羧基氧化钌薄膜的热分解机理及其伏安性能

以RuCl3·3H3O异丙醇溶液为前驱体,采用原位分解法制备了超级电容器用羧基氧化钌薄膜.借助X射线光电子能谱仪、红外光谱仪、电化学分析仪和扫描电镜等手段,研究了薄膜的热分解机理及其电容性能和微观形貌.结果表明:随温度升高,RuCl3·3H3O异丙醇溶液经历了先复合再分解的物相演变的过程之后才生成羧基氧化钌薄膜.羧基对薄膜的性能有重要影响,薄膜经300℃保温2 h处理后比电容达728 F·g-1,1000次充放电循环后保持在99.47%,附着力达24.56 MPa.     

建材用碳纤维复合材料应用的新进展

本文综述了建材用碳纤维复合材料的新进展，主要介绍了碳纤维的发展及碳纤维复合材料建材的制备工艺及应用。     

热处理工艺对Cu-3.0Ni-0．52Si-0.15P合金组织和性能的影响

针对时效强化型高强导电弹性Cu-Ni-Si系合金,研究了热处理工艺和预冷变形对Cu-3.0Ni-0.52Si-0.15P合金硬度、抗拉强度、屈服强度和电导率的影响规律.结果表明,该合金的最佳固溶处理工艺为920℃×60 min,经80%预冷变形后再经450℃×0.5h时效,其综合性能达到最佳匹配,抗拉强度和屈服强度分别为850MPa和801 MPa,硬度为240HV,电导率为45%IACS.     

低温烧结型银浆料对半导体芯片贴装性能的影响

研究低温烧结型银／玻璃体系浆料的成分配比、制备工艺及其半导体芯片贴装烧结工艺，探讨浆料中银粉、玻璃粉和有机载体的成分对浆料烧结体的微观组织、热导率、线膨胀系数及芯片组装的剪切力之间的影响关系，利用理论模型计算浆料烧结体的热导率和线膨胀系数，分析其理论计算值与实测值差异的影响因素。结果表明：随着玻璃粉含量的增加，浆料烧结体的线膨胀系数及热导率逐渐降低，当银粉和玻璃粉的质量比为7：3，固体混合粉末与有机载体的质量比为8：2时，芯片贴装后可满足热导率和线膨胀系数性能的要求，同时所承受的剪切力最大。     

高硅铝合金几种常见制备方法及其细化机理

高硅铝合金根据制备方法的不同,其细化方法及原理也有所不同.主要综述了熔炼铸造、快速凝固粉末冶金和喷射沉积工艺制备高硅铝合金的方法及其细化机理.     

包覆轧制过共晶高硅铝合金材料的性能研究

针对应用广泛的过共晶高硅铝合金,采用熔炼铸造与包覆轧制相结合的方法,制备了Si含量＞26%的高硅铝合金材料,通过电子金相显微镜和扫描电镜对合金材料的微观组织进行了分析,并对材料进行了热膨胀系数、气密性及抗拉强度的测定.实验结果表明:包覆轧制可有效阻止脆性材料裂纹的扩展;在100～400℃,Si含量为28.49%的高硅铝合金材料在纵向的热膨胀系数的平均值为16.3×10-6,横向为16.2×10-6,气密性为0.9966×107,材料纵向的室温抗拉强度为135.610 MPa;Si含量为32.08%的材料,在100～400℃,纵向的热膨胀系数的平均值为1 5.9×106,横向为15.8×106,气密性为3.4×10,材料纵向的室温抗拉强度为93.96MPa.     

混合电容器多孔氧化钌阴极涂层的制备与表征

采用电沉积方法制备了混合电容器钽基多孔氧化钌阴极涂层材料,探讨了电沉积过程中电沉积液的pH值随电沉积时间的变化关系,研究了电沉积时间对氧化钌沉积质量的影响.用X射线衍射和扫描电镜分别表征了热处理前后的涂层结构及涂层的多孔形貌,用循环伏安法测量了涂层的电容,并研究了热处理温度对电容量大小及其稳定性的影响.结果表明:电沉积的氧化钌为非晶态,涂层为纳米多孔结构;热处理有利于涂层孔隙结构及大小的均匀性,不同温度的热处理使涂层具有不同的电容,经热处理后涂层的电容稳定;经100℃热处理1 h后的多孔氧化钌涂层具有最大的比电容.     

7475铝合金断裂韧性KIC的各向异性

采用标准紧凑拉伸试样测定了7475铝合金T-L和L-T向的平面应变断裂韧性KIC值。利用扫描电镜分析了断口形貌,对7475合金KIC各向异性的程度和机理进行了研究。结果表明:7475合金的断裂韧性具有明显的各向异性,T-L向的KIC约比L-T向低10MPa·m1/2或25%左右。同一取向上,KIC的大小与时效制度及加工工艺有关。     

四元扩散偶技术及其在相图研究中的应用（Ⅱ）Mo－Fe－Ni和Mo－Ni－Co三元系在1200℃时的相平衡

采用一个Ｍｏ－Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｏ四元扩散偶试样，测定了Ｍｏ－Ｆｅ－Ｎｉ和Ｍｏ－Ｎｉ－Ｃｏ在１２００℃时的两个三元系等温截面；并借助金相显微镜、扫描电镜能谱仪以及电子探针，确定了Ｍｏ－Ｆｅ－Ｎｉ三元系在１２００℃时三元合金中三元化合物Ｐ相的存在。该系统中存在ｂｃｃ（Ｍｏ）、μ－Ｆｅ７Ｍｏ６、δ－ＭｏＮｉ、ｂｃｃ（Ｆｅ）、ｆｃｃ和Ｐ六个单相区；在Ｍｏ－Ｎｉ－Ｃｏ三元系中存在ｂｃｃ（Ｍｏ）、δ－ＭｏＮｉ、μ－Ｃｏ７Ｍｏ６和ｆｃｃ四个单相区。     

Ag-Cu-In-Sn钎料加工工艺的研究

Ag-Cu-In-Sn系合金钎料,熔化温度在557～693℃之间,适合于电真空、半导体及微电子器件在真空或保护气氛中无钎剂中温钎焊.对In Sn含量为20%的Ag-Cu-In-Sn合金,采用强制大变形热挤压开坯的方式,得到了0.1 mm以下的薄带钎料.通过金相观察、SEM、XRD及拉伸力学试验对钎料的金相组织、相结构、熔化温度及力学性能进行了分析测试.结果表明:对In Sn含量为20%的Ag-Cu-In-Sn合金钎料,采用强制大变形热挤压开坯,可得到0.1 mm以下的薄带钎料,成材率达到60%以上;Ag-Cu-In-Sn合金主要由具有面心立方结构的富Ag的α相和具有复杂结构富Cu的β相,及少量的Cu41Sn11、Ag3 In、CuSn等中间相化合物组成;材料的抗拉强度高达495 MPa;材料的断裂机制为微孔聚集型断裂,微观组织中有明显的韧窝存在.