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从反应离子刻蚀设备腔室内部结构细节角度出发,研究腔室约束环对以450 mm为代表大晶圆尺寸刻蚀机流场影响。与同类研究相比,本文旨在突出研讨仿真模型的精确性与边界条件比较设置准则的重要性。本文首先介绍刻蚀机腔室约束环的结构及其功能并提出高精度粘度修正的实现方法并计算腔室流体气压分布。提出了腔室气压分布的多目标问题,采用遗传算法求解,并通过多目标决策对优化结果进行评价和排序,得到最适合的优化结果。最后,给出约束环设计结果并得出约束环可以优化腔室内气流分布轮廓的结论。 相似文献
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针对晶圆边缘非垂直刻蚀剖面问题,对300mm双频容性耦合等离子体刻蚀机晶圆边缘离子平均入射角度的分布特性进行了数值模拟研究。采用流体动力学模型求解等离子体宏观特性,氩气作为工艺气体,以一个射频周期内平均离子通量的矢量方向近似为离子平均入射角度,研究发现:边缘效应导致的晶圆边缘鞘层畸变是引起离子平均入射角度偏斜垂直方向的主要原因;晶圆外伸量与可利用半径近似呈负相关关系,且只会影响晶圆边缘向内约10~15mm区域的离子平均入射角度分布;上接地板半径和喷淋头半径影响范围较大,在晶圆半径超过100mm外均有较大影响;适当增大上接地板半径有利于提高离子平均入射角度的垂直性和增大晶圆的有效利用面积,而喷淋头半径在略小于晶圆半径时较佳。 相似文献
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针对集成电路装备研发中的数据集成、应用集成与知识集成问题,设计了集成电路装备集成化研发平台.该平台遵循一切皆为服务的设计原则,使用服务构建应用系统,对产品数据的访问也被封装为统一的数据访问服务供外界调用.给出了集成电路装备集成化产品组件数据视图,并融合数据空间技术完成了异构数据的形式化数据资源建模.给出了基于本体的知识项统一描述方式,在此基础上实现了基于知识推送的知识应用模式.介绍了自主开发的集成电路装备集成化研发平台,并结合PECVD设备中喷淋头的设计,验证了平台的有效性. 相似文献
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