莫来石陶瓷的制备及其微波介电性能研究

用SiO2溶胶和Al2O3溶胶以及分析纯SiO2和Al2O3粉末，采用热压烧结法制备了莫来石陶瓷。研究了莫来石陶瓷的微波介电特性与烧结致密度、烧结助剂MgO以及测试频率之间的关系。结果表明，烧结条件对莫来石陶瓷致密度和介电常数有很大影响，其中以热压温度对莫来石陶瓷烧结致密度和复介电常数的影响最大。烧结条件不同时，可以得到一系列具有不同复介电常数的莫来石陶瓷。添加烧结助剂MgO后，莫来石陶瓷复介电常数的实部和虚部均有所升高。在8～12GHz频率范围内，莫来石陶瓷的复介电常数没有表现出明显的频散效应。     

Si/C/N纳米粉体的吸波特性研究

采用ＸＲＤ研究了氮原子百分含量为１１．６１%的Ｓｉ/Ｃ/Ｎ纳米粉体的相组成,并测定了粉体介电常数根据介电常数,分别优化设计了单层和双层的吸波徐层,设计的吸波涂层对８~１８ＧＨｚ范围的电磁波有较好的吸收作用．设计厚度为２．７ｍｍ的单层吸波涂层,在８~１５ＧＨｚ范围内反射率＜－５ｄＢ设计厚度为２．８ｍｍ的双层吸波涂层,在８~１８ＧＨｚ频率范围内电磁波的反射率均＜－５ｄＢ,反射率＜－８ｄＢ的频带为６ＧＨｚ．针对纳米粉体的吸波特性,提出了Ｓｉ/Ｃ/Ｎ纳米粉体的吸波机理．     

表面活性剂后处理对YAG∶Ce~(3+)荧光粉发光特性的影响

采用固相法制备YAG∶Ce3+黄色荧光粉,以油酸、聚乙二醇、十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠等表面活性剂作为后处理剂,考察其种类、浓度和性质等对荧光粉发光性能的影响,进一步对浸泡温度以及浸泡时间等工艺条件进行了对比研究,并通过荧光光谱和扫描电子显微镜等手段对处理前后YAG∶Ce3+荧光粉的发光性能、表面形貌和老化性能等方面进行了表征和分析。结果表明,YAG∶Ce3+荧光粉的最佳后处理工艺条件为:十二烷基硫酸钠较为理想,经2.4%十二烷基硫酸钠处理后,YAG∶Ce3+荧光粉的发光强度约提高8.4%,浸泡温度为50℃,浸泡时间为60 min。     

CVD法水蒸气条件下制备SiC块体

以三氯甲基硅烷（ＭＴＳ）为原料,在无水蒸气和有水蒸气加入的条件下采用化学气相沉积（ＣＶＤ）法制备出ＳiＣ块体材料,在９５０~1200℃的范围内,水蒸气水温２０~80℃时由Ａr鼓泡引入反应器中进行沉积,得到的产物基属β-SｉＣ,其中混有少量的二氧化硅。结果表明,无水蒸气时ＳiC的沉积速率随沉积速率湿度升高而略有升高,通过 入水蒸气后ＳiC的沉积速率有所提高,当水蒸气的引入温放为２０℃、沉积温度为１０５０℃时,沉积速率大达到０．９mm/h;随水蒸气引入量的增加,ＳiC的沉积速率呈降低趋势,同沉积反应的机理进行了初步分析。     

H3BO3对Zn2SiO4:Mn绿色荧光粉性能的影响

采用溶胶-凝胶法,通过选择合适的助熔剂、调整助熔剂添加比例等手段,制备了发光强度高、颗粒形貌良好的Zu2SiO4:Mn绿色荧光粉.结果表明:选择H3BO3作为助熔剂,经800℃预烧2h,900℃煅烧4h的二次煅烧,样品中形成了α-Zn2SiO4相,有效地控制了颗粒的形貌,并改善了发光性能.通过改变H3BO3的加入量,可控制颗粒形状和大小.光致发光测试表明:添加H3BO3作为助熔剂对Zu2SiO4:Mn的光谱未产生不利的影响,但添加助熔剂样品的发光强度较未添加助熔剂样品有很大的提高,且添加助熔剂样品的发光强度与商用荧光粉相当.     

界面对纳米SiC/LAS陶瓷复合材料微波介电性能的影响

利用激光诱导法制各的纳米SiC和LAS玻璃粉米，采用热压法制各纳米SiC／LAS陶瓷复合材料，研究了纳米SiC／LAS陶瓷复合材料微波介电性能与纳米SiC含量、烧结温度以及碳界面层的关系。结果表明，在1080℃以下烧结温度对陶瓷致密度的影响较大而对陶瓷复介电常数的影响较小；但在1080℃以上烧结温度对烧结致密度的影响较小，而对陶瓷复介电常数的影响较大，复合材料复介电常数的实测值与计算值之间存在很大的差异。通过计算和分析认为，复合材料制各过程中纳米尺度的SiC促进了碳界面层形成，使得烧结温度对复合材料复介电常数有很大影响。     

SiC(N)/LAS吸波材料吸波性能研究

研究了由SiC(N)纳米吸收剂制备的SiC(N)/LAS吸波材料的介电性能,对影响介电性能的吸收剂的含量、吸波材料烧结温度和碳界面层等因素进行了较为全面的研究。结果表明,在1080℃以下烧结温度对陶瓷致密度的影响较大而对陶瓷介电常数的影响较小;在1080℃以上烧结温度对烧结致密度的影响较小,对陶瓷介电常数的影响较大,吸波材料介电常数的实测值与计算值之间存在很大的差异,这种差异是吸波材料制备过程中纳米级的SiC(N)促进了碳界面层形成,导致了在较高温度烧结时吸波材料介电常数对温度的敏感性,使吸波材料介电常数的实测值与计算值之间出现了很大的差异,形成的碳界面层复介电常数的虚部较高,使吸波材料对电磁波的损耗进一步升高,从而使吸波材料的吸波性能得到增强。     

Sb~(3+)掺杂的YAG:Ce荧光粉的合成与发光性能研究

通过高温固相法制备了白光LED用Sb3+掺杂的Y1.94-yGdSbyAl5O12:0.06Ce荧光粉,使用荧光分光光度计研究了样品的发光性能,并采用紫外-可见-近红外光谱分析系统分析了所制荧光粉的封装性能。结果表明,Y1.94-yGdSbyAl5O12:0.06Ce荧光粉为立方晶系,其发射中心波长为550 nm,Sb3+掺杂有助于提高YAG:Ce的发光强度。将合成的Y1.92GdSb0.02Al5O12:0.06Ce(CL-Y-550)荧光粉封装成白光LED,其平均色温为5 376 K,属于冷白;平均显色指数为81.2,达到了基本的应用水平。     

Y2SiO5:Ce3+ particle growth during sol-gel preparation

The phosphor Y2SiO5:Ce3+ was prepared by a sol-gel method and the particle growth process was investigated by XRD, SEM and TEM. After heating at 400 °C, the as-dried gel became a powder composed of mixed phases of polycrystalline Y2O3 and amorphous SiO2. With an increase in temperature, the crystallinity of Y2O3 improved. The sample quickly changed to the pure Y2SiO5 phase when it was heated at 1400 °C for 10 min. SEM indicated that the as-dried gel consisted of large porous particles. At an annealing temperature of higher than 400 °C, the pores in the large particles gradually expanded and grains started to appear. Consequently, the large particles disintegrated into small particles. When the sample was heated at 1400 °C, we obtained fine phosphor particles (around 2 μm) with smooth surfaces. The optimized condition for the preparation of the Y2SiO5:Ce3+ phosphor was to heat at 1400 °C for 2 h.     

Si/C/N晶须的微波介电性能

研究了Si/C/N纳米晶须的制备、组成和微波介电性能。利用CVD法制备了化学组成一定的纳米Si/C/N晶须,XRD研究发现晶须的物相主要为β-SiC。热重分析表明该晶须在700℃以上开始氧化,具有较好的抗氧化性。测定了Si/C/N晶须的复介电常数与作用频率的关系,并计算了介电损耗角正切。依据介电性能数据,分别设计了单层和双层吸波材料,对所设计材料的吸波性能进行了计算。对Si/C/N纳米晶须的吸波机理进行了初步的探讨。