仓鼠卵巢细胞培养工艺的探究

仓鼠卵巢细胞分泌的蛋白能专一高效地与B淋巴细胞结合,清除坏死的B细胞,从而让骨髓重新产生正常的B细胞。可用于治疗多种免疫系统疾病,如霍奇金淋巴瘤,类风湿性关节炎等。仓鼠卵巢细胞的细胞生长密度和活率的高低直接影响其分泌蛋白含量的高低。为了提高仓鼠卵巢细胞活率和细胞密度,本文分别考察细胞溶氧、细胞生长末期降温、培养pH等因素对仓鼠卵巢细胞产量的影响。当细胞溶氧为60%,细胞生长末期降温为33℃,细胞培养pH为6.95时,细胞分泌蛋白量最大为1.58 g/L,有利于满足实际大规模生产的需要。     

65 nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究

利用微束和宽束辐照装置分别对两款65 nm双阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验，将多位翻转（multiple-cell upset, MCU）类型、位置、事件数与器件结构布局相结合对单粒子翻转（single-event upset, SEU）的截面、MCU机理进行深入分析。结果表明，微束束斑小且均匀性好，不存在离子入射外围电路的情况；NMOS晶体管引发的MCU与总SEU事件比值高达32%，NMOS晶体管间的电荷共享不可忽略；实验未测得PMOS晶体管引发的MCU，高密度阱接触能有效抑制PMOS晶体管间的电荷共享；减小晶体管漏极与N阱/P阱界面的间距能降低SRAM器件SEU发生概率；减小存储单元内同类晶体管漏极间距、增大存储单元间同类晶体管漏极间距，可减弱电荷共享，从而减小SRAM器件MCU发生概率。     

加速器单粒子效应样品温度测控系统研制及实验应用

为满足国内半导体器件单粒子效应(SEE)截面与温度的关系研究需求,本文基于北京HI-13串列加速器SEE辐照实验终端研制了样品温度测控系统,实现了90~450K范围内实验样品温度的测量和控制,系统控制精度好于±1K。为验证系统可靠性,使用该系统研究了SRAM单粒子翻转(SEU)截面随温度的变化关系,在215~353 K范围内测量了SRAM翻转截面随温度的变化曲线。结果表明,SRAM SEU截面随温度的升高而增加,与理论预期结果一致。     

单粒子瞬态电流脉冲测试技术研究进展

单粒子瞬态（single-eventtransient，SET）电流脉冲测试技术是在重离子微束中非常重要的一种实验测试技术手段，可以用来测量束流入射位置与单粒子瞬态电流脉冲之间关系，给出电流瞬态脉冲参数（如上升时问、衰退时问以及峰高等）的二维分布图，在微米空间尺度和皮秒时间尺度上对电荷产生、传输以及收集的瞬态过程进行研究。     

高LET值束流产生技术研究进展

随着器件抗辐射加固性能的提高，在进行地面模拟试验时对所用重离子的能量及其在材料中的线性能量传输（LET）的要求也越来越高。为了提高串列加速器束流能量及其在材料中的LET，最切实可行的办法是使用高剥离电荷态离子。     

Monforts: 拉幅机的尾气清洁

德国Mortforts纺机公司提出了一种处理拉幅机系统尾气以达到法定排放标准的新型集成组件。     

纵磁场真空灭弧室的分析与测量

与燃弧电流平行的纵磁场可以提高真空断路器的开断能力，在文中，对于轴向分布的磁场进行了测量及分析比较，用各种材料的触头和电极结构进行了一系列短路试验，对这些试验结果进行了分析比较并测量了磁场的分布。     

大电流和电压作用下纵磁场触头的真空灭弧室的弧柱电流

本文研究了在大电流（40－60kA.RMS)和高的瞬态恢复电压陡度（5和10kV/μs)条件下的具有双极纵磁场触头的真空灭弧室的弧柱电流。通过改变触头的分离时刻，相应地改变燃弧时间和触头间距，与模拟值相比较，测量出的弧柱电流和电荷的明显减少以及燃弧时间的缩短是由于电离作用较低引起的，弧后电流与du/dt的关系可以用次级发射的影响来解释。     

大电流开断后真空开关设备的击穿强度恢复特点

本文讨论了决定恢复阶段的有关影响因素，电流消失后的早期，金属蒸气和残余电荷减弱了击穿强度，金属液滴仅仅起着次要作用。烧熔的触头表面外部的液态凸出部分的延长将是触头表面存在大电场强度的一种原理，有关击穿过程的认识，特别是有关延时击穿的效应的认识必须提高。