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1.
洪英  莫党 《半导体学报》1986,7(6):661-664
本文用椭偏光谱测量与阳极氧化剥层相结合的方法,测量了注入能量150keV、注入剂量在10~(13)-10~(16)cm~(-2)范围内的As~+注入Si损伤层的光学性质,得到了光学常数n、k在损伤层内的分布,并用有效介质理论计算出损伤分布.所得损伤分布与损伤理论进行了比较,两者基本一致.  相似文献   
2.
本文用“原子集团-仙人掌格子”模型对ST-12结构计算其电子态密度,并与用“原子集团-Bcthe格子”模型而得的结果加以比较.计算结果表明,长程的键环作用对电子态密度影响甚小,以致在计算电子态密度时我们往往可以不必详细考虑这种作用.  相似文献   
3.
莫党  朱德瑞 《功能材料》1993,24(2):113-115,133
KNSBN是我国首创的一类光折变晶体,利用掺杂可改善其性能。本文介绍了掺杂KNSBN的光折变特性与有关性质,包括二波耦合增益系数、自泵浦相位共轭反射率、电光系数等,并比较了掺杂的效果。  相似文献   
4.
林树汉  莫党 《半导体学报》1982,3(5):410-412
<正> 近年来,有一些工作研究用椭偏光法测定离子注入硅.这些都是在单一波长下进行测量的.但是,离子注入损伤只在样品表面一薄层内,即使均匀光吸收介质层(相当于高注入剂量情况),也有折射率n、消光系数k和层厚d待求.莫党等近来发展了一种测定离子注入硅的椭偏光谱法,测定各波长的椭偏参数,然后用分区法对均匀吸收介质层模型进行计算,不必用剖层法配合,可求出d和光学常数的色散关系.在此基础上  相似文献   
5.
椭圆偏光法研究砷离子注入硅的损伤和退火   总被引:1,自引:0,他引:1  
我们用椭圆偏光法研究了As~+注入Si的损伤和退火效应.逐层测定结果表明,对150keV、10~(16)/cm~2的As~+注入,已形成非晶质层,折射率沿深度的分布图呈近似平台式.退火实验结果表明,600-700℃间有转变点,在高于此点的温度下退火,辐射损伤得到很大消除,并且表明辐射损伤比杂质砷对硅拆射率的影响大得多.高温退火后,椭圆偏振光测量结果出现一些新现象.还与背散射测量及电学测量进行了对比.本工作表明,椭圆偏光法亦是测定和研究离子注入引起的损伤的有用工具.  相似文献   
6.
作者用自己改装的椭圆偏振光谱仪在可见光范围内研究了射频溅射非晶态硅薄膜的光学性质;提出能同时确定薄膜折射率实数部分n和消光系数K的实验方法;对不同生长条件的薄膜进行测量,获得n与K随λ变化的资料.  相似文献   
7.
本文用耗尽层近似研究了用界面异型掺杂层提高肖特基二极管势垒的方法.给出了势垒高度作为掺杂层参数的函数的公式和相应的数值计算曲线.同时也给出了用C-V测量法得到的这种二极管的势垒的公式和它的物理意义.理论计算结果与用分子束外延法制造的Al-p-n-GaAs二极管的测量结果符合得较好.  相似文献   
8.
本工作用本实验室试制的TTP-1型椭圆偏振光谱仪,测量了紫外至可见范围(2700~6000(?))内单晶硅和离子注入无定形硅的光学常数——折射率n和消光系数κ。对所测得的n、κ,及复介电常数的实部(?)和虚部(?),进行Kramers-Kronig关系的计算。计算结果表明,不论是单晶硅或是无定形硅,所得数据均相当好地符合Kramers-Kronig关系。对于单晶硅,我们测得的结果与别人用反射法测得的结果及用椭偏法测得的结果基本  相似文献   
9.
用椭偏光谱法测量了(35keV,1.0×10118cm-2)和(65keV,1. 0×1018cm-2)C+注入Si形成的SiC/Si异质结构.应用多层介质膜模型和有效介质近似,分析了这些样品的SiC/Si异质结构的各层厚度及主要成份.研究结果表明:注35keV C+的样品在经1200 C、2h退火后形成的SiC/Si异质结构,其β-SiC埋层上存在一粗糙表面层,粗糙表面层主要由β-SiC、非晶Si和SiO2组成,而且β-SiC埋层与体硅界面不同于粗糙表面层与β-SiC埋层界面;注65keV C+的样品在经1250 C、10h退火后形成的SiC/Si异质结构,其表层Si是较完整的单晶Si,埋层B-SiC分成三层微结构,表层Si与β-SiC埋层界面和β-SiC埋层与体硅界面亦不相同.这些结果与X射线光电子谱(XPS)和横截面透射电子显微镜(TEM)的分析结果一致.  相似文献   
10.
薄膜材料光学特性研究的椭偏光谱数据处理   总被引:2,自引:0,他引:2  
陈篮  莫党 《压电与声光》1999,21(4):267-271
椭偏光谱由于其独特性而广泛应用于薄膜材料的光学特性研究。文章综述了椭偏光谱数据处理中常用的物理模型,并对椭偏光谱的一般方法作了总结。  相似文献   
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