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高质量钨酸铅(PWO)晶体的生长   总被引:6,自引:0,他引:6  
用改进的垂直坩埚下降法成功地生长了高质量的钨酸铅晶体,晶体毛坯的尺寸为28min×28mm×360mm;晶体的生长工艺参数为:籽晶取向[001];下降速度 0.6~1.0mm/h;生长界面附近的温度梯度为20~30℃/cm,加工后的晶体成品在420nm附近的透过率>60%;在360nm附近的透过率>25%.晶体的光输出>9p.e/MeV;光伤<5%.  相似文献   
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