CVD金刚石膜研究进展和应用

评论国内外化学气相沉积的金刚石膜制备技术，核化和生长，性质表征、异质外延生长及其应用等方面研究的最新进展和应用前景。     

单层有机半导体微腔效应的研究

制作了ＤＢＲ／ＩＴＯ／ＰＰＶ／Ａ１微腔结构，研究了这种结构ＰＰＶ发光器件的光致发光和电致发光特性。实验结果表明，由简单地调节夹于两金属电极镜面之间的ＰＰＶ层厚度可实现微腔效应。     

半导体金刚石膜的磁阻效应

研究了在硅上Ｐ型异质外延金刚石膜的磁阻效应。实验结果表明金刚石膜有显著的磁阻反应，并与磁阻器件的结构有关。在室温下圆盘形结构的磁阻相对变化在５Ｔ磁场下约为０．８５，而长条形结构只有０．４０。     

在Al/a—Si:H/C—Si薄膜系统中金属原子与无定形硅互作用的分析研究

非晶态半导体材料不仅是一种优质的太阳能电池材料,而且是一种很好的半导体器件表面钝化膜材料。用半绝缘性的a-Si:H膜代替Si0_2膜做硅表面钝化膜,能很好的屏蔽外电场和钝化层表面积累的电荷所产生的电场;能有效的阻挡金属钠离子移动。所以可以用来做成MIS,MISS等器件。然而,半缘绝性非晶硅薄膜和其它介质膜一样,与金属有互作用现象。严重时,能引起器件退化。本文就此互作用现象,对Al/a-Si:H/C-Si薄膜系统进行了AES及SEM实验分析,并提出了一些防止的措施。     

碳纳米管电极上的电化学行为分析

用化学方法对碳纳米管进行表面处理 ,用红外谱对处理后的碳纳米管进行表征 ,处理后的碳纳米管表面出现了活性功能团羧基。用这些碳纳米管制成电极 ,对Cd离子在硫酸钠中的电化学行为进行了分析。结果表明 ,从碳纳米管电极上可以观察到很好的、准可逆循环伏安图 ;在扫描速度为 10 0mV·s- 1时 ,氧化还原峰电位分别出现在 - 0 .6 5V和 - 0 .95V对照饱和甘汞电极(SCE)。峰电流与扫描速度的平方根成良好的线性关系 ,说明反应过程是由镉离子的扩散控制的。由循环伏安图相关的电位与扫描速度关系 ,我们导出了电子转移动力学速度参数。由于碳纳米管电极有很好的电化学活性和可重复性 ,它可以成为一种新型的分析电极材料     

多壁碳纳米管流体速度传感器的实验研究

理论与实验研究发现碳纳米管在流体中存在一种电子拖曳现象，据此原理进行了多壁碳纳米管流体速度传感器的实验研究。实验中所用的碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法制备的。实验结果表明流动液体在多壁碳纳米管中诱导出的电流随流体速度的增加而增加，并与液体中离子浓度和温度密切相关。在室温下，当流体速度从0增加到10^-1m／s时，电流从0增加到51μA。碳纳米管中这种效应可作为一种新型的流体速度传感器。并对所得的结果进行了讨论。     

碳纳米管电极上的电化学行为分析

用化学方法对碳纳米管进行表面处理,用红外谱对处理后的碳纳米管进行表征,处理后的碳纳米管表面出现了活性功能团羧基.用这些碳纳米管制成电极,对Cd离子在硫酸钠中的电化学行为进行了分析.结果表明,从碳纳米管电极上可以观察到很好的、准可逆循环伏安图;在扫描速度为100 mV*s-1时,氧化还原峰电位分别出现在-0.65 V和 -0.95 V 对照饱和甘汞电极(SCE).峰电流与扫描速度的平方根成良好的线性关系,说明反应过程是由镉离子的扩散控制的.由循环伏安图相关的电位与扫描速度关系,我们导出了电子转移动力学速度参数.由于碳纳米管电极有很好的电化学活性和可重复性,它可以成为一种新型的分析电极材料.     

一种高稳定性扫描隧道显微镜的设计与应用

报道自行研制的一种隔振能力强、能在大气和液体中工作的高稳定性扫描隧道显微镜。它通过一个多级齿轮减速器和一个杠杆机构实现并完成探针粗进给到达压电陶瓷管的扫描和平移范围的运动。介绍了电子控制系统的组成，讨论了热漂移及其抑制方法，给出了该仪器在高序定向热裂解石墨(HOPG)、猪脾DNA分子、奥氏体晶界的观测以及石墨表面纳米级加工等方面的应用与研究结果。     

退火处理对CdIn2O4薄膜光电特性的影响及温差电动势的研究

研究了直流磁控反应溅射制备三元化合物CdIn2O4薄膜(简称CIO膜)的光电性质和温差电动势,及其反应气体中氧浓度和退火处理对CIO膜性质的影响.结果表明CIO膜在可见光区有良好的导电性和透光性,退火处理明显提高了膜的透光率和载流子浓度,这一影响对CIO的广泛应用具有重要的意义.     

退火处理对纳米ZnO膜结构及气敏特性的影响

用X射线衍射和透射电镜表征了直接沉淀法制得的纳米ZnO粉体的晶型、晶格常数、粒径及形貌等.研究了退火对纳米ZnO粉体制成的膜气敏性质和微结构的影响.结果表明低温退火可以改善ZnO膜的微结构和气敏效应的稳定性.