生物医用钛基无镍记忆合金研究进展

综述近年来国内外关于Ti基无Ni记忆合金的研究进展,主要介绍Ti-Nb和Ti-Mo基二元及三元合金的记忆性能和超弹性行为,重点评述合金的微观结构、相变以及力学性能等特点,并提出一些值得关注的问题。     

熔体快淬法制备Fe81Ga19磁致伸缩合金

采用GaIn合金冷却液体作为冷却介质,将Fe81Ga19熔体快淬制备出具有晶粒沿径向生长的合金棒.利用XRD极图反射法判定棒轴为[110]方向.通过热分析和XRD测试结果,结合相图分析可知,合金为A2无序体心立方相,热处理未改变合金的A2结构,但在690℃附近发生了A2相的Curie转变.合金棒材在无轴向压力条件下获得饱和磁致伸缩值为66×10-6;在加压条件下磁致仲缩出现明显的压力效应,在50 MPa下饱和磁致伸缩增加到115×10-6.     

亚温淬火预淬温度对低碳合金钢强韧性的影响

<正> 一、前言 亚温淬火做为结构钢一种有效的强韧化工艺越来越引起人们的注意。低碳板条马氏体具有良好的强韧性,但试验研究表明:低碳合金钢经亚温淬火后,在板条马氏体基体上分布少量纤维状铁素体,强韧性尚可得到进一步提高。因此,亚温淬火不仅对中碳合金钢,而且对低碳合金钢也是发挥强韧性潜力的有效手段。影响亚温淬火强韧化效果的     

钨合金穿甲弹芯变形缺陷的产生形式和形成力学分析

在分析高比重钨合金弹芯挤压变形缺陷产生形式的基础上,利用钨合金变形体塑性区内的速度场分布,推导了变形钨合金弹芯形成内部破裂和表面破裂条件的力学判据,并绘制了两种变形缺陷的力学判据曲线图.试验结果表明,该力学判据将为合理制定液力挤压变形工艺参数、设计优化工模具结构、预测挤压变形缺陷和提高挤压制品质量提供重要的理论依据.     

第三组元添加对Fe-Ga合金相组成和磁致伸缩性能的影响

系统地研究了铸态和淬火态Fe81(Ga1-xMx)19(x=0,0.1,0.2,0.3;M=Si,Ge,Sn)合金的相组成和磁致伸缩特性.结果表明:Si,Ge元素分别添加到Fe81Ca91合金中保持了合金的A2相结构.添加少量的Si或Ge(x=0.1)不会降低合金的饱和磁致伸缩值,其中淬火态Fe81(Ga0.9Ge0.1)19样品的饱和磁致伸缩值比淬火态Fe81Ga19合金明显提高;此后,继续增加Si或Ge含量,饱和磁致伸缩值显著下降.铸态和淬火态Fe81(Ga1-xSnx)19(x=0.1,0.2,0.3)合金为A2和FeSn(Ga)双相结构.随着Sn含量增加,非磁性FeSn(Ga)相数量增加,合金的饱和磁致伸缩值呈降低趋势.其中,在铸态Fe81(Ga0.9Sn0.1)19合金中获得了最大的饱和磁致伸缩值(41×10-6),略高于铸态Fe81Ga19合金.     

热处理工艺对中碳铬钢断裂形貌的影响

一、前言机器零件和结构件的脆断是机械失效中最危险的形式。有人统计其中由于低温环境这一诱因引起的脆断占30～40％。矿山、工程机械,交通运输、海洋工程等方面大量使用野外露天机械和工程材料,在北方严寒的冬季存在发生低温脆断的危险。因此研究钢铁材料低温脆断规律及其防止措施具有重要的现实意义。材料低温脆断过程的发生受材料的内部组织结构(成分、晶粒度、组织等)、零件形状(缺口、厚度等)、受力条件(温度、速率)等多方面因素影响。其中材料的冶金学因素(合金成分、晶粒度、显微组织)是影响低温脆断的内在因素,研究冶金学因素的影响有助于从机理上了解低温脆     

Co/Cu/Co纳米多层膜的铁磁耦合效应

采用洛仑兹电子显微镜研究了磁控溅射沉积制备的Cu(20 nm)/Co/Cu/Co纳米多层膜磁畴结构随铁磁层间耦合效应的变化. Cu中间层厚度较薄时, 由于铁磁层之间的耦合作用, 纳米多层膜为垂直易磁化, 磁畴为磁泡结构, 磁泡的平均直径随Cu中间层厚度的增加而减小, 多层膜矫顽力呈减小趋势. 当Cu中间层厚度大于3 nm时, 铁磁层之间的耦合作用减弱, 纳米多层膜为面内易磁化, 磁泡结构的磁畴消失, 全部为具有波纹状的接近180°畴壁的磁畴结构.     

金属/陶瓷界面的第一原理研究

利用第一原理方法系统地研究了Ni与过渡金属氧化物ZrO2界面的能量学、原子结构以及键合特征.结果表明界面键中的共价键因素是控制Ni与过渡金属氧化物ZrO2之间相互作用的主要因素,与一般所认为的镜像电荷相互作用模型相悖.随着陶瓷层的增厚,界面的结合能逐渐减弱.     

定向凝固铁磁形状记忆合金Ni2MnGa的固-液界面形态

采用超高温度梯度真空区熔法定向凝固制备了Ni2MnGa晶体，改变晶体生长速度、温度梯度和熔区长度，获得了平直的固-液生长界面，制备出Ni2MnGa单晶．用光学显微镜观察了Ni50Mn29Ga21晶粒的竞争生长过程，制备的定向凝固试样无宏观成分偏析．X射线衍射分析仅显示四方结构马氏体Ni2MnGa400峰和004峰，晶体生长轴向择优取向为立方奥氏体(100)方向．采用差式扫描量热分析(DSC)和热重法(TG)分别测定试样中不同部位的相转变温度和Curie温度．在稳定生长区，沿轴向马氏体相变温度在10℃左右变化，而Curie温度几乎没有变化．这进一步表明采用该方法制备的Ni2MnGa晶体沿轴向成分均匀，且马氏体相变温度一致。