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研究了基于离子注入技术制备硅掺砷阻挡杂质带探测器的工艺,通过优化工艺条件和相关器件的结构与材料参数,制造了具有良好光电响应性能的长波红外探测器。在温度5 K,-3.8 V工作偏压下,探测器的峰值响应波长为23.8μm,黑体响应率为3.7 A/W,3.2 V时最大探测率为5.2×10~(13) cm·Hz~(1/2)/W。性能指标堪与文献报道的结果相媲美甚至更好,展示了离子注入工艺在制作阻挡杂质带探测器方面的潜在优势,特别是离子注入工艺与目前的微电子电路技术相兼容,能将探测器与读出电路集成到一块芯片上,在降低成本的同时提高探测器成像性能。 相似文献
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本文报道了ZrO2薄膜横断截面的透射电镜观察结果。ZrO2薄膜通过射频磁控溅射法制备,电镜观察表明,薄膜致密均匀,呈柱状晶生长,通过电子衍射和X光衍射实验确定。为面心立方多晶膜,此外,通过对高分辨电子显微象的观察与分析,对薄膜的形成机理进行了初步探讨。 相似文献
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溅射共沉积GaAs—SiO2复合薄膜的XPS研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用X射线光电子能谱(XPS)研究了由GaAs和SiO2组成的复合靶共溅射沉积的GaAs-SiO2复合薄膜的Ga、As和Si的化学结合状态及其沉积时的基片温度对其影响。结果表明:Ga、As和Si分别主要是以GaAs和SiO2的化学组态存在于复合薄膜之中,但当沉积时基片温度上升到一定值后(我们实验中为400℃),有部分的Ga和As被氧化,其氧化量随着基片温度的进一步升高而上升。沉积的SiO2中存在着少量的缺氧缺位。 相似文献
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纳米GaAs—SiO镶嵌复合薄膜的发光特性 总被引:3,自引:0,他引:3
采用射频磁控共溅射法制备了纳米GaAs-SiO2镶嵌复合薄膜。通过X射线衍射、透射电镜观察和X射线光电子能谱等手段研究了薄膜的结构及其与沉积过程中基片温度间的关系。测量了薄膜的光致发光特性。表明,薄膜由晶态的GaAs及非晶Sdisplay status两相组成,GaAs在沉积过程中未明显氧化且以纳米颗粒形式均匀地弥散;GaAs的平均粒径依赖于沉积时的基片温度。通过控制基片温度,成功地获得了GaAs的平均粒径分 相似文献
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采用 PECVD法制备了 α- Si Ox Ny 薄膜 ,观察到两组分立能级的强荧光发射 ,一组位于紫外光波段 ,由三个可分辨的发射峰组成 ,波长分别为 330、340和 345nm;另一组位于红光波段 ,由两个发射峰组成 ,波长分别为 735nm和 745nm.发射峰依赖于薄膜中氧和氮的同时存在 ,其强度首先随薄膜中其含量的增加而增强 ,达到饱和值后 ,随着其含量的进一步增加而下降 .这表明发射峰可能起源于 O- Si- N结合而形成的发光中心 . 相似文献
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