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采用π电子紧束缚模型,结合实空间的格林函数方法计算了(10,10),(12,0),(10,7)缺陷碳纳米管的电导和态密度,分析了Stone-Wales缺陷的对称性效应.结果表明,Stone-Wale缺陷产生了2个具有确定宇称的准束缚态,电导中的波谷和局域态密度中的波峰都是由准束缚态产生的. 相似文献
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Si(100)上异质外延金刚石膜生长及其应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
王蜀霞 《稀有金属材料与工程》2001,30(6):440-443
利用负衬底偏压和发射电子增强核化的方法,通过微波等离子体和热灯丝CVD法在Si(100)上合成出了高度定向的异质外延金刚石膜。并利用冷离子注入和快速退火处理完成P型掺杂异质外延金刚石膜的制作,研制出高灵敏度的压阻和磁阻传感器件。试验结果表明,这些器件不仅具有高灵敏度,而且在高温、高辐射和强化学腐蚀的环境下仍能正常工作。 相似文献
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以机液同步系统为对象,介绍由STD总线微型工业控制机和Z80A单板机组成的主从式测控系统的控制方案和实时控制算法。 相似文献
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本文以机液同步系统为对象,介绍了由STD总线微型工业控制机和Z80A单板机组成的主从式测控系统的控制方案和实时控制算法。 相似文献
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研究了p-型异质外延和同质金刚石膜的在不同温度和磁场下的磁阻,磁阻器件的结构为条形和圆盘形,实验结果表明磁阻强烈依赖于磁场、温度和样品的几何形状,圆盘结构的磁阻大于条形结构,条形结构的磁阻还取决于不同的长-宽比。利用F-S薄膜理论,计算磁场为5T时条形和圆盘结构的磁阻分别为0.38和0.74,讨论了霍耳效应对磁阻的影响。给出了形状效应的可能机制。 相似文献
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利用热灯丝CVD法在硅衬底上合成出了金刚石膜。金刚石膜的质量和电子性质由扫描电子显微镜、拉曼谱、阴极发光及霍尔系数测量来表征。实验结果表明,沉积条件对金刚石膜电子性质和质量有重要影响。载流子迁移率随甲烷浓度增加而减少,但场发射随其增加而增强。压阻效应随微缺陷增多而降低。异质外延金刚石膜压阻因子在室温下100微形变时为1200,但含有大量缺陷的多晶金刚石膜压阻因子低于200,这是由于薄膜中缺陷态密度增加,并依赖于膜结构的变化。 相似文献