低共熔溶剂在镁合金腐蚀防护中的应用

介绍了低共熔溶剂的性质及特点,综述了低共熔溶剂的国内外最新研究成果,特别是氯化胆碱基低共熔溶剂在镁合金腐蚀防护的应用,分析了镁合金在低共熔溶剂中进行表面处理的可行性。概述了在含氯化胆碱的低共熔溶剂介质中,通过热场、声场、电场以及DES液膜法调控开展镁合金表面化学转化膜的制备、耐蚀机理及反应介质的作用研究,同时将低共熔溶剂与疏水性仿生膜结合,设计出镁合金表面自愈合超疏水涂层。利用低共熔溶剂制备的转化膜的耐蚀性均明显高于镁合金基体,其腐蚀电流密度明显下降。最后对镁合金腐蚀防护的研究现状和方向进行了展望,希望对解决镁合金腐蚀起到一定的指导意义。     

Ni－18Cr－3．5Al合金在Cl_2－H_2O环境中的高温腐蚀

研究了Ｎｉ－１８Ｃｒ－３．５Ａｌ合金在５６５℃Ｃｌ２－Ｈ２Ｏ混合气氛中的腐蚀行为，并用ＸＰＳ分析了腐蚀产物膜的结构。在高温Ｃｌ２－Ｈ２Ｏ环境中的腐蚀由Ｃｌ２、ＨＣｌ造成的氯化过程和Ｏ２、Ｈ２Ｏ等造成的氧化过程共同引起。在高温Ｃｌ２环境中低含量Ｈ２Ｏ加速腐蚀过程，而高含量Ｈ２Ｏ延缓腐蚀过程。     

正极添加CNTs对MH /Ni电池高倍率性能的影响

对正极中添加多壁碳纳米管(CNTs)的MH／Ni电池的高倍率放电性能进行了研究。结果表明：正极中添加少量CNTs的Ni／MH电池具有优异的高倍率放电性能。利用正极中添加少量CNTs制成的标准AA型电池的内阻在14mΩ左右；在高倍率放电条件下电池有更高的放电平台，3C放电中值电压在1．167V左右，5C放电中值电压在1．108V左右；电池循环容量保持率也高于正极中不加CNTs的电池。随着循环次数的增加，正极中添加少量CNTs的电池内阻升高幅度较小。     

Mn对Fe_3Al合金室温力学性能的影响

Ｍｎ对Ｆｅ_３Ａｌ合金室温力学性能的影响楼白杨，刘茂森，毛志远，涂江平，肖延龄，钟映宏（浙江大学）Ｆｅ３Ａｌ金属间化合物具有抗氧化耐腐蚀性良、比强度高和成本低等特点［１，２］，从而具有可观的工程应用前景。对这种材料目前国内研究的热点之一是改善其室温塑?..     

含无机类富勒烯(IF)过渡族金属硫化物纳米复合涂层的环境摩擦磨损特性

采用固-气相反应、反应沉淀和溶剂热诱导法实现了IF-MoS2、IF-WS2纳米粉体的宏观量制备.分别用化学共沉积方法在硬铝基体上制备Ni-P-(IF-WS2)复合镀层,磁控溅射和激光溅射技术在硬铝合金和钛合金基体上制各(Ni,Mo)/IF-(Mo,W)S2梯度纳米复合涂层和IF-(Mo,W)S2/(Ni,Mo)-IF-(Mo,W)S2多层纳米复合涂层.用划痕仪、球-盘式摩擦仪评估纳米涂层的结合力及其在真空(10-2 Pa)和大气中的摩擦磨损性能.Ni-P-(IF-MoS2)化学复合镀层的硬度、摩擦因数和磨损率明显低于Ni-P化学镀层.梯度和多层复合结构有利于涂层与合金基体结合力的提高.(Ni,Mo)/IF-(Mo,W)S2纳米梯度复合涂层和(Ni,Mo)-IF-(Mo,W)S2/IF-(Mo,W)S2纳米多层复合涂层在不同环境下都有低的摩擦因数和磨损率.含无机类富勒烯(IF-)WS2或MoS2的纳米复合涂层具有优良的环境稳定性.     

氧化铝模板法制备Ge纳米线

采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出 Ge纳米线 .在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂 ,合成了 Ge纳米线 .采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对 Ge纳米线进行了分析 .Ge纳米线的直径约为 30 nm,长度超过 6 0 0 nm.对 Ge纳米线的生长机理进行了探讨 .     

氧化铝模板法制备Ge纳米线

采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出Ge纳米线.在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂,合成了Ge纳米线.采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对Ge纳米线进行了分析.Ge纳米线的直径约为30nm,长度超过600nm.对Ge纳米线的生长机理进行了探讨.     

不同温度热硫化纯Fe膜制备FeS2薄膜的研究

研究了在硫化压力为８０ｋＰａ、等温２０ｈ条件下，硫化温度对磁控溅射制备的纯Ｆｅ膜反应形成ＦｅＳ２多晶薄膜的影响。结果表明，在４００￣６００℃范围内，薄膜中反应生成ＦｅＳ２过程比较充分，尤其在４００℃硫化时，可以获得接近理想化学计量成分的、具有细小均匀组织形态的ＦｅＳ２薄膜。当温度超过４００℃后，ＦｅＳ２晶粒尺寸明显增大，但亚晶尺寸保持恒定。     

金属在高温氯气环境中的腐蚀

叙述了金属在高温氯气环境中的腐蚀行为,展望了抗高温氯气腐蚀材料的发展动向。