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1.
2.
一、引言原料制备是玻璃制造工艺的重要组成部分之一,当玻璃成分和有关工艺参数选定之后,如何按要求的玻璃成分和现有的原料组成,准确无误地计算出完全符合要求的配合料,对于保证玻璃产质量、节省能耗都关系极大.但用手工计算配料单,既费时,精度又不高,不能适应玻璃工厂生产中原料成分常有波动的情况.已有文章讨论了用计算机计算配合料的工作. 相似文献
3.
本文介绍用于玻璃熔窑保温层设计、保温层节能效果计算及熔窑热平衡计算的软件.文中介绍了该软件的结构,部分程序框图及所用的人机界面. 相似文献
4.
5.
6.
研制出一种高性能弹用凝视型碲镉汞(MCT)中波红外焦平面CMOS读出电路(ROIC)芯片。读出电路采用快照(Snapshot)积分模式,具有积分后读出(ITR)、积分同时读出(IWR)、长/短帧组合(COMBINED)积分和长/短帧插入(INTERLACED)积分4种模式可选功能,有效解决高灵敏度和大动态范围的矛盾;其他特征包括抗晕、多级增益可选、串口功能控制,以及全芯片电注入测试功能。该读出电路采用0.35?m DPTM标准CMOS工艺,工作电压5.0V。测试结果体现了良好的性能:在77 K条件下,全帧频可到250 Hz(插入积分模式),功耗典型值为20 mW。 相似文献
7.
采用液相外延(LPE)生长的中波HgCdTe薄膜,基于B离子注入n-on-p平面结技术,制备了LBIC测试结构和I-V测试芯片并进行了相应的测试和分析.LBIC测试结果表明,HgCdTe pn结实际结区尺寸扩展4~5 μm,这主要与光刻、B离子注入以及注入后低温退火等器件工艺有关.二极管器件C-V和I-V特性研究表明,所制备的HgCdTe pn结不是突变结也不是线性缓变结.中波HgCdTe二极管器件最高动态阻抗大于30GΩ,器件优值R0A高达1.21×105Ωcm2,表现出较好的器件性能. 相似文献
8.
HgCdTe 表面/界面特性对器件性能具有重要的影响,表面/界面的状态主要依赖于表面处理和钝化工艺。采用 Br2/CH3OH 腐蚀液对液相外延(LPE)生长的中波 HgCdTe 薄膜进行表面处理后,使用CdTe/ZnS 复合钝化技术进行表面钝化,制备了相应的 MIS 器件并进行器件 C-V 测试。结果表明,HgCdTe/钝化层界面固定电荷极性为正,面密度为2.1×1011 cm-2,最低快界面态密度为1.43×1011 cm-2·eV-1,在10 V 栅压极值下慢界面态密度为4.75×1011 cm-2,较低的快界面态密度体现出了 CdTe/ZnS 复合钝化技术的优越性。 相似文献
9.
目前,各行各业的发展都离不开计算机,可以说我国已经进入了信息化时代。计算机技术对人类的发展产生了深远的影响,我们的生产和生活都离不开计算机。而人们对于计算机技术的要求也在不断的提高,因此在这种背景下研发人员发明了云端软件。该软件可以给计算机用户提供很大的方便。笔者从云端软件的部署、实施等出发,对计算机的管理和维护方案进行分析。希望这些分析和探讨对处理计算机故障有一定的帮助,提高网络的恢复速度。 相似文献
10.
提出了一种适用于LDPC码的基于最小均方误差准则的UMP BP-based改进译码算法.该算法结合2种UMP BP-based改进译码算法(normalized UMP BP-based译码算法和offset UMP BP-based译码算法)的处理方法,并基于最小均方误差准则得到相应的归一化因子和偏移量因子.仿真结果表明,当使用码长为1 008,码率为1/2的(3,6)规则LDPC码时,所提算法和上述2种算法相比,在BER为10-6时,可以节省0.03 dB. 相似文献