首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1篇
  免费   0篇
一般工业技术   1篇
  2003年   1篇
排序方式: 共有1条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
LPCVD水解法制备TiO2薄膜   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文利用LPCVD法水解四异丙醇钛(TTIP)制备TiO2薄膜,研究了制备过程中水解TTIP的反应动力学。通过对沉积温度和沉积率关系的研究,计算出TTIP水解反应表观活化能为59.85kJ/mo1。沉积温度不仅影响反应速率,还对TO2薄膜结构、表面形貌有决定性的作用。XRD和Raman分析表明:TTIP水解法制备TiO2薄膜,薄膜结构主要依赖于沉积温度。180℃—220℃沉积TiO2薄膜为非晶态,240℃—300℃沉积为锐钛矿和非晶态混杂结构。在水分压对TTIP水解反应影响的研究中发现,水分压为零时,TTIP发生热解反应,TiO2沉积率不为零,热解反应240℃无锐钛矿特征峰出现。这说明水解反应制备TiO2有利于降低锐钛矿的生长温度。氧分子的加入可以消除TiO2薄膜表面的“针孔”。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号