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采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)基底上制备了有效氧化层厚度为8.6nm,介电常数为29.3的HfO2薄膜.借助C射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电镜(HRTEM)分析了样品的微观结构,对电容的C-V与I-V电学特性进行了测试。实验结果表明,该方法制得的HfO2薄膜表面光滑,N2500℃下退火30mm后样品表面粗糙度由0.203nm变为0.498nm,薄膜由非晶转变为简单正交结构,界面层得到有效控制,该栅介质电容具有良好的C-V特性,较低的漏电流密度(4.3×10^-7A/cm^2,@-1V),是SiO2栅介质的理想替代物. 相似文献
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水系可充电锌/二氧化锰电池因其成本低廉、能量密度高而引起了广泛关注.然而,缓慢的反应动力学和MnO2阴极的歧化反应以及不可逆的相变现象对其发展造成了严重阻碍.在此,我们选用了Mo掺杂α-MnO2 (MoMnO2)作为阴极材料,通过铵根离子插层机制所形成的N-H…O强键合作用来稳定Mo-MnO2的2×2隧道结构,并且有效抑制了Mn3+溶解,在质子插入/脱出过程中不会引起晶格的畸变,进一步提高了其循环稳定性.获得的Mo-MnO2正极在100 mA g-1时表现出265.2 mA h g-1的高比容量和364.3 W h kg-1的能量密度.在2.0 A g-1下1000次循环后,容量保持率达95.2%.这项工作有助于深入了解非金属阳离子在电极主体材料间的键合作用,为设计具有高能量密度和长期循环能力的水系锌离子电池提供了新思路. 相似文献
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通过引入Cu元素掺杂,利用多元醇还原法在340℃条件下一步制备出L10相(FePt)1-xCux纳米颗粒。实验研究了不同比例Cu掺杂对FePt颗粒形貌、结构及磁性能的影响。X射线衍射结果表明,在未掺杂Cu元素时,FePt颗粒为fcc结构。随着Cu元素的引入,样品逐渐呈现出fct结构的衍射峰,同时出现单质Cu的衍射峰。透射电子显微镜显示Cu掺杂导致制备的纳米颗粒有所长大、颗粒的尺寸分布变宽。磁性测量结果表明,当反应前驱体中Cu的比例为25.9%时,其矫顽力达到约1300Oe。研究显示Cu掺杂对于FePt颗粒在低温下的相变具有一定促进作用。 相似文献
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通过引入Cu元素掺杂,利用多元醇还原法在340℃条件下一步制备出L1。相(FePt)1xCux纳米颗粒。实验研究了不同比例Cu掺杂对FePt颗粒形貌、结构及磁性能的影响。X射线衍射结果表明,在未掺杂Cu元素时,FePt颗粒为fcc结构。随着Cu元素的引入,样品逐渐呈现出fct结构的衍射峰,同时出现单质Cu的衍射峰。透射电子显微镜显示Cu掺杂导致制备的纳米颗粒有所长大、颗粒的尺寸分布变宽。磁性测量结果表明,当反应前驱体中Cu的比例为25.9%时,其矫顽力达到约1300Oe。研究显示Cu掺杂对于FePt颗粒在低温下的相变具有一定促进作用。 相似文献
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本文采用反应磁控溅射的方法在玻璃基片上制备TiO2及SiO2/TiO2多层膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、接触角测定等分析方法对试样进行表征。研究了不同制备工艺对薄膜亲水性能的影响,初步讨论了SiO2/TiO2多层膜的超亲水性机理。结果表明这种多层膜结构,其底层SiO2作用在于阻止玻璃中的钠离子在溅射过程中向薄膜中的扩散,适当厚度的顶层SiO2,一方面利用到了SiO2本身的亲水性,同时也利用到了TiO2薄膜的光致亲水性。因此在制备TiO2超亲水性薄膜的时候,考虑制备SiO2底层和顶层对于亲水性效果有明显的改善作用。 相似文献
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采用直流及射频磁控溅射结合真空退火的方法成功制备了(001)择优生长的FcPt/B4C多层薄膜并对其结构与磁性能做了初步的表征.结果表明,在每一个FbPt单元层中能得到较好(001)面择优的fet相FbPt合金,并且随着B4C含量的增大,薄膜的有序度提高.高分辨透射电子显微镜及其傅立叶变换表明,FePt层为具有(001)织构的fct相Fe55Pt45合金.样品的M-H曲线显示其垂直膜面方向矫顽力约为302.481kA/m;平行膜面方向矫顽力很小. 相似文献
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Co-ZnO稀磁半导体纳米棒的水热合成研究 总被引:3,自引:0,他引:3
文章利用水热反应法制备出单晶结构的Co掺杂ZnO纳米棒,并对其形貌和结构进行表征。透射电子显微镜(TEM)结果表明,首先制备得到的纳米ZnO颗粒粒径分布窄,尺寸在50nm左右;用其作为生长Co-ZnO纳米棒的核而进一步反应得到的产物结晶完整,棒直径在40.70nm范围内,棒长一般在0.5μm左右,纳米棒沿着[001]方向生长。同时对反应中ZnO核以及PEG对纳米棒生长的影响进行了讨论。 相似文献
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