电沉积羟基磷灰石修饰电极上的葡萄糖传感器的研制

在铂电极上电沉积羟基磷灰石（HAp）-聚乙烯醇（PVA）复合涂层,并将葡萄糖氧化酶（GOD）固定在羟基磷灰石HAp-PVA-Nafion复合膜,构建了高灵敏度、高选择性的葡萄糖传感器。固定在此电极上的GOD在pH 7.0的磷酸缓冲液（PBS）中展现出一对可逆性好的氧化还原峰,此电极对葡萄糖的氧化有良好的催化作用随葡萄糖浓度,在恒电位-0.92 V（相对于饱和甘汞电极）时测量溶解氧还原电流,结果显示,羟基磷灰石和Nafion良好的协同作用增强了GOD的电化学活性,促进了GOD与电极表面之间的电子转移,提高了传感器的穗定性与灵敏度,还原电流的衰减在浓度0.04-0.52 mmol dm~（-3）范围内与葡萄糖的浓度呈线性关系     

锶元素改性TiO2／杭锦2#土复合物的光催化性能

以Ti（OBu）4和内蒙古杭锦2^#土为主要原料，Sr（NO3）2为掺杂剂，采用溶胶-凝胶法制备了一系列Sr元素掺杂改性的TiO2／杭锦2^#土复合光催化剂，并用X射线衍射、傅立叶红外光谱和扫描电子显微镜等对样品进行了表征。紫外光照射下，以亚甲基蓝水溶液为光降解体系，考察了Sr的掺杂量和热处理温度对光降解率的影响，结果表明，Sr的掺杂量为0．5％，焙烧温度为500℃条件下制得复合物的催化活性明显优于相同条件下的TiO2／杭锦2^#土。该复合物催化剂的优点是易于从分散体系中分离和可循环使用。     

锆掺杂纳米ZnO粉体的制备及其光催化性能

以Na2CO3、ZnSO4和ZrOCl2·8H2O为原料,采用直接沉淀法制备了纯ZnO和掺锆ZnO的纳米粉体,并用XRD、FT-IR、UV-Vis、SEM和TEM等表征手段进行表征,用紫外灯作为光源,亚甲基蓝溶液为光催化反应模型降解物,研究了ZnO和掺锆ZnO纳米粉体的光催化性能,并考察了前驱体煅烧温度与时间、掺锆量以及催化剂加入量等因素对降解率的影响,结果表明,煅烧温度为700℃时,相比纯ZnO掺杂锆的ZnO晶粒结晶良好,样品粒度分布更均匀,粒径变小,且掺锆的ZnO光催化活性高。当掺锆量为1%（摩尔比）时,光催化性能最好,加入催化剂量为0.8g.dm^-3,光降解时间为1h时,对亚甲基蓝溶液的降解率可达到98.65%。     

硝酸银水溶液处理新生多孔硅的研究

n型单晶硅经光电化学阳极刻蚀成多孔硅.研究了多孔硅经硝酸银(AgNO3)水溶液浸泡前后样品的光致发光(PL)性质,实验发现,浸泡很短时间内多孔硅发光强度增强,浸泡时间较长的样品发光强度会衰减直至猝灭,且浸泡液浓度越大荧光衰减越明显.通过扫描电子显微镜(SEM),傅立叶红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)的检测显示,AgNO3水溶液浸泡的多孔硅样品表面有金属银析出.光致发光增强是多孔硅表面形成Si-O结构所致,荧光猝灭是因为银在多孔硅表面形成大量非辐射复合中心.     

轻/重水堆中子辐照氢区熔硅退火特性的比较

用电阻率测量、金相观察以及红外光谱等方法分别研究了氢区熔硅单晶在轻水反应堆和重水反应堆进行中子辐照后的退火特性。电阻率退火曲线表明，两种中子辐照样品都存在氢致施主。随着退火温度由低到高，轻水堆辐照样品存在一个导电类型由ｐ型到ｎ型的转型过程，而且在这种转型过程中，有一个明显的“周边滞后”现象。在重水堆辐照样品中，热处理缺陷表现为氢致Φ型缺陷（大麻坑），而在轻水堆辐照样品中，热处理缺陷表现为尺寸小得多的氢沉淀。红外光谱测量结果表明，重水堆中子辐照的样品经短时退火后观察不到氧沉淀，而在轻水堆辐照样品中存在吸收峰在１２３０ｃｍ－１附近的氧沉淀。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

单晶硅内氢杂质特性研究进展

从单晶硅内氢杂质的引入,氢钝化施主,钝化受主,钝化缺陷等几方面对近年来单晶硅内氢杂质的特性研究进行了综述,强调了氢加速氧扩散、加速热施主与氧沉淀的形成等性质,讨论了氢在单晶硅内的存在状态及硅片在氢气氛中的退火特性。     

Eu(Ⅲ)、Cu(Ⅱ)对灯盏花素与BSA作用的扰动

运用荧光光谱、吸收光谱研究了Eu(Ⅲ)、Cu(Ⅱ)对灯盏花素(Breviscapinun,BR)与牛血清白蛋白(Bovine serum albumin,BSA)作用的扰动.金属离子存在时BR对BSA的猝灭机制未发生改变,通过计算获得了二者相互作用的KA、n及热力学参数.结果表明,Cu(Ⅱ)的存在使得BR与BSA二者(BR-BSA)结合常数、结合位点数均增大,二者的作用力并未发生变化;而Eu(Ⅲ)存在时,BR-BSA作用的结合常数、结合位点数均减小,BR-BSA之间的作用力由疏水作用变为范德华力和氢键.从离子架桥作用、金属离子与BR的竞争作用,热力学参数的变化、配位化合物的形成等方面分析了影响BR-BSA作用的因素.     

Pt／n—n＋-Si电极上化学沉积铁氰化镍薄膜及其应用

在表面外延生长9μm的n型层的磷重掺杂的硅基底n—n＋一Si）结构上沉积约40nm铂（Pt）,经氩气保护673K热处理30min作为半导体电极（Pt／n—n＋-Si）。将半导体电极和铁氰化钾、硫酸镍以及硝酸钠的溶液接触,沉积出稳定的铁氰化镍（NiHCF）薄膜。复合电极与Pt电极组成光电化学电池,在零偏电压条件下,通过测量该电池的光电流可检测过氧化氢。通过循环伏安和X-光电子能谱对NiHCF薄膜进行了分析与表征。     

Oxygen Evolution at Nickel Hydroxide Films Co-deposited Light Rare Earth Elements

1 ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｎｉｃｋｅｌｈｙｄｒｏｘｉｄｅｈａｖｅｂｅｅｎｓｔｕｄｉｅｄｅｘｔｅｎｓｉｖｅｌｙｄｕｅｔｏｉｔｓｉｍｐｏｒｔａｎｃｅａｓａｃｔｉｖｅｍａｔｅｒｉａｌｓｉｎｎｉｃｋｅｌｂａｔｔｅｒｙｓｙｓ ｔｅｍｓ[1 ].Ａｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｕｎｄｅｒｓｔａｎｄｉｎｇｏｆｔｈｅｅｆｆｅｃｔｓｏｆｍｅｔａｌｌｉｃａｄｄｉｔｉｖｅｓａｎｄｉｍｐｕｒｉ ｔｉｅｓｏｎｔｈｅｎｉｃｋｅｌｈｙｄｒｏｘｉｄｅｅｌｅｃ…