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1.
2.
针对背景差分炸点检测方法中背景模型难以更新背景估计和运算复杂等问题,提出一种分层模型下基于鲁棒字典学习的背景差分炸点检测方法。为提高运算效率,该方法对图像帧建立3层金字塔分层模型,在每层将图像帧分割为互不重叠块,逐层以图像块为单位通过改进的鲁棒字典学习方法进行背景估计,与当前图像帧作背景差分实现炸点检测。采用炮弹炸点图像序列对所提出的方法进行了实验验证。实验结果表明,与现有炮弹炸点检测方法相比,该方法在准确率、误检率和鲁棒性方面均具有优越性能。  相似文献   
3.
首先得到了与g不可α-归结的广义文字的集合D*α (g)做成了∨-半群且也是一个序滤子;其次研究了由D*α (g)所确定的一个新的代数结构Df,Df做成一个格滤子,并研究了Df的一些相关性质;最后研究了由Df所确定的代数结构κ(D),得到了κ(D)构成滤子并研究了κ(D)的结构。  相似文献   
4.
利用经典的半正定Hermite矩阵的等价条件,讨论了2×2分块矩阵的保半正定性问题.A为2×2半正定Hermite分块矩阵时,则对每一子块分别取迹、行列式、谱范数、秩、数值域后所成矩阵仍为半正定;当A为2×2分块矩阵时,(A)的范数和数值域半径分别不超过(A)的范数和数值域半径.  相似文献   
5.
1 IntroductionZnOisawide gap ( 3.2eVatroomtemperature)semiconductormaterialhavingthewurtzitestructurewithdirectenergyband .Ithasbeenconsideredasapromis ingmaterialforoptoelectronicdevicesinthenearultraviolet(UV)andbluespec tra .AninterestingfeatureofZnOisitsl…  相似文献   
6.
MOCVD生长1.06μm InGaAs/GaAs量子阱LDs   总被引:1,自引:1,他引:0  
用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs量子阱,采用中断生长、应变缓冲层(SBL)、改变生长速度和调节Ⅴ/Ⅲ等方法改善InGaAs/GaAs量子阱的光致发光(PL)质量。PL结果表明,10s生长中断结合适当的SBL生长的量子阱PL谱较好。该量子阱应用于1.06μm激光器的制备,未镀膜的宽条激光器(100μm×1000μm)有低阈值电流密度(110A/cm2)和高的斜率效率(0.256W/A,per.facet)。  相似文献   
7.
8.
用水热合成方法制备了GaP纳米晶/桑色素复合发光材料,对材料的物相结构及发光性能进行了表征.研究结果表明:在低温水热条件(150℃,4~8h)下,GaP纳米晶是稳定的,相应的复合材料在通常条件下具有较好的稳定性,并且有较高的发光强度,其发射谱带是中心位于500nm附近的宽谱带.  相似文献   
9.
对二值谓词逻辑中一阶公式关于有限解释的相对真度定义进行了简化,给出其计算形式。指出一阶非闭逻辑公式的相对真度只与其中自由出现的变元有关,而非只与其中的自由变元有关;证明可以增加公式中出现的变元个数,而不会改变公式的相对真度,从而可以依据相对真度的计算形式横向研究公式间的相对真度问题。  相似文献   
10.
用MOCVD方法在GaAs衬底上生长了AlGaInP的本征及掺Si或掺Mg三个样品。用椭偏光谱法测量了样品在室温下可见光区的光学常数 ,并求其介电函数的三级微商谱。用三点比例内插法分析介电函数的三级微商谱 ,精确地得到样品的带隙Eg、Eg+Δ0 以及Eg 以上成对结构跃迁的能量位置 ,并对其结果加以分析。同时与沟道分析等方法相结合对材料的性能进行了鉴定。  相似文献   
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