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1.
采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm. 相似文献
2.
新型高k栅介质材料研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。 相似文献
3.
脉冲激光沉积SrBi2Ta2O9铁电薄膜电容特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用PLD方法成功地制备了SBT铁电薄膜,并制作成Pt/SBT/Pt薄膜电容器。SBT薄膜的晶面取向以(008)和(115)为主。在5V电压下,极化反转,并且得到较饱和的电滞回线,剩余极化强度和矫顽电场分别为84μC/cm2和57kv/cm。IV特性测试显示两个对称的双稳峰,并得到零电压下,面积为314×104μm2,厚度为035μm的电容器,电容约为560pF,介电常数约为600。疲劳测试表明Pt/SBT/Pt具有优良的抗疲劳特性。 相似文献
4.
5.
6.
7.
8.
Silicon-on-insulator (SOI) materials have a number of inherent advantages over bulk silicon substrates owing to their high speed, low power complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) integrated circuits, such as immunity to radiation hardness, high speed, and high tem-perature tolerance [1]. Separation by implantation of oxygen (SIMOX), bonding and etch back (BESOI) and Smart-Cut are the leading technologies for SOI material fabrication. Transitional metal impurities such as Cu, F… 相似文献
9.
10.
Asenic ions are implanted with doses of 5×10~(11)—5×10~(15)/cm~2 into LPCVD polysilicon films onSiO_2 isolating substrate.The polysilicon films have been recrystallized with CW Ar~+ laser beforeimplantation.Electrical measurements show that the resistivity is lowered and the mobility is increasedsignificantly at low doping concentration(~10~(17)As~+/cm~3).Plasma 相似文献