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采用射频反应溅射工艺沉积了α—SiC:H薄膜。利用微分扫描量热器(DSC)和差热分析仪(DTA)两种热分析方法确定了α—SiC:H薄膜的脱H过程和相转变温度,353.2℃脱Si—H和602.6℃脱C—H,并在1080℃相变结晶。在氨气流保护下的光热炉内进行热处理,Fourier红外光谱(FTIR)和反射谱的研究表明,400℃热处理后薄膜内的H含量急剧下降。高温热处理中的脱H过程有利于游离硅和游离碳的反应形成额外的Si—C键,促进薄膜致密,并能提高其在紫外部分的反射率,降低红外区域的反射率。热处理温度超过500℃,容易导致薄膜脱落。适当的退火工艺有利于拓展碳化硅薄膜在空间材料上的应用。 相似文献
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磁约束电感耦合等离子体增强反应溅射沉积nc-TiN/a-Si3N4纳米复合薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍一种新型磁束缚电感耦合等离子体增强的物理化学气相沉积复合系统,并用该系统通过反应磁控溅射TiSi合金靶,在氩气和氮气等离子体作用下,在单晶硅衬底上制备了nc—TiN/a—Si3N4纳米复合薄膜.扫描电子显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子谱仪和高分辨率透射电子显微镜的分析和观察结果清晰地表明该薄膜是具有纳米结构的复合薄膜,主要由镶嵌在非晶态Si3N4基体中的TiN纳米晶粒组成,TiN晶粒的尺寸约为3nm。 相似文献
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用溶胶-凝胶技术,在金膜与基体不锈钢箔之间制备了一层ZrO2缓冲膜。在前期研究工作的基础上,通过TEM、AES、SEM等测试手段对ZrO2缓冲膜的结构及性能进行了表征。结果表明,溶胶-凝胶法制备的ZrO2缓冲肛螈粒度尺寸为纳米级;850℃处理后,没有涂覆缓冲膜的蒸金不锈钢箔与金膜之间存在着严重的互扩散反应,缓冲膜的涂覆可以有效地抑制高温互扩散反应。带有缓冲膜的蒸金不锈钢箔在高温热处理后仍能保持清晰 相似文献
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本文分别以四氯化钛、硫酸钛和钛酸丁酯为前驱物,研究了水热条件下二氧化钛微晶粉体的结晶晶型、晶粒形貌和晶粒度.采用XRD和TEM等分析手段分别对产物的晶相和晶粒形貌进行表征.实验结果表明:对于200℃水热反应,以四氯化钛为前驱物,通过加入氢氧化钠调节反应介质酸碱度,当溶液pH值小于1时,有利于形成金红石型粉体;当溶液pH值大于3并小于7时,有利于形成锐钛矿型粉体;当溶液ph值大于7时,有利于形成板钛矿型粉体.以硫酸钛为前驱物,通过控制胶体制备工艺及反应温度,制备得到锐钛矿型和板钛矿型粉体.金红石型粉体呈长条柱状,锐钛矿呈菱形或双锥状,板钛矿呈板块状.经过较为系统的实验研究,获得了金红石、锐钛矿、板钛矿三种晶相的粉体,并可通过控制前驱物的种类及酸碱度和水热反应条件随意地制备出以上三种晶相中的单晶相粉体.从结晶学出发,解释了二氧化钛纳米粉体的结晶形貌,并从晶体生长过程及生长机理的角度讨论了二氧化钛同质变体的形成机理. 相似文献
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溅射总压对氧化钒薄膜的结构及电致变色性质的影响 总被引:5,自引:0,他引:5
采用高频磁控溅射工艺制备了两种不同性能的V2O5薄膜,并研究了溅射总压对其微观结构、循环伏安特性及电致变色特性的影响。结果表明:当功率一定(3.8W·cm^-2)时,在高气压沉积的V2O5薄膜中出现了微晶相,而在低气压沉积的薄膜中为非晶相。从循环伏安过程中实时记录的透过率变化曲线可见:随着Li^ 离子和电子的双重注入,薄膜在某一波长处的透过率前一阶段是增加或降低,而后一阶段却相反。含微晶相的薄膜上述现象更为明显,而且其储存Li^ 离子的容量也要大许多。应用能带结构理论定性地解释了V2O5薄膜复杂的电致变色现象。 相似文献
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本文对真空热蒸发 WO_3涂层的电变色特性进行了研究,在室温、真空度为7.5×10~(-7)~7.5×10~(?)Pa 条件下,蒸发沉积的 WO_3涂层为无定形氧化物,经热处理后,无定形氧化物可转化为结晶型。该涂层于液态电解质中,加电场后具有可逆的变色和褪色效应。X 光衍射实验发现,变色后的涂层由原来的三斜 WO_3晶体变成了 H_(0.1)WO_3斜方晶体。本文还用扫描电子显微镜对热处理前后涂层的表面形貌进行了分析。 相似文献