弱硼掺杂补偿对氢化微晶硅薄膜制备与特性的影响

研究了弱硼掺杂补偿对甚高频等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化微晶硅薄膜（μc-Si∶H）及材料特性的影响.实验发现,随着弱硼补偿剂量的增大,μc-Si∶H薄膜的沉积速率先减小后增加,变化范围约为0.7～0.8nm/s.相比较而言,材料的结晶度以及晶粒的平均颗粒尺寸则呈现出先增后减的变化,且变化的幅度较大,当弱硼补偿剂量大于2.5ppm时,过度的弱硼补偿将导致μc-Si∶H薄膜的结晶状况恶化.此外,光敏性、暗电导及电导激活能的测量结果进一步表明,弱硼补偿显著影响μc-Si∶H薄膜的光电特性,弱硼补偿剂量为2.5ppm左右时,材料的光电特性最为理想.因此,优化弱硼补偿剂量是获得器件级质量μc-Si∶H材料的有效途径.     

基于ARM11的嵌入式Web网络监控系统设计

介绍了以基于最新ARM11体系结构的S3C6410处理器为核心的嵌入式Web网络监控系统的相关理论与可行性,并且以此为基础给出了一种创新的基于S3C6410处理器实现嵌入式Web网络图像与视频传输系统的解决方案.该方案首先论述了选择ARM11处理器的原因,并且重点介绍了采用S3C6410的优势,简要介绍了各种相关的集成...     

斜梁结构高温度稳定性MEMS自由梁谐振器设计

针对表面微加工MEMS谐振器由于温度改变引起的电气失效问题,采用一种高温度稳定性的斜梁支撑结构将温度变化引起的谐振器形变转化为水平位移,有效地避免了谐振梁与电极之间因材料热胀冷缩引起的电气失效和动态阻抗变化。在温度升高100°C的情况下,直梁支撑结构在垂直电极方向的位移为0.153μm,而文中所提出的斜梁支撑结构的位移为0.017μm;在提高温度稳定性的同时降低了由于电极间隙增大引起的谐振器动态阻抗变化,在0.3μm的初始间隙下,斜梁支撑结构的谐振器在温度升高100°C时的动态阻抗为直梁支撑谐振器的24%,损耗为-52dB,相比于传统直梁支撑结构的-61dB改善了9dB,有效地提升了MEMS谐振器的温度稳定性。     

弱硼掺杂补偿对氢化微晶硅薄膜制备与特性的影响

研究了弱硼掺杂补偿对甚高频等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化微晶硅薄膜(μc-Si:H)及材料特性的影响.实验发现,随着弱硼补偿剂量的增大,μc-Si:H薄膜的沉积速率先减小后增加,变化范围约为0.7～0.8nm/s.相比较而言,材料的结晶度以及晶粒的平均颗粒尺寸则呈现出先增后减的变化,且变化的幅度较大,当弱硼补偿剂量大于2.5ppm时,过度的弱硼补偿将导致μc-Si:H薄膜的结晶状况恶化.此外,光敏性、暗电导及电导激活能的测量结果进一步表明,弱硼补偿显著影响μc-Si:H薄膜的光电特性,弱硼补偿剂量为2.5ppm左右时,材料的光电特性最为理想.因此,优化弱硼补偿剂量是获得器件级质量μc-Si:H材料的有效途径.     

基于单片机的超长时间定时控制器研制

用AT89C52单片机和串行时钟控制芯片DS1302组成的核心模块,实现了超长时间的定时控制。可广泛应用于用于不同用途的长达几年甚至几十年的定时开关,规律闭合开关,与固态继电器组合还可定时控制高压开关。本系统以串行时钟控制芯片DS1302作为系统的时钟源,用AT89C52单片机作为系统控制中心,另外包括LCD显示模块,按键控制调节模块,自动复位电路模块。     

半导体/介质纳米颗粒镶嵌材料的超快激光光谱学

报道了近年来半导体 /介质纳米颗粒镶嵌材料中超快过程的激光光谱学的主要测量方法和技术、探测结果、机理分析和我们的一些见解。     

激光Z扫描测量技术

激光Z扫描测量技术因装置简单、灵敏度高已成为材料光学非线性研究的一种重要手段,并随着其广泛应用而取得了较大的发展。作者采用分类综述的方法,对近年来激光Z扫描测量技术在实验与理论领域取得的进展进行了全面的论述与评价。     

聚合物发光器件中输运特性的模拟分析

对聚合物发光二极管I-V特性的测量发现,被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和"迟滞回线”状场致漂移的伏安特性.模拟分析表明,一种反向势垒的存在及其击穿,应是引起负阻现象的原因.缺陷态的存在及其电荷填充的变化,是导致I-V特性曲线随偏压扫描方向变化的主要原因.而低场下的接触性能决定着发光二级管载流子的输运性质:若为非欧姆接触,则I-V曲线可用F-N隧穿模型来描述;若为欧姆接触,则应用陷阱电荷限制电流(TCL)模型来描述.     

基于Verilog HDL的DDS信号发生器的设计与实现

基于数字频率合成(DDS)技术,采用分频方法,设计了一种可输出任意起始相位和一定频率范围的正弦波、方波、锯齿波、三角波的信号发生器.在QuartusII软件上进行仿真,结果表明,设计的DDS信号发生器达到预期要求,系统集成度高、扩展性好、控制灵活.     

VHF-PECVD法氢化微晶硅薄膜的低温制备

采用VHF-PECVD方法,以高氢稀释的硅烷为反应气体,低温条件下成功地制备了系列μc-Si∶H薄膜.对薄膜的厚度测量表明:增大激发频率和反应气压能有效提高沉积速率;随着等离子体功率密度的增大,沉积速率呈现出先增后减的变化.薄膜的Raman光谱、XRD及TEM等测试结果表明:提高衬底温度或减小硅烷浓度,可增大薄膜的结晶度和平均晶粒尺寸;等离子体激发频率的增大只影响薄膜的结晶度,并使结晶度出现极大值;薄膜中存在 (111)、(220)和(311)三个择优结晶取向,且各结晶取向的平均晶粒尺寸不同.