纯镁对碳化硼颗粒的常压浸渗

本文研究了纯镁对不同致密度的碳化硼（Ｂ＿４Ｃ）颗粒基片的常压浸渗性；讨论了镁液对Ｂ＿４Ｃ颗粒聚集体常压浸渗的影响因素；提出了浸渗模型。研究表明，纯镁在氩气保护下，８００～８５０℃温度范围保温３０ｍｉｎ即可浸渗Ｂ＿４Ｃ颗粒聚集体。浸渗深度和宽度随加热温度升高和保温时间延长而增加；常压浸渗的Ｂ＿４Ｃ＿Ｐ／Ｍｇ复合材料具有很高的硬度，Ｂ＿４Ｃ颗粒在基体中分布较均匀。     

由沥青制备多孔炭的工艺研究

采用沥青加发泡剂加炭黑制备了孔结构较好的多孔炭材料，分析和讨论了该工艺中沥青、发泡剂及炭黑的作用和影响，对多孔炭材料进行了力学性能测试和微观电镜观察分析，探讨了其可能的应用前景。     

纤维增强铝基复合材料变形损伤过程声发射研究

采用声发射（ＡＥ）技术，通过测定ＡＥ事件数、幅度和持续时间等发射特征参数以及恒载 Ｆｅｌｉｅｉｔｙ效应，对ＳｉＣ／Ａｌ和Ｃ／Ａｌ两类束丝纤维增强铝昨合在拉伸变形过程中的损失失效特征进行了分析探讨。实验结果表明，纤维种类、界面状况对复合材料损伤过程有着显著的影响，声发射技术是表征这类复合材料损伤特征很有潜力的方法。     

AlSiC电子封装材料及构件研究进展

AlSiC电子封装材料及构件具有高热导率、低膨胀系数和低密度等优异性能,使封装结构具有功率密度高、芯片寿命长、可靠性高和质量轻等特点,应用范围从功率电子封装到高频电子封装.综述了国内外制备AlSiC电子封装材料及构件所涉及的预制件成形、液相浸渗铸造、力学性能、气密性、机械加工、表面处理和构件连接等方面的研究进展.     

C_f/SiC复合材料表面沉积铱膜层工艺研究

为了进一步提高Cf/SiC复合材料的高温耐烧蚀性能,采用冷壁MOCVD工艺,对条型和管型Cf/SiC复合材料样品进行了金属铱膜层沉积。结果表明,在该工艺条件下,Cf/SiC复合材料的力学性能没有明显降低,沉积的金属铱膜呈白亮的金属色光泽。针对通氧沉积工艺中涂层氧含量较多的问题,通过对涂层进行后处理,使金属铱层的纯度大大提高,为获得高纯膜提供了新的工艺途径。     

AlSiC电子封装材料及器件物理性能研究进展

AlSiC电子封装材料及器件的关键指标是膨胀系数、热导率和气密性。不同工艺条件下制备的AlSiC电子封装材料物理性能相差较大。尽管已建立一些理论模型预测AlSiC电子封装材料的膨胀系数和热导率，但由于基体塑性变形、粘接剂类型及含量、粉末尺寸等许多因素影响，理论结果与实验结果相差较大。热循环过程中，基体合金类型、增强体尺寸、预处理方法和热循环次数等明显影响AlSiC电子封装材料的尺寸稳定性。温度循环对AlSiC电子封装材料物理性能的影响尚未见公开报道。     

基于不锈钢基板的厚膜电路制备技术

介绍了用丝网印刷法和低温烧结绝缘带转移法制备不锈钢绝缘基板的方法,比较分析了不同方法制得的不锈钢基板的绝缘性能,以及应用于Al2O3基板的浆料与绝缘带的相容性。还进行耐热冲击和自由落体试验,研究了不锈钢基板上介质覆盖层的结合强度。     

CF/Al复合丝的超声浸渗制备工艺与性能

探讨了超声液相浸渗法在制备碳（石墨）／铝复合丝过程中的适应性,通过选取适当的工艺参数和,包括纤维去胶及预热温度、铝液温度、浸渗速度和引入的超声能量等,可以得到复合质量较好、具有较高力学性能的复合丝。复合丝拉伸断口的扫描电镜（ＳＥＭ）观察可怕面有一定起伏,部分纤维拔出但长度较短,表明纤维与基体具有适当的界面结合。     

苏北新生代盆地断陷和坳陷的形成机理

苏北新生代盆地是由众多的断陷和坳陷组合而成的,它们发育在中、古生界逆冲推覆体上,其结构、规模和区域分布受逆冲推覆体的控制。断陷的形成是区域拉张背景下逆冲推覆带后缘断片回滑的结果,构成逆冲推覆体的“后缘凹陷”。苏北盆地不仅存在不同时期纵向上的断坳转化,而且在同一时期横向上兼有断、坳并存。      

表面活性剂对厚膜电子浆料流平性的影响

通过测量丝网印刷后膜层的表面粗糙度来表征厚膜电子浆料的流平性,研究了常用表面活性剂司班 85 及卵磷脂含量对浆料流平性的影响。结果表明,随着有机载体中表面活性剂含量增加,厚膜电子浆料的流平性变差。此外,还初步分析了表面活性剂对提高浆料的分散性和稳定性的作用。