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1.
由于封装材料与电子元件线膨胀系数差异大,成型后造成开裂、空洞和离层等缺陷,采用化学固相分步法制备的高纯度负热膨胀材料钨酸锆(ZrW2O8)颗粒作为填料,制备ZrW2O8/E-51及SiO2/E-51电子封装材料,测试了不同种类和含量的填料下封装材料线膨胀系数、显微硬度、玻璃化转变温度及磨损性能。实验结果表明:随ZrW2O8含量的增加,ZrW2O8/E-51材料线膨胀系数不断下降,显微硬度不断提高。ZrW2O8/E-51材料的磨损性能优于SiO2/E-51材料,磨损机理主要是粘着磨损和疲劳剥落,后期发生了磨粒磨损。  相似文献   
2.
采用具有负热膨胀特性的ZrW2O8粉体和SiO2粉体分别作为填料制备E—51环氧树脂电子封装材料。测试了填料对封装材料的相对介电常数、介质损耗、阻温特性和电击穿场强等电性能的影响。结果表明:在相同含量下,ZrW2O8填料效果好;随ZrW2O8量的增加,介质损耗不断减小,ZrW2O8与E—51的质量比为0.7∶1时,相对介电常数最大;在室温~163℃范围内,ZrW2O8/E—51的电阻率稳定在3.03×106?.m,电击穿场强均大于10 kV/m。  相似文献   
3.
负热膨胀ZrW_2O_8改性环氧树脂性能研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
采用硅烷偶联剂处理的负热膨胀材料ZrW2O8超细粉体与环氧树脂(EP)共混制备ZrW2O8/EP复合材料.检测了不同ZrW2O8含量下复合材料的冲击强度、拉伸强度、拉伸断口形貌、洛氏硬度、线膨胀系数和玻璃化温度.结果表明ZrW2O8粉体对EP有较好的改性作用:当ω(ZrW2O8)∶ω(EP)=16∶100时复合材料的冲击韧性和拉伸强度达最大,分别为16.13kJ/m2和55.86MPa;ZrW2O8对复合材料洛氏硬度影响不大,但降低了线膨胀系数,ω(ZrW2O8)∶ω(EP)=20∶100时线膨胀系数降至3.7322×10-5/K;复合材料的玻璃化温度在124~129℃之间.  相似文献   
4.
采用具有负热膨胀特性的ZrW2O8粉体和SiO2粉体分别作为填料制备E-51环氧树脂电子封装材料。测试了不同种类和含量的填料对封装材料的介电常数、介质损耗、阻温特性和电击穿场强等电性能的影响。实验结果表明:随ZrW2O8含量的增加,ZrW2O8/E-51材料的介电常数ε不断增大,介质损耗正切值不断减小。在室温约163℃范围内,ZrW2O8/E-51材料的电阻率稳定在3.03×106Ω·m,电击穿场强均大于10kV·m-1,满足于微电子器件封装材料的实际应用。  相似文献   
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