首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   20篇
  免费   0篇
  国内免费   7篇
电工技术   1篇
化学工业   8篇
金属工艺   3篇
无线电   5篇
一般工业技术   2篇
自动化技术   8篇
  2019年   1篇
  2018年   2篇
  2014年   1篇
  2012年   2篇
  2011年   3篇
  2010年   6篇
  2009年   1篇
  2008年   2篇
  2007年   1篇
  2006年   1篇
  2005年   1篇
  2004年   2篇
  2000年   1篇
  1998年   2篇
  1997年   1篇
排序方式: 共有27条查询结果,搜索用时 281 毫秒
1.
以阴极副反应析出的氢气泡为动态模板,在由60g/L CuSO_4·5H_2O、90g/L硫酸、60~90g/L聚乙二醇(PEG)和0~40mg/LNaBr组成的电解液中电沉积30s,制备了锂离子电池用三维多孔铜薄膜。研究了电流密度、镀液温度以及添加剂NaBr和PEG的用量对制备铜薄膜孔径和孔壁质量的影响。结果表明,电流密度在3~5A/dm2范围内才能制得三维多孔结构,增大溴离子浓度和升高镀液温度都可扩大孔径,孔壁结构也会变得更加致密。  相似文献   
2.
在电解法制备的低轮廓铜箔表面,采用一种特殊的表面处理工艺和粗化添加剂制备出具有类似荷叶表面微观结构的铜表面。铜表面的超疏水效果良好,静态接触角达到153.6°。该制备方法以目前的电解铜箔生产线为基础,具有操作简单、控制容易、成本较低、条件温和等优点,非常适合连续化生产。该方法可推动超疏水性铜在实际生产中的广泛应用。  相似文献   
3.
要搞好研究所的节能工作,必须坚持抓教育,抓制度;健全组织,稳定机构;重视技改,注重实效。  相似文献   
4.
随着信息技术的发展,物联网进程逐渐加快,信息安全工作愈加重要。安全芯片可以应用在信息系统安全的各个方面,安全芯片具有更高的安全性和其他方案不可比拟的优点;国家密码管理局颁布的国密算法具有安全性和制度性两方面优势。因此,将国产算法与安全芯片技术相结合,采用国产算法的安全芯片必将在信息社会各领域中得到广泛应用,并具有巨大的市场前景。  相似文献   
5.
客户端-服务器认证协议的匿名性指服务器能够认证客户端的真实性,但无法获知客户端的身份。针对认证协议提出了新的安全性需求—不可链接性,该性质是对匿名性的有益补充。对已有文献中的认证协议进行修正,使其在不降低认证效率的前提下满足不可链接性。修正后的方案同时提供身份保护性、不可链接性、双向认证、密钥协商、密钥更新、会话密钥的后向保密性以及客户端的口令修改功能。  相似文献   
6.
从签名方程出发,推导出一组椭圆曲线签名验证算法,这些算法在验证步骤中,采用护士Q的形式,只运用了一次标题乘运算,而目前国际上公认的椭圆曲线签名算法为ECDSA算法,也还有一些相关的签名算法,这些算法在验证步骤中都采用kP±lQ的形式,需要计算两次标题乘运算.因为关键运算为标题乘运算,其它运算时间可忽略不计,所以给出算法的验证步骤的运算时间仅为ECDSA算法所需时间的一半,接着还通过实验进行了验证.  相似文献   
7.
铜箔制程对CCL及PCB要求的应对   总被引:1,自引:0,他引:1  
PCB和CCL行业的高速发展,对作为其基础材料的铜箔提出了更多要求。铜箔必须同时满足PCB和CCL的多项性能要求,这给铜箔生产商带来了严峻的技术挑战和难得的发展机遇。从铜箔生产制成控制原理、方法和实际管控等方面,讨论铜箔如何应对CCL和PCB高度发展要求。  相似文献   
8.
印制板用电解铜箔后处理工艺的研究   总被引:7,自引:3,他引:4  
研究了一种新的印制板用电解铜箔后处理工艺,依次进行电镀Zn—Ni基三元合金、铬酸盐钝化、浸有机膜等。给出了电镀Zn—M基三元合金和铬酸盐钝化的工艺参数,并对各影响因素进行了分析。对经过上述工艺处理的电解铜箔进行了性能测试,结果表明,经过该工艺处理的电解铜箔的耐蚀性、耐热性和与印制板基体的结合强度等均有明显提高,铜箔的抗剥强度为2.15,劣化率为1.38%。  相似文献   
9.
可信网络连接协议作为可信计算框架中的核心技术,存在中间人攻击的安全威胁。为了解决中间人攻击问题,优化了Diffie-Hellman密钥交换协议,提出了基于数字签名及签名验证的端到端协议。与现有协议相比,提出的方案解决了可信网络连接中的中间人攻击问题,提升了网络安全性。  相似文献   
10.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号