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采用湿化学共沉淀法,在TiO2颗粒表面包覆ATO制备ATO/TiO2复合粉体.研究了复合粉体的形态结构、ATO含量对ATO/TiO2复合粉体电阻率的影响,并对导电机理进行了讨论.研究结果表明,ATO以非晶态的形态靠范德华力与静电引力吸附在TiO2表面,ATO含量决定TiO2颗粒表面能否形成完整的导电网络基本框架.渗滤阈... 相似文献
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石墨颗粒表面化学镀铜研究 总被引:15,自引:2,他引:15
为了充分利用Cu的导电性能,碳石墨的润滑性能,改善Cu/C的润湿性,用化学镀铜的方法成功地对石墨颗粒表面进行镀覆,详细地研究了镀铜液组分及工艺与石墨颗粒表面镀铜层厚度、沉积速率的关系,并得出较好的组分工艺方案,采用优化工艺可以得到平均厚度约7.1μm的镀铜层。同时应用X射线、金相显微镜、扫描电镜及电子探针对镀铜层的厚度、表面形貌、镀铜层与基体的界面进行了全面观察。分析表明,Cu/C界面存在过渡层,界面成锯齿状,机械冶金结合的特征十分明显,改善了铜碳界面的相溶性。 相似文献
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王贵青 《武汉工程大学学报》2011,33(9):30-33
用湿化学法在TiO2颗粒表面包覆ATO制得ATO/TiO2复合导电粉;运用TG-DSC、XRD、XPS、SEM、和电导率测试等手段对ATO/TiO2导电粉进行了表征.结果表明:煅烧温度对SnO2的晶化程度、Sb的价态、ATO/TiO2导电粉的导电性产生影响.电导率-温度(lnσ-T)关系呈抛物线(100~900℃):上坡段(150~400℃),温度增加,无定形SnO2逐渐晶化,电导率增加,导电性上升,溶入SnO2的Sb3+→Sb5+转变,载流子浓度加大,包膜层多孔结构逐渐致密化;底部平台(400~600℃),SnO2晶化结束,Sb3+→Sb5+转变趋于完成,电子散射趋于最低,电导率最大,导电性达到最佳;下坡段(600~900℃),Sb3+→Sb5+转变发生逆转,TiO2基体颗粒长大,锐态型向金红石型转变,破坏包膜结构,电导率上升,导电性恶化. 相似文献
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采用化学共沉淀法,以SnCl4.5H2O和SbCl3为原料,成功地制备了5~20 nm左右、四方金红石Sb掺杂SnO2(ATO)微晶粉体。电阻率,XRD、XPS综合测试分析表明:Sb掺杂量、煅烧温度对Sb在SnO2晶粒中的分布、Sb价态的存在形式、电阻率的变化有较大的影响。掺杂到SnO2粉体中的Sb含量,不会改变SnO2的四方金红石结构,一部分Sb原子固溶到SnO2晶格中,剩余的Sb原子向SnO2粉体表面富集,并取代SnO2表面的Sn原子,形成Sb富集层,相当于一层"栅栏",阻碍心部Sb原子向表面扩散,抑止掺杂SnO2(ATO)晶粒的长大。 相似文献
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为了了解高职大学生自尊特点及其差异,为开展大学生心理健康教育提供依据,采用自尊量表,随机抽取云南省5所高职院校1513名大学生进行自尊特点现状调查。结果表明:云南省高职大学生的自尊水平总体较低;高职大学生的自尊水平有随年级的增长逐渐降低的趋势;男、女大学生自尊水平不存在显著差异。 相似文献
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SnO2线性聚合物溶胶液是掺杂SnO2功能膜Sol-Gel制备工艺的基础。本文以Sn(OBun)4为前驱体。AcacH为稳定剂,BunOH为溶剂,用Sol-Gel方法成功地合成出SnO2无机线线性聚合物,并对acacH稳定剂的作用机理、加水量的多少对SnO2溶胶稳定性的影响进行了研究。结果表明:Sn(OBun)4具有较高的水解活性,在H2O的亲核取代进攻下,迅速水解并快速团聚沉淀,必须通过稳定剂对Sn(OBun)4进行改性降低其活性才能制备出稳定的溶胶液。乙酰丙酮(acacH)通过与Sn(OBun)4形成六配位螯合中间体Sn(OBun)2(acac)2,降低原单体水解活性机理来稳定Sn(OBun)4单体。在一定acacH稳定下(如acacH比为2),过量的H2O加入会破坏其稳定作用,使溶胶液迅速水解,快速团聚沉淀;而加水量过少,Sn(OBun)2(acac)2改性单体水解困难,体系不能形成溶胶液。 相似文献