。