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1.
采用聚对二甲苯(Parylene C)作为结构材料,借助微细加工技术设计并制作了按6×6矩阵排布的柔性凸起微电极阵列.微电极直径为80μm,引线线宽40μm,电极间距为280μm,引线间距为80μm.电极位点高度约为10μm,呈明显的圆滑凸起结构特征.电极和引线表面均平整光滑,轮廓清晰,结构完好.阻抗测试结果表明:随着频率的增加,凸起微电极的阻抗呈下降趋势,显示出明显的高通特性;1kHz时凸起微电极的阻抗约为10kΩ,较具有相同基底面积的平面电极约低30%,有助于提高电极的信噪比,可望用于视网膜前假体中.柔性凸起微电极制作工艺简单,利于高效率批量制作并提高微电极的集成度.  相似文献   
2.
制备了包含双层半导体和金属纳米晶的MOS电容结构,研究了其在非挥发性存储器领域的应用。利用真空电子束蒸发技术,在二氧化硅介质中得到了半导体硅纳米晶和金属镍纳米晶。与包含单层纳米晶的MOS电容相比,这种包含双层异质纳米晶的MOS电容显示出更大的存储能力,且保留性能得到改善。说明顶层的金属纳米晶作为一层额外的电荷俘获层可以通过直接隧穿机制进一步延长保留时间和提高平带电压漂移量。  相似文献   
3.
4.
纳米技术的新进展   总被引:2,自引:1,他引:1  
介绍纳米技术的新进展,探讨发展纳米技术重要性,对纳米固体材料、纳米加工技术也作了讨论,并对纳米机器人作了简要介绍。  相似文献   
5.
BST-MEMS移相器开关   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了提高MEMS电容开关性能,介绍了移相器的一种新型结构——分布式电容周期性加载结构。分析发现移相器的相移度和单元可变电容的变化率有关。目前MEMS可变电容单元采用的介质基本上是氮化硅。BST薄膜作为一种性质优良的介电材料,其介电常数远大于氮化硅。从MEMS移相器开关性能的几个关键指标出发,探讨在MEMS移相器开关中,用BST薄膜代替氮化硅介质的可能性。  相似文献   
6.
提出了一种基于超薄薄膜光电二极管(PD)构成的新型集成光学干涉仪构造方案,基于键合技术,论证了超薄薄膜光电二极管阵列集成化构成集成光学干涉仪的可能性.着重描述了集成光学干涉仪构造关键部件--超薄薄膜光电二极管的设计、制造及其特性.所构成的集成光学干涉仪经实验得到初步验证,结果表明,利用微细加工制作微光学干涉计是完全可行的.  相似文献   
7.
BST薄膜铁电移相器研究进展   总被引:3,自引:3,他引:0  
钛酸锶钡(BST)薄膜因其具有高的介电调谐量,相对低的损耗tgδ和快的开关速度,在微波移相器的应用中显示出巨大优势。介绍了改善BST薄膜的介电性能的有效方法,衬底材料的选择,以及BST薄膜铁电移相器的结构类型和研究进展。  相似文献   
8.
紫外光照下ZnO基薄膜的光电和气敏特性研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
用sol-gel法制备ZnO及掺杂Al3+的ZnO半导体薄膜,利用XRD和AFM对薄膜结构和形貌进行表征。测量了不同掺Al量的薄膜在紫外光照射下电阻的变化,发现随着掺Al量的增大,薄膜在紫外光(波长为365nm)照射后其电阻先减小后增大。在室温下,对薄膜在不同浓度的CO气体下的敏感特性进行了研究,随着气体浓度的增加,薄膜电阻值逐渐减小;随着掺Al量的增大,气敏灵敏性先逐渐增大后减小,发现当铝含量为r(Al:ZnO)=0.5%时,对CO气体的灵敏度最大,并对紫外光照射下气敏半导体薄膜的气敏机理进行了简单分析。  相似文献   
9.
纳米尺度下钯元素的催化效应及气敏机理   总被引:9,自引:5,他引:4  
在研究了贵金属Pd和离子Pd2+催化剂对纳米结构厚膜材料气敏特性的影响之后,提出了纳米催化效应的见解。认为将微量Pd2+的水溶液加入到纳米晶SnO2-x粉体中,可使Pd2+离子均匀地分布。所形成的PdO1-x纳米晶,能更均匀地存在于纳米结构厚膜材料载体中,有望对可燃性气体起到最有效的纳米催化作用。实验结果表明当Pd2+离子最佳的引入量为1.04mol%时,对3000×10-6甲烷的灵敏度可达9~11。  相似文献   
10.
我们利用IRD-890数据采集器及美国ENTEK公司的PM预测维修软件对压缩机、离心机、离心泵进行了振动监测,成功地诊断出离心机内、外转鼓丢转,轴承损坏,对中不好等故障.一、IRD-890及PM系统简介IRD-890数据采集器为便携式,带有CPU和模数转换器,集数据采集与频谱分析于一身,配接不同类型的传感器,可监测多种状态参数,采集如振动、电压及温度、相  相似文献   
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