浅析土木工程施工中裂缝控制措施研究

在当前现代化的土木工程施工过程之中针对裂缝的处理相当关键,尤其混凝土施工裂缝不仅影响美观及后续工序作业,而且对结构安全有重大影响。相关建设法规也对裂缝控制有严格要求。而一般裂缝的成因比较复杂,从设计及混凝土生产、施工、养护等工序序列较长,需要详细专门研究裂缝原因并采用针对性方案以预防裂缝产生。因此在土木工程施工过程中,一方面需要很好的理解并审定相关设计要求及施工技术性原则。另一方面还应当结合施工的现状和施工的技术条件,对容易产生裂缝缺陷的关键工序、关键部位的工艺工法重点控制,创建标准化作业流程。     

基于萤火虫烯醇式氧化荧光素的一系列衍生物的结构和光学性质

通过密度泛函理论(DFT)MPW3PBE泛函,对甲基、甲氧基、氰基、氟原子、氨基、硝基取代的萤火虫生物发光底物烯醇式氧化荧光素进行了全优化。计算了他们的电离能(IP)、电子亲和势(EA)、空穴抽取能(HEP)、电子抽取能(EEP)、空穴和电子重组能(λ),评估了它们的空穴和电子传输能力。用含时密度泛函理论(TDDFT)MPW3PBE/6-31+G(d)方法计算了吸收光谱,优化了最低单重态S1,最终研究了它们的荧光光谱。理论计算结果表明,E-CN是具有双重功能的OLEDs材料的优良候选者,即可同时作为电子传输层和发光层材料。E-NO2、E-F和E-OCH3可以作为电子传输材料。而E-NH2可作为空穴传输材料。     

常温合成聚羧酸系减水剂的技术与应用性能

本文论述了国内常温合成工艺生产聚羧酸系减水剂的技术路线、技术特点和研究进展,对目前国内市场不断涌现的常温合成工艺所生产的聚羧酸系减水剂产品进行随机取样,将其与具有代表性的加热合成工艺所生产的聚羧酸系减水剂进行了GPC分子量测试及应用性能的对比试验。结果表明,常温合成工艺生产的聚羧酸系减水剂在分子量分布上略宽于加热合成的产品。在初始分散性方面,常温合成样品与加热合成产品处于同一技术水平,而在保坍性方面,前者与后者相比,仍有一定差距。因此尚需进一步的研究来解决该技术难题。     

电饼铛的原理与维修

华美YXD20-B型电饼铛是一款非常适用的炊事用具．在许多小吃店和家庭都能见到它。该型电饼铛可以上下同时加热、温度可在140℃至240℃范围内可调、并能自动恒温。由于该型产品随机未附电路图，为帮助读者维修，笔者根据实物绘出了电原理图（见附图）。     

负载氧化锌活性炭对苯的吸附性能及热力学研究

对微波活化处理废触媒制备的活性炭进行了微结构分析,发现活性炭具有孔隙发达,微孔贯穿性好的结构,孔隙中负载了少量的具有催化作用的氧化锌.采用光离子化气相色谱法测定了20℃、30℃和40℃活性炭对苯的吸附等温线,并用Langmuir方程进行了数据拟合,且适合于该方程.同时计算了平均吸附热(△H),吸附自由能(△G),吸附熵...     

浅谈SDH技术及应用

SDH作为新一代理想的传输体系,具有路由自动选择能力,上下电路方便,维护、控制、管理功能强,标准统一,便于传输更高速率的业务等优点,能很好地适应通信网飞速发展的需要。迄今,SDH得到了空前的应用与发展。在标准化方面,已建立和即将建立的一系列建议已基本上覆盖了SDH的方方面面。在干线网和长途网、中继网、接入网中它开始广泛应用。且在光纤通信、微波通信、卫星通信中也积极地开展研究与应用。本文对SDH技术及应用做以探讨。     

克拉玛依油田六中区洪积扇储层流动单元评价

对克拉玛依油田六中区克下组洪积扇砂砾岩储层进行流动单元评价研究,对该油藏的进一步开发具有重要的指导意义.通过对油井初期产能数据与储层参数相关性分析,优选存储系数、渗流系数为流动单元分类的参数,并采用模糊数学方法,将研究区流动单元分为Ⅰ类、Ⅱ类、Ⅲ类、Ⅳ类共4类流动单元.Ⅰ类流动单元储渗性能最好,极易形成水窜;Ⅱ类流动单...     

怕冷罪魁——电解电容

由于PN结的温度特性所决定，电子元件一般是怕热的，所以，电子设备或家电产品怕热的情况比较多，长时间工作容易出故障，这时候晶体管和集成电路往往是维修检查的重点。一般可以用酒精降温法检修。但在实践中，也发现机器有怕冷的情况，冷机很难启动或不能启动，要预热一段时间才能正常工作，这种情况往往是由电容常异引起的，而电解电容又常是罪魁之首。     

节能型超细研磨系统的研制

本文介绍了在非金属矿研磨系统中开发出的干法加工d97=1 250、2 500,6 250目等各种超细产品,具备通用性、高精度、大产量、节能等特点.     

由MC44608构成的开关电源分析与检修(下)

3.电源开/待机控制在正常收看状态下,IC101(TMPA8809)的輲訛輪脚(P.ON/OFF)输出低电平,使控制管Q006(NPN型管)截止→5V电压经R056加至Q833(NPN型管)b极,并使之导通→Q832b极为低电平→c极为高电平