片式多层陶瓷微波谐振器

介绍了片式陶瓷微波谐振器的工艺过程、谐振器的结构以及结构对谐振器参数的影响,谐振器与外电路的耦合采用耦合间隙的方法与谐振单元在同一层内实现,这种新结构既可给制备工艺带来方便,又可减少工艺所带来的误差。用多层陶瓷工艺技术,用高介电常数、低温烧结微波陶瓷实现了中心频率为1GHz,有载品质因数大于80的试验双端口多层微波谐振器。微波谐振器体积小,整个谐振器的尺寸为7mm×2mm×1mm,适用于表面贴装技术。     

BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷的制备和微波性能

采用柠檬酸sol-gel工艺合成了BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷，研究了SiO2-B2O3玻璃的含量，Ba/Fe原子比和热处理温度对体系析出晶相的影响，以及介电常数和磁异率在1MHz-6GHz频率范围的变化规律，结果表明，休系中SiO2-B2O3玻璃的含量和Ba/Fe比越高，BaF312O19相的析出越困难，前驱体合适的热处理温度为1000℃，介电常数和磁导率基本上随测试频率的增而加下降；介电损耗的最大值为0．43，磁损耗较小。     

提高BaTiO3型协热敏电阻PTC效应的途径

本文根据晶界耗尽层模型, 分析了受主表面态浓度/ 0 、施主农度/ 。、表面态能 级尸二对? 型( ) ? 12 0 内瓷+ ? , 效应的影响, 提出“ 高且薄 ” 的晶界势垒形状在理论一五应具育 最大的+ ? , 效应, 并给出了在减少耗尽宽度0 。的同时提高势垒高度功。的理论依据! 最后, 讨论了在实际研制过程中得到最佳+ ? , 效应所应遵循的配方选择原则与相应的工艺条件, 并给出了实例     

La掺杂PZST反铁电陶瓷电场诱导热释电现象

研究了Ｌａ掺杂ＰＺＳＴ反铁电陶瓷在不同偏置电场下的场诱热释电特性。在０～１２０°Ｃ温度范围内，热释电的峰值和峰位可以用电场的大小来控制，热释电系数达到１０－７Ｃ／ｃｍ２·Ｋ。     

压电复合材料PT－P（VDF／TeFE）的静水压压电性

用热轧辊机制备了压电复合材料ＰＴ－Ｐ（ＶＤＦ／ＴｅＦＥ），并利用ＬＣＲ电桥和Ｂｅｒｌｉｎｃｏｕｒｔ电路分别测量了其介电常数和压电常数，实验结果表明它具有良好的静水压压电特性。最后讨论了该复合材料在水听器中的应用     

分割电极片状压电致动器——(二)位移特性及狭缝宽度对其影响的实验研究

研究了悬臂梁式分割电极片状压电致动器的位移特性。理论分析表明，分割电极狭缝宽度会减小致动器自由端的位移输出，但当狭缝宽度小于致动器电极宽度的１０％时，可忽略狭缝宽度的影响。致动器端部位移的测试结果大于理论计算值。与现有磁头悬浮臂尺寸相近的致动器，在２０Ｖ～５０Ｖ的电压驱动下均可获得１μｍ～２μｍ的致动位移。对９８５０道／厘米的密度磁盘，该位移能覆盖至少一个磁道宽度，满足磁头定位两级伺服系统对第二级致动器位移的基本要求。     

溶胶－凝胶法制备Pb（Zr，Ti）O_3玻璃陶瓷过程中的结构变化

本文介绍溶胶－凝胶法制备均匀ＰｂＺｒ－Ｔｉ－Ｂ－Ｓｉ凝胶玻璃，并通过适当热处理在凝胶玻璃中原位生长Ｐｂ（Ｚｒ；Ｔｉ）Ｏ３微晶的新工艺·利用ＩＲ谱考察了凝胶玻璃中的元素键合结构随温度的变化．结合热分析和ＸＲＤ；ＳＥＭ技术，研究了Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３微晶在凝胶玻璃中的生长过程及该材料的结构特点．发现Ｐｂ２（Ｚｒ，Ｔｉ）２Ｏ６＋ｘ立方焦绿石介稳过渡相的纳米微晶首先出现于该体系中，并在更高的温度下先后完全转变成三方和四方Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３钙钛矿相．电子显微观察结果表明，该工艺制备的Ｐｈ（Ｚｒ；Ｔｉ）Ｏ３玻璃陶瓷具有均匀的细晶结构．     

Ti 离子注入 LiNbO_3表面光学性能

本文研究了 x,y,z 三种切向的 LiNbO_3单晶片注入350keV 高能 Ti 离子(注入剂量为1.5×10~(17)/cm~2)后的表面光学性能。利用光谱仪及 AUEL 椭偏仪对三种切向 LiNbO_3试样在不同工艺处理后的光透射率及折射率进行了测试。注入损伤造成的光损耗可通过热处理消除,使晶格结构恢复至与完整晶格排列相近;注入层的折射率可增加11—13％左右。     

PZN—BT系统的相变温度与纳米结构

由两个铁电体所组成的固溶体的平均相变温度通常都处于这两个铁电体的相变温度之间．然而，Ｐｈ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ＢａＴｉＯ３（ＰＺＮ－ＢＴ）的平均相变温度却呈现出明显不同的变化规律．随着ＢＴ含量的增加，ＰＺＮ－ＢＴ的平均相变温度迅速下降．本文从化学组成复杂的系统中存在着纳米分相的假设出发，提出在ＰＺＮ－ＢＴ系统中存在着以Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３为主的顺电微区．采用热力学的方法，解释了ＰＺＮ－ＢＴ系统的相变温度的反常下降．