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在超分辨光存储技术中,掩膜层材料是决定其性能优劣的关键。In薄膜可以作为掩膜层用来实现超分辨信息点的动态读出。采用直流磁控溅射法制备不同厚度的In薄膜,用台阶仪测量薄膜厚度随时间的变化关系,用原子力显微镜观察不同厚度薄膜样品的表面形貌。在预刻有尺寸为390nm信息点的光盘盘基上制备In薄膜,从而形成In掩膜超分辨光盘。利用光盘动态测试仪进行动态读出,最高读出载噪比(CNR)达到26dB。为了进一步分析超分辨动态读出的物理机理,采用变温椭圆偏振光谱仪测量In薄膜在不同温度下的光学常数,得到In薄膜在不同温度下的反射率和吸收系数。分析表明In掩膜超分辨光盘的读出机理符合孔径型超分辨读出模型。 相似文献
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光刻技术作为制备半导体器件的关键技术之一将制约着半导体行业的发展和半导体器件的性能。随着半导体工业的发展,集成电路的特征尺寸越来越小,光刻技术将面临新的挑战。分析了激光光刻技术,包括投影式光刻和激光无掩膜光刻技术的研究现状,着重介绍了极紫外光刻(EUVL)作为下一代光刻技术的发展前景和技术难点、激光无掩膜光刻技术的发展,特别是激光近场扫描光刻、激光干涉光刻、激光非线性光刻等新技术的最新进展及其在高分辨率纳米加工领域的应用前景。 相似文献
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菁染料旋涂薄膜的短波长光存储性能研究 总被引:1,自引:2,他引:1
利用旋涂法 (spin coating)制备了一种新的菁染料薄膜 ,并进一步制备成可录型数字多用光盘 (DVD R) ,测试该菁染料溶液和薄膜的吸收光谱 ,薄膜的透过、反射光谱 ,用椭圆偏振光谱仪测试了薄膜光学常数n和k ,发现薄膜在 6 30~ 6 5 0nm波段内有良好的吸收和反射特性。在 6 32 8nm光盘动、静态测试装置和 6 5 0nm光盘性能测试仪上测试了以该染料薄膜为记录层介质的DVD R光盘 ,结果表明盘片具有良好的光存储性能。 相似文献
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用于蓝光可录存储的无机材料研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
蓝光存储是信息存储领域发展的一个重要方向.用于蓝光存储的可录型光盘,由于其巨大的商业价值,将是今后研究的热点.本文总结了近几年来国内外文献报道的适用于蓝光可录存储的无机材料的最新研究成果,详细阐述了用于蓝光可录存储的无机薄膜的制备方法、无机记录材料的种类及存储原理.最后,对用于蓝光可录存储的无机材料今后的发展前景进行了展望. 相似文献
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偶氮金属镍薄膜的折射率和吸收特性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
偶氮金属镍(Ni(azo)2)是一类具有很大潜力的可录光盘存储介质。为了准确地获取一种偶氮金属镍薄膜的光学常数,用旋涂法(Spin—coating)在单晶硅片上制备了Ni(azo)2薄膜。在波长扫描和入射角可变全自动椭圆偏振光谱仪上研究了Ni(azo)2薄膜的椭偏光谱。采用逼近算法获得了Ni(azo)2薄膜在可见光范围内的复折射率、复介电函数、吸收系数和薄膜厚度。分析了Ni(azo)2薄膜可见吸收光谱的形成机理。结果表明在波长650nm处薄膜的折射率为2.19,吸收常数为0.023,具有良好的吸收和反射特性,显示出作为高密度数字多用光盘(DVD-R)记录介质的良好应用前景。 相似文献
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系统总结了用于光存储记录层的氧化物薄膜的存储机理、存储特性以及最新进展,讨论了氧化物掺杂对提高存储性能的影响,指出了氧化物薄膜存在的不足,并探讨了可能的改善途径.在此基础上对存储材料的发展趋势及氧化物材料的研究前景进行了展望. 相似文献
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研究了AgInSbTe相变薄膜作为一种新的热刻蚀材料的腐蚀特性。采用射频磁控溅射的方法在室温下制备了非晶态AgInSbTe薄膜, 经真空加热退火晶化. 以氢氧化钠溶液作为腐蚀剂, 研究了退火温度、腐蚀剂浓度、腐蚀时间对晶态、非晶态 AgInSbTe薄膜腐蚀特性的影响. 结果表明: 以非晶态形式存在的沉积态AgInSbTe薄膜在0.001 mol/L氢氧化钠溶液中腐蚀速度小于0.04 nm/min, 退火晶化后, 薄膜的腐蚀速度大幅度提高, 晶态和非晶态薄膜的腐蚀选择比随退火温度的升高而增大. 当腐蚀时间为20 min时, 经300℃真空退火的晶态AgInSbTe薄膜比相应非晶态的腐蚀速度高45倍以上. 腐蚀后薄膜表面质量良好(粗糙度<1 nm, 10 μm×10 μm区域). 并对AgInSbTe相变薄膜的腐蚀机理进行了讨论. 相似文献
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无机激光热刻蚀材料的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
激光热刻蚀技术是近年发展起来的利用激光热刻蚀薄膜的热变化阈值特性突破光学衍射极限进行纳米图形制备的新技术,在亚波长纳米结构器件和高密度光盘母盘制造等领域具有广阔的应用前景.阐述了激光热刻蚀技术的基本原理和特点,以及对激光热刻蚀材料性质的要求,综述了相变型激光热刻蚀薄膜材料(包括硫系相变薄膜材料、金属亚氧化物薄膜材料和陶... 相似文献
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