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3.
首先得到了与g不可α-归结的广义文字的集合D*α (g)做成了∨-半群且也是一个序滤子;其次研究了由D*α (g)所确定的一个新的代数结构Df,Df做成一个格滤子,并研究了Df的一些相关性质;最后研究了由Df所确定的代数结构κ(D),得到了κ(D)构成滤子并研究了κ(D)的结构。 相似文献
4.
利用经典的半正定Hermite矩阵的等价条件,讨论了2×2分块矩阵的保半正定性问题.A为2×2半正定Hermite分块矩阵时,则对每一子块分别取迹、行列式、谱范数、秩、数值域后所成矩阵仍为半正定;当A为2×2分块矩阵时,(A)的范数和数值域半径分别不超过(A)的范数和数值域半径. 相似文献
5.
1 IntroductionZnOisawide gap ( 3.2eVatroomtemperature)semiconductormaterialhavingthewurtzitestructurewithdirectenergyband .Ithasbeenconsideredasapromis ingmaterialforoptoelectronicdevicesinthenearultraviolet(UV)andbluespec tra .AninterestingfeatureofZnOisitsl… 相似文献
6.
MOCVD生长1.06μm InGaAs/GaAs量子阱LDs 总被引:1,自引:1,他引:0
用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs量子阱,采用中断生长、应变缓冲层(SBL)、改变生长速度和调节Ⅴ/Ⅲ等方法改善InGaAs/GaAs量子阱的光致发光(PL)质量。PL结果表明,10s生长中断结合适当的SBL生长的量子阱PL谱较好。该量子阱应用于1.06μm激光器的制备,未镀膜的宽条激光器(100μm×1000μm)有低阈值电流密度(110A/cm2)和高的斜率效率(0.256W/A,per.facet)。 相似文献
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8.
用水热合成方法制备了GaP纳米晶/桑色素复合发光材料,对材料的物相结构及发光性能进行了表征.研究结果表明:在低温水热条件(150℃,4~8h)下,GaP纳米晶是稳定的,相应的复合材料在通常条件下具有较好的稳定性,并且有较高的发光强度,其发射谱带是中心位于500nm附近的宽谱带. 相似文献
9.
对二值谓词逻辑中一阶公式关于有限解释的相对真度定义进行了简化,给出其计算形式。指出一阶非闭逻辑公式的相对真度只与其中自由出现的变元有关,而非只与其中的自由变元有关;证明可以增加公式中出现的变元个数,而不会改变公式的相对真度,从而可以依据相对真度的计算形式横向研究公式间的相对真度问题。 相似文献
10.