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1.
稀土氧化物掺杂对SnO2基气体传感器材料性能的影响   总被引:8,自引:0,他引:8  
采用化学共沉淀法制备Y2O3、ZrO2,Er2O3和Sb2O2基气体传感器。结果表明掺杂后的材料经煅烧后,平均晶粒尺寸均小于30nm,比未经掺杂的材料小,中掺杂体系不同成分材料制备成厚膜传感器,进行了对CO气体敏感度性能测试,发现掺杂稀土氧化物的气体敏感度较纯SnO2厚膜传感器高。其中掺杂Er2O3材料性能最好。  相似文献   
2.
本文综述了我们对于铌酸钡钠晶体中公度错的实验的观测结果,包括对于公度错图像的鉴定,公度错成核与增殖的实地观察,公度错与公度-非公度相变的关系等并对其可能的理论意义作一简单的探讨。  相似文献   
3.
纳米晶SnO2粉末的制备   总被引:23,自引:0,他引:23  
采用常规溶液化学沉淀法,通过仔细控制沉淀速率以类独石状Sn(OH)4沉积物。采用两种不同的煅烧工艺制备SnO2粉,即:常规的将沉淀物磨成粉末后煅烧和将灰独石状沉淀物直接煅烧。选取450、600,750。900和1050℃个温度条件,保温2h煅烧。结果表明直接煅烧法得到的SnO2粉末的晶粒平均尺度较常规煅烧工艺得到的SnO2粉末(12 ̄50nm)小,从晶化动力学角度对该现象给予了解释。  相似文献   
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