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1.
采用溶胶凝胶(Sol-Gel)技术制备MgxNi1.0Mn2-xO(4x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)系列氧化物热敏纳米粉体,并经成型、烧结等工艺制得高稳定性的负温度系数热敏电阻,用热分析系统、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和HP34401型数字电压表分析MgxNi1.0Mn2-xO4氧化物热敏纳米粉体的热处理过程、相结构、晶粒形貌以及MgxNi1.0Mn2-xO4氧化物热敏电阻的电学性能,结果表明,经600℃热处理,得到单一尖晶石相结构的MgxNi1.0Mn2-xO4氧化物热敏纳米粉体,纳米粉体粒子的形状为多面体,粒径约为40nm,随着镁离子含量的增加,MgxNi1.0Mn2-xO4氧化物烧结体电阻值和材料常数增大,材料常数B≥3900,老化稳定性有很大提高。  相似文献   
2.
溶胶-凝胶法制备硼硅玻璃掺杂BST陶瓷的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了Si-B-O系玻璃掺杂对钛酸锶钡(BST)陶瓷的相结构和介电性能的影响.实验结果表明,当x(SiO_2)>10%时,Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷易出现杂相,即Ba_2TiSi_2O_8相.x(SiO_2)≤10%,Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷粉体的相结构为立方钙钛矿相结构,其合成温度大于等于600 ℃,不存在第二相. Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷的烧结温度低于传统工艺.Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷的显微结构呈细晶结构(晶粒尺寸<1 μm).随玻璃含量的增加,Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷介电常数ε降低,介电峰变低,平坦,峰形宽化,介电损耗降低,居里温度TC向低温移动.  相似文献   
3.
采用加入硅硼玻璃相的溶胶-凝胶(Sol-Gol)技术,以无机物为原料,在低温下成功制备了Pt/Ti/SiO2/Si衬底上Bi3.15La0.75Ti3O12(BLT)铁电薄膜.XRD、AFM分析及电学性能的测i式结果表明,600~650℃退火处理的加入硅硼玻璃相BLT铁电薄膜具有单一的层状钙钛矿结构;薄膜表面平整无裂纹、致密,薄膜为多晶生长;其剩余极化强度(2Pr)为27.09 μC/cm2,矫顽场E约为53.1 kV/cm;室温下,在测试频率为1 MHz,经1.0×1011极化反转后,剩余极化值下降约10%,具有良好的抗疲劳特性;薄膜的漏电流密度低于9×10-10 A/cm2.玻璃相提高了薄膜的致密度和抗疲劳特性,降低了薄膜的漏电流密度,对剩余极化强度影响有限.  相似文献   
4.
固相配位化学反应法合成ZnO纳米粉体   总被引:21,自引:0,他引:21  
王疆瑛  贾殿赠 《功能材料》1998,29(6):598-599,603
采用固相配位化学反应法制备ZnO的纳米粉体,并通过差热分析,热失重和红外光谱分析ZnO纳米粉体的合成过程。用X射线衍射和透射电子显微镜表征ZnO纳米粉体的全,形貌及大小。研究结果表明:400℃,热分解2h,可得到平均晶粒尺寸约为10nm的ZnO纳米粉体,其相结合为闪锌矿结构。同时发现随着热分解温度的增加,晶粒尺寸缓慢长大。粉体粒子的团聚一肌为软团聚,很容易在超声波作用下分散开。  相似文献   
5.
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)技术制备MgxNi1.0Mn2-xO4(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)系列超细氧化物热敏粉体,并经成形,烧结等工艺制得性能优异的负温度系数热敏电阻。采用热分析系统、X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)和HP34401型数字电压表分析MgxNi1.0Mn2-xO4氧化物热敏粉体的热处理过程、烧结体的显微结构和电性能。结果表明:在700℃热处理,得到尖晶石结构的MgxNi1.0Mn2-xO4氧化物热敏超细粉体。在空气气氛下,1200℃烧结2h,得到尖晶石结构的MgxNi1.0Mn2-xO4氧化物烧结体,烧结体显微结构致密。随着镁离子含量的增加,MgxNi1.0Mn2-xO4氧化物烧结体电阻值和材料常数增大,材料常数B≥3900,老化稳定性有很大提高。  相似文献   
6.
钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3)陶瓷制备及其介电性能的研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
王疆瑛  李姚熹  张良莹 《功能材料》2004,35(2):212-213,217
采用乙酸钡、乙酸锶和钛酸丁酯为原料的溶胶凝胶方法制备了BaxSn1-xTiO3(x=0.6)超细粉体,将BST超细粉体压制成型,进行烧结,得到(Ba0.6Sr004)TiO3陶瓷。通过热分析(DSC/TG)、X射线衍射(XRD)分析(Ba0.6Sr0.4)TiO3粉体合成过程及其相结构变化。采用扫描电子显微镜(SEM)描述(Ba0.6Sr0.4)TiO3烧结体的相结构和显微组织结构变化。阻抗分析仪测量(Ba0.6Sr0.4)TiO3陶瓷的-50~100℃介电温谱。实验结果表明BaxSn1-xTiO3粉体的相结构为立方相钙钛矿结构,其合成温度及烧结温度分别为800℃及1250℃,均低于传统工艺的相应温度。(Ba0.6Sr0.4)TiO3陶瓷在-50~100℃温度范围内,其电容率随着烧结温度升高而增大.介电损耗tgδ在-50~100℃温度范围内,随温度的增加而降低。1250℃的(Ba0.6Sr0.4)TiO3陶瓷烧结体样品存在介电峰弥散化。  相似文献   
7.
Si-B-O系BST玻璃陶瓷制备及介电弥散研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
王疆瑛  姚熹  张良莹 《功能材料》2004,35(6):722-724
采用硝酸钡、硝酸锶、钛酸丁酯、正硅酸乙脂和硼酸三正丁脂为原料的溶胶凝胶方法制备了Si-B-O系BaxSr1-xTiO3玻璃陶瓷。通过差热分析(DTA)、热失重(TG)、X射线衍射(XRD)分析Si-B-O系BST玻璃陶瓷超细粉体合成过程及其相结构变化。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)描述Si-B-O系BST玻璃陶瓷烧结体的相结构和显微组织结构变化。阻抗分析仪测量Si-B-O系BST玻璃陶瓷的-50~100℃介电温谱。实验结果表明:Si-B-O系BST玻璃陶瓷粉体的相结构为立方钙钛矿相结构,其合成温度为700℃.不存在第二相。Si-B-O系BST玻璃陶瓷的烧结温度低于传统工艺。Si-B-O系BST玻璃陶瓷的显微结构呈细晶结构。Si-B-O系BST玻璃陶瓷的介电常数ε随着烧结温度升高而增大.介电损耗tgδ随测试温度的增加而降低。随着晶粒平均尺寸的减小.Si-B-O系BST玻璃陶瓷样品的介电峰变低.平坦.宽化.存在介电峰弥散化的现象。  相似文献   
8.
采用溶胶凝胶方法制备Zn-Si-B-O掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3玻璃陶瓷.研究Zn-Si-B-O玻璃组分从5%~50%(摩尔分数,下同)掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3玻璃陶瓷的相结构与介电性能.分析Zn-Si-B-O玻璃组分对Ba0.6 Sr0.4TiO3玻璃陶瓷结构及其介电性能的影响.结果表明:Zn-Si-B-O掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3玻璃陶瓷的烧结温度低于传统工艺.Zn-Si-B-O掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3玻璃陶瓷的相结构为立方钙钛矿相结构(≤40%),不存在第二相.Zn-Si-B-O掺杂Ba 0.6 Sr 0.4TiO3玻璃陶瓷的介电常数ε随着烧结温度升高而增大,介电损耗tanδ随测试温度的增加而降低.Zn-Si-B-O玻璃相聚集在晶粒边界区域,其作用稀释降低了玻璃陶瓷的介电常数,阻止晶粒生长,并降低了介电损耗tanδ.随着晶粒平均尺寸的减小,Zn-Si-B-O掺杂Ba 0.6Sr 0.4TiO3玻璃陶瓷样品的介电峰变低,平坦,宽化的现象.  相似文献   
9.
纳米粉体对NTC热敏电阻性能的影响   总被引:4,自引:2,他引:2  
用溶胶凝胶法制备金属氧化物纳米粉体,经等静压成型,高温成瓷制成NTC热敏元件,实验表明用这种材料做成的热敏元件的一致性大大提高,优于常规方法制作的热敏元件。  相似文献   
10.
采用加入硅硼玻璃相的溶胶-凝胶(Sol-Gol)技术,以无机物为原料,在低温下成功制备了Pt/Ti/SiO2/Si衬底上Bi3.15La0.75Ti3O12(BLT)铁电薄膜.XRD、AFM分析及电学性能的测i式结果表明,600~650℃退火处理的加入硅硼玻璃相BLT铁电薄膜具有单一的层状钙钛矿结构;薄膜表面平整无裂纹、致密,薄膜为多晶生长;其剩余极化强度(2Pr)为27.09 μC/cm2,矫顽场E约为53.1 kV/cm;室温下,在测试频率为1 MHz,经1.0×1011极化反转后,剩余极化值下降约10%,具有良好的抗疲劳特性;薄膜的漏电流密度低于9×10-10 A/cm2.玻璃相提高了薄膜的致密度和抗疲劳特性,降低了薄膜的漏电流密度,对剩余极化强度影响有限.  相似文献   
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