三元体系化学水浴法制备ZnS薄膜结晶性能的研究

太阳薄膜电池ZnS缓冲层一般以氨水为主络合剂、水合肼为辅助络合剂二元络合体系化学水浴法制备。实验发现以氨水为主络合剂、水合肼和柠檬酸为辅助络合荆三元体系制备的ZnS薄膜质量明显要比氨水、水合肼二元体系的ZnS薄膜好。薄膜表面更加光亮、平整，光透过率能得到明显提高。从实验现象和测试结果来看，随柠檬酸浓度增加，在反应溶液中无定形态白色沉淀明显减少，ZnS薄膜结晶性能也得到明显提高，ZnS薄膜光透过率升高。柠檬酸浓度为0．15mol／L时，薄膜光透过率达到85％左右，完全满足太阳能电池的要求；继续增加柠檬酸的量，薄膜光透过率趋于一致，光透过率略有回落。     

CIGS基ZnS薄膜制备技术的研究

综述ZnS薄膜制备技术的特点.ZnS薄膜材料具有工艺容易控制、成本低等特点,极具市场发展潜力,尤其作为高阻层在CIGS太阳能电池的应用,有望替代传统使用的CdS膜.     

PTCR陶瓷半导化微观机理的初探

从缺陷形成和掺杂内部微观机制着手,分析PTCR陶瓷材料的半导化。     

化学水浴法制备ZnS薄膜光学性能

利用薄膜分析系统测量不同沉积时间制备的ZnS薄膜透射谱,通过分析薄膜透射谱,来确定ZnS薄膜光学常数和禁带宽度.实验结果表明,在线性生长阶段,薄膜的沉积速率大约为1 nm/min,具有很好的线性关系,沉积0.5 h的ZnS薄膜在可见光范围内光透过率为82%左右.     

PECVD法制备的ZnO薄膜结晶性能的影响

报道了在等离子体作用下,以CO2/H2为氧源,Zn(C2H5)2为锌源,N2为载气,在Si(111)衬底上采用自行设计等离子体化学气相沉积(PECVD)装置来生长的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射扫描电镜分别对不同衬底温度生长的薄膜样品进行了组成、表面和横截面的形貌表征,并且测试了薄膜的PL谱。研究结果表明,衬底温度直接影响薄膜的结晶质量。随衬底温度的升高,ZnO薄膜的结晶取向性开始增强,晶粒尺寸增大。在衬底温度约为450℃时,生长的ZnO薄膜有很强的择优取向性。     

电冰箱整机塑料件抗环境应力开裂试验方法及分析

目前电冰箱行业竞争已白热化，洋品牌的综合市场占有率在逐步上升，技术创新和产品质量已成为企业赢得用户的最终法宝。国内家电企业基本都是引进国外生产技术在最近十几年的时间成长、发展起来的，普遍存在技术研究比较欠缺，试验方法和手段比较缺乏，加之国内的家电企业塑料件等的配套供应商技术力量较弱，这些因素直接影响到我国家电企业的产品质量，最终导致竞争后劲不足。国产品牌甚至包括国外品牌的电冰箱塑料件开裂现象时有发生，有的甚至导致区域性大面积市场丢失、新产品一年不到在市场上就早早夭折。因此，塑料件防开裂设计应成为…     

纳米抗菌技术在冰箱上的应用

●冰箱抗菌材料的组合与选择、制备工艺过程以及应用的主要零部件●应用在冰箱上的抗菌材料部件其检测及评价方法的介绍●对冰箱用抗菌材料及相关标准的探讨     

PECVD法制备硅基ZnO薄膜光学性能的研究

使用薄膜分析系统研究在不同衬底温度下生长的硅基ZnO薄膜反射谱,了解衬底温度对薄膜的结晶状况影响。研究结果表明,随衬底温度的升高,晶粒之间融合长大,薄膜的折射率增大;在衬底温度450℃时生长的ZnO薄膜,薄膜的折射率最大为4.2,反射谱的吸收边更接近380nm,在520nm处有一个弱的吸收峰,与ZnO薄膜的PL谱测试结果一致。再升高衬底温度,晶粒会出现异常长大,晶粒排布将受到影响,导致薄膜折射率下降。