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反应溅射Si-C-N薄膜的结构分析 总被引:5,自引:1,他引:4
本文用射频反应磁控溅射制备了SiCN薄膜,对薄膜的化学成分、结构进行了研究。结果表明,反应气体N2、Si、C三者之间形成了Si-C,Si-N和C-N键,构成了复杂的网络结构。成分分析表明薄膜的化学计量式近似为SiCN。对比分析了反应应溅射制备SiCN、CNx、SiNy、SiCx薄膜的FTIR谱。 相似文献
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