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Gigabit以太网多模光纤的发展 总被引:2,自引:0,他引:2
随着信息时代的发展,人们对数据传输的需求越来越大,同时对于系统的带宽要求也越来越高。在局域网(LAN)领域,相似的情况也存在。纵观以太网在90年代的发展,从低速以太网(10Mbit/s)、高速以太网(100Mbit/s),到1998通过的Gbit/s以太网标准IEEE802.3z以及计划将在今年通过的10Gbit/s以太网标准IEEE802.3ae,其发展的速度是惊人的。 相似文献
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1前言 随着信息时代的到来,社会对于信息的需求越来越大,同时对于系统的带宽要求也越来越高.在局域网(LAN)领域也存在相似的情况,纵观以太网在90年代的发展,从低速(10 Mbit/s)到高速(100 Mbit/s)以太网,到1998通过的吉比特以太网标准IEEE 802.3z,以及计划将在今年通过的10吉比特以太网标准IEEE 802.3ae,其发展速度是惊人的.作为系统传输的重要媒介,光纤的性能也同样要求不断地提高.本文主要介绍一种针对吉比特以太网标准开发的新一代多模光纤--HiBand多模光纤的性能及其研发过程. 相似文献
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使用大功率CO2激光原位直接反应合成TiN /Ti 复合材料, 分析了材料的微观结构、物相组成、成分及显微硬度分布。结果发现: 氮化层是富钛结构的, 由TiN 相和α-Ti 构成, TiN 以枝晶形式在氮化层均匀分布。材料横截面显微硬度连续变化。氮化层的氮化程度随激光作用时间的增加而增加, 辐照的激光能量密度越高, 氮化层的厚度越大。激光功率密度, 激光扫描速度, 氮气喷射压强分别为3. 35×105W·cm-2, 300mm·min-1, 0.35M Pa 时, 材料表面硬度值达到Hv1600, 氮化层的厚度有350Lm。 相似文献
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TiAl合金的激光气相氮化 总被引:3,自引:0,他引:3
使用激光气相合金化方法,氮气气氛下在铝钛合金表面进行氮化处理。结果发现:氮化层由TiN和TiAl相构成,TiN以枝晶形式在氮化层均匀分布。材料横截面显微硬度连续变化。氮化程度随作用时间的增加而增加,辐照的激光能量密度越高,氮化层的厚度越大。当激光功率密度、扫描速度、氮气喷射压强分别为3.35×105W·cm-2,300mm·min-1,0.35MPa时,表面显微硬度为HV700,氮化层的厚度达到200μm。比较表明,相同条件时,铝钛合金的氮化程度和氮化层厚度均小于金属钛。 相似文献
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等离子体辅助反应式脉冲激光熔蚀制备AlN薄膜的低温生长 总被引:1,自引:0,他引:1
使用等离子体辅助反应式脉冲激光溅射沉积薄膜的方法在Si(111)和Si(100)基片上已经成功地低温制备出AlN多晶膜。实验表明,当脉冲能量密度DE=1.0J·cm-2,脉冲频率f=5Hz,氮气气压PN2=1.33×104Pa,基底温度tsub=200℃,放电电压V=650V,基靶距离dS-T=4cm时薄膜的生长速度等于6nm/min。AlN薄膜的折射率为2.05,和基底的取向关系分别为:AlN(110)∥Si(111)和AlN(100)∥Si(100)。 相似文献
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等离子体辅助反应式脉冲激光熔蚀制备AIN薄膜的低温生长 总被引:3,自引:0,他引:3
使用等离子体辅助反应式脉冲激光溅射沉积薄膜的方法在Si(111)和Si(100)基片上已经成功地低温制备出AIN多晶膜。实验表明,当脉冲能量密度DE=1.0J·cm^-2,脉冲频率f=5Hz,氮气气压PN2=1.33×10^4Pa,基底温度tsub=200℃,放电电压V=650,基靶距离ds-T=4cm时薄膜的生长速度等于6nm/min。AIN薄膜的折射率为2.05,和基底的取向关系分别为:AIN 相似文献