催化剂晶体结构对碳纳米管生长影响的微观解释

通过对催化剂晶体结构的分析，讨论了温度对催化剂金属晶格结构的影响，温度对催化剂中碳的溶解度与扩散速度的影响；催化剂金属中其他元素的加入对碳活度的影响，以及析出能量、晶体界面等对碳纳米管生长的影响。温度在1000℃左右时，催化剂金属铁具有面心立方结构，碳管产量比在其它温度下高；催化剂金属中加入其他可提高碳原子活度的元素，可促使碳从催化剂金属中析出，有助于提高碳管的产量。     

碳纳米管中Stone—Wales缺陷的对称性效应

采用π电子紧束缚模型，结合实空间的格林函数方法计算了（10，10），（12，0），（10，7）缺陷碳纳米管的电导和态密度，分析了Stone-Wales缺陷的对称性效应．结果表明，Stone-Wale缺陷产生了2个具有确定宇称的准束缚态，电导中的波谷和局域态密度中的波峰都是由准束缚态产生的．     

显影液成分对漂白全息图衍射效率影响的实验研究

本文以天津Ⅰ型和科泰KT-A型全息干版为例,研究了显影液成分对漂白全息图衍射效率的影响。由此提出了分别适合于两种干版的处理方法。     

测试环境对碳纳米管场发射性能的影响

采用CVD法在Ni丝上直接沉积碳纳米管,并应用二极管结构对其场发射性能进行测试,测试结果表明:(1)碳管表面态对其场发射稳定性影响明显,运用密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA)对碳管表面吸附水分子前后电子能带结构和态密度作比较,发现吸附水分子后碳管功函数降低,费米能级处电子态密度增大,有利于增大碳管场发射电流;(2)高真空是获得碳管场发射稳定性一个必要条件;(3)荧光粉对碳管场发射电流也有一定贡献,但大的场发射电流情形下可忽略其影响。     

表面态对碳纳米管场发射的影响

采用CVD法在Ni丝上直接沉积碳纳米管,并应用二极管结构测试表面态(突出尖端和吸附)对碳纳米管场发射的影响。测试表明,突出尖端主要影响碳纳米管场发射的开启电场以及场发射电流稳定性;吸附作用的影响表现在改变碳纳米管能带结构进而改变其场发射性能。     

Si（100）上异质外延金刚石膜生长及其应用研究

利用负衬底偏压和发射电子增强核化的方法,通过微波等离子体和热灯丝CVD法在Si(100)上合成出了高度定向的异质外延金刚石膜。并利用冷离子注入和快速退火处理完成P型掺杂异质外延金刚石膜的制作,研制出高灵敏度的压阻和磁阻传感器件。试验结果表明,这些器件不仅具有高灵敏度,而且在高温、高辐射和强化学腐蚀的环境下仍能正常工作。     

机液同步装置的STD总线微机控制

以机液同步系统为对象，介绍由ＳＴＤ总线微型工业控制机和Ｚ８０Ａ单板机组成的主从式测控系统的控制方案和实时控制算法。     

机液同步装置的STD总线微机控制

本文以机液同步系统为对象，介绍了由ＳＴＤ总线微型工业控制机和Ｚ８０Ａ单板机组成的主从式测控系统的控制方案和实时控制算法。     

碳纳米管的电学性质

依据碳纳米管中电子-声子相互作用的原理,采用哈密顿量、量子化理论推导了二聚化对应能隙和相变温度,在紧束缚近似、量子理论和能带理论的基础上,利用周期性边界条件对碳纳米管Π电子进行了分析,讨论了碳纳米管的导电性,预测了室温下碳纳米管碳管中载流子输运方向.     

P型半导体金刚石膜的磁阻

研究了p-型异质外延和同质金刚石膜的在不同温度和磁场下的磁阻,磁阻器件的结构为条形和圆盘形,实验结果表明磁阻强烈依赖于磁场、温度和样品的几何形状,圆盘结构的磁阻大于条形结构,条形结构的磁阻还取决于不同的长-宽比。利用F-S薄膜理论,计算磁场为5T时条形和圆盘结构的磁阻分别为0.38和0.74,讨论了霍耳效应对磁阻的影响。给出了形状效应的可能机制。