Ni55Mn20.6Ga24.4铁磁形状记忆合金的铁性畴结构表征（英文）

采用扫描电声显微技术(SEAM)研究Ni55Mn20.6Ga24.4铁磁形状记忆合金的马氏体变体晶体畴与铁磁畴的微观结构及其耦合。每个晶粒内部都存在条状的马氏体孪生变体,并呈现典型的自协作组态。利用SEAM独特的亚表面成像能力,结合Bitter粉纹法原位对比了马氏体变体与磁畴的相互关系,发现马氏体变体与磁畴具有良好的重合性。利用SEAM和MFM两种技术证明了这个结论。该结果对进一步理解磁畴和马氏体变体晶体畴的相互关系有重要意义。     

一种3-3连结的PZT/硅橡胶复合型发射声源

本文介绍了一种3-3连结的PZT/硅橡胶复合型宽带、窄脉冲及大开角波束发射声源。该声源的中心频率为200～500kHz,Q值为2左右,发送电压响应为148.7dB。它适合作水下宽带标准声源及超声检测领域的压电换能器。     

应用光声技术测定薄型材料导温系数的研究

本文报导了用光声技术测试和研究薄型试样导温系数的结果,建立了该方法的理论模型,介绍了实验装置和数据处理的方法。用本装置对三种标准和亚标准试样的测试结果表明,实测值和文献推荐值相当吻合。本文的基本理论和实验方法同样也适用于其它有机、无机等薄型材料。     

光声效应在研究铁电陶瓷相变中的应用

本文报导了用光声技术研究铁电陶瓷 Pb(Zr,Ti,Sn)O_3(PSZT),透明 PLZT 以及 Li_(1-x)Na_xNbO_3(LNN)的相变,清楚地揭示了这些陶瓷所呈现的不同相变特性以及相变点随组分的变化,与某些常规研究方法相比较,显示了在相变点附近,光声信号的幅度和相位的变化非常灵敏。并用热力学解释了实验结果。     

逆压电效应的压电常数和压电陶瓷微位移驱动器

本文介绍了由过压电效应的应变-电场曲线测得弱场和强场下的压电常数d_33、d_31．测量发现S～E曲线上呈现应变和压电系数突增的阈值场强E_b，用铁电陶瓷固有的90°畴转向对应变的贡献进行了分析和讨论．该方法与以往常用的正压电效应的压电常数测试相比，方便、简单，尤其对过压电效应的压电微位移驱动器应用更具有实际意义．     

ZnO薄膜的激光光声效应

本文分析了ZnO薄膜的光声效应,推导了在一维条件下光声信号与压电系数、介电系数、热导、比热、调制频率之间的关系。实验表明光声信号的幅度和调制频率、入射光功率之间的理论分析吻合较好。同时还计算了ZnO薄膜的压电系数e_(33)=0.817e/m~2,e_(31)=-0.43e/m~2。     

半导和非半导性BaTiO_3陶瓷电声像衬度来源的差异

利用ＳＥＡＭ技术对半导和非半导性的ＢａＴｉＯ３陶瓷材料进行了电声成像观察研究．在半导性的这种材料电声成像中，由于掺杂的作用削弱和屏蔽了样品本身电学性能参数变化对电声像衬度的贡献，使得热波耦合机制起到主要作用；在非半导性的这种材料电声成像中，其电学性能参数的变化决定了电声像衬度的不同．     

锰对改善 CaBi4Ti4O15高温压电陶瓷性能的研究

采用固相法制备了Mn改性的CaBi4Ti4O15(CBT xmol%MnCO3)层状压电陶瓷.介电温谱显示所有样品居里点在780℃附近,并且发现该材料在110K处有一介电弛豫峰.Mn的加入显著降低了高温下的介电损耗,剩余极化轻微降低,室温介电常数从173减小到162,同时机械品质因子由2700增加到4400,显示了硬性掺杂的效果.在100～600℃范围内,x=1.0的样品比纯组分的电阻率提高了一个数量级以上,500℃的电阻率提高了约2个数量级(108Ω·cm),电阻率对温度的Arrhenius拟合由两段过渡到三段,压电系数d33由7提高到14.5.实验结果表明,Mn改性的CBT在高温传感器等领域具有应用前景.     

锰掺杂CBT压电陶瓷的交流阻抗谱研究

通过固相反应法制备了锰掺杂的CaBi4Ti4O15陶瓷,掺杂量x(MnCO3)从0到3.0%。添加锰以后,材料的直流电阻率先升高,再降低。通过交流阻抗谱分析,得到了各组分晶粒、晶界对电导的贡献。发现在少量掺杂时,锰原子同时进入晶粒及晶界,并改善高温下的导电性能。掺杂量为1.0%时,直流电阻率最大。但当x(MnCO3)大于3.0%时,锰原子开始富集于晶界,使材料性能恶化。     

铁电材料的纳米尺度压电响应力显微术研究进展

压电响应力显微术是在原子力显微镜的基础上，利用材料自身逆压电效应来探测样品表面形变的一类技术总称．现已作为铁电材料研究的重要手段，应用于纳米尺度畴结构的三维成像、畴结构的动态研究、畴结构控制和微区压电、铁电、漏电等物理性能表征等领域．本文就近年来利用压电响应力显微术对铁电材料的研究方面作一综述．