SnO_2∶Sb电热膜的自限温特性

本文研究了掺锑量对ＳｎＯ２∶Ｓｂ电热膜电阻温度特性的影响。发现高掺锑量的电热膜具有自限流和自限温特性,并分析了该特性对电热膜寿命的影响。     

SnO2：Sb电热膜的自限温特性

本文研究了掺锑量对ＳｎＯ２：Ｓｂ电热膜电阻温度特性的影响，发现高掺锑量的电热膜具有自限流和自限温特性，并分析了该特性对电热膜寿命的影响。     

Ni52Mn26Ga22薄膜的马氏体相变和磁电阻

用电子束蒸发方法制备了多晶NiMnGa薄膜.用Ni52Mn26Ga22合金作靶材,衬底为<111>取向的单晶硅抛光面.沉积时衬底温度为773K.电子束蒸发在本底真空3×10-3Pa中进行.X射线衍射图谱表明薄膜在室温下为奥氏体相.电阻随温度的变化关系表明薄膜的马氏体相变开始温度约在256K,且相变滞后较小.在室温下的奥氏体具有正的磁电阻效应,在1T磁场下磁电阻为0.06%.马氏体的磁电阻很小,这种差异来源于电子结构的不同.     

SnO2：Sb电热膜的性能及应用

用化学纯原料制备了大功率密度的ＳｎＯ２：Ｓｂ电热膜，并分析其结构，研究了掺杂量、溶液浓度和退火处理对电阻及电阻温度特性的影响。用喷涂法制备大面积、性能稳定的ＳｎＯ２：Ｓｂ电热膜，功率密度高达４０Ｗ．ｃｍ＾－２。     

Ca2SnO4:Eu3+的固相反应形成机理及发光性质研究

利用高温固相反应法合成了Ca2-xEuxSnO4发光粉末样品，采用X射线衍射技术和荧光光谱等测试手段对样品的固相反应形成机理及光谱特性进行了研究．对于CaCO3和SNO2（2：1）混合粉料，在1250℃进行固相反应时将优先反应生成不稳定的中间相CaSnO3，该相再与CaO继续反应生成最后稳定的目标相Ca2SnO4．Ca2-xEuxSnO4样品在240-360nm范围内存在着Eu^3＋-O^2-电荷迁移吸收带，随着Eu^3＋掺杂浓度（x=0．01-0．15）的增加，吸收带峰位从274nm红移至292nm附近．Ca2SnO4：Eu^3＋发光体的发射以电偶极跃迁^2Do-^7F2为主导地位，在紫外光激发下产生强的红光发射．在Ca2SnO4基质中，Eu^3＋离子的多声子弛豫过程几率小，当Eu^3＋掺杂浓度较低时，可以观察到来自于Eu^3＋较高激发态能级^5D2和^5D1上的辐射跃迁．Eu^3＋离子在同构的Ca2SnO4和Sr2CeO4基质中的发射光谱形状类似，但Ca2SnO4：Eu^3＋的红光发射强度远大于Sr2CeO4：Eu^3＋．     

SrO-CeO2体系化合物的固相反应机理研究

以SrCO3和CeO2为原料，采用XRD和TG／DTA分析技术研究了SrO—CeO2体系化合物的物相形成过程．结果发现，当灼烧温度低于950℃时，原始粉料只反应生成Sr2CeO4；而当灼烧温度高于950℃时，在反应的初始阶段，原始粉料中同时出现SrCeO3和Sr2CeO4物相，在950℃附近，主要产物为Sr2CeO4，在1000℃以上，主要产物为SrCeO3，SrCeO3和Sr2CeO4物相分别存在着两种形成机制，当温度高于1000℃时，SrCeO3由SrO和CeO2直接反应生成，而Sr2CeO4则由SrCeO3和SrO反应生成；当温度低于950℃时，Sr2CeO4由SrO和CeO2直接反应生成，而在950℃附近SrCeO3则由Sr2CeO4和CeO2反应生成．依据这些实验结果，给出了SrO—CeO2体系固相反应规律，并对SrCeO3衍射数据JCPDS36-980的错误结果进行了分析．荧光光谱测试结果表明，Sr2CeO4物相的形成机制对其激发光谱产生明显的影响．     

非晶硅液晶光阀

本文介绍反射式非晶硅液晶光阀的研制方法，并对其光电性能进行了研究，提出非晶硅液晶光阀的参数设计模型。     

铁电复合材料TGS·PVDF的性能研究

本文介绍了TGS·PVDF铁电复合材料的制备方法和测量方法,分析了不同体积比的复合材料的介电、热激电流和热释电特性,确定了该种材料作为热释电体的工作温度,并发现它能贮存巨量的电荷面密度,预示着该材料的应用前景。     

TGS·PVDF复合材料的介电和热释电性质

本文在理论上分析了TGS·PVDF复合材料的介电和热释电特性,给出了其特性随样品厚度、两相体积比和TGS颗粒度变化的实验结果。区分了复合材料的热释电效应和退极化效应,得到了正确的热释电系数测量结果。