在陶瓷粉末表面化学镀包复金属

采用化学镀方法，以联氨作还原剂，在陶瓷粉表面制备（ＮｂＴｉ）Ｃ－Ｎｉ及（ＮｂＴｉ）Ｃ－ＮｉＭＯ包覆粉末，目的是提高陶瓷－金属复合材料的力学性能。用Ｘ射线衍射、扫描电镜及电子探针等对包覆粉末进行分析，结果表明包覆上去的镍及镍钼合金呈球状，平均粒径约０．３μｍ，达到了陶瓷相与金属相充分分散之目的。     

La0．8Ca0．2CrO3钙钛矿复合氧化物的GNP法合成与表征

采用GNP（Glycine-Nitrate Process）法合成La0.8Ca0.2CrO3初级粉料，研究甘氨酸用量对产物的晶体结构和显微形貌的影响，并测试烧结体的相对密度和电导率。研究结果表明，甘氨酸与金属离子的摩尔比（G／M^n＋）控制在2．0～2．5时可得到颗粒尺寸细小、均匀（100nm～200nm）的单相钙钛矿粉体，烧结温度为1350℃时样品的相对密度达到91．0％，测试温度为800℃时样品的电导率达到30．5S.cm^-1。与常规固相法相比，GNP法制备的样品具有更好的烧结活性和导电性能。     

（Nb_yTi_（1－y））C_x单晶体制备及其结构研究

用熔剂法制备了（Ｎｂ＿ｙ．Ｔｉ＿（１－ｙ））Ｃ＿ｒ单晶体，用Ｄｅｂｙｅ照相法及四圆衍射仪对其晶体结构进行了研究。实验结果表明，（Ｎｂ＿ｙＴｉ￣（１－ｙ）Ｃ＿ｘ中存在类似于作化学计量化合物ＴｉＣ＿ｘ及ＮｂＣ＿ｘ的有序一无序转变现象，转变温度随其化学成份改变在１１７５～１２８０Ｋ范围内变化。高温型（Ｎｂ＿ｙＴｉ￣（１－ｙ））Ｃ＿ｘ的晶体结构属ＮａＣｌ型结构，碳空位呈随机分布；低温型（Ｎｂ＿ｙＴｉ￣（１－ｙ））Ｃ＿ｘ的晶体中碳空位呈短程有序分布，可用Ｖ＿６Ｃ＿５晶体结构模型进行描述。     

B_2O_3和CaF_2对C_3S-C_(2.75)B_(1.25)A_3-C_2S-C_3A水泥熟料矿物体系力学性能影响

研究了B2O3和CaF2对C3S-C2.75B1.25A3S珚-C2S-C3A熟料矿物体系的组成、结构与力学性能的影响。研究结果表明:在该熟料体系中C3S,C2.75B1.25A3S珔,C2S和C3A的适宜含量分别为50%,10%,25%和15%,B2O3和CaF2的适宜掺量为2%和1.5%。在最佳组成和制备工艺条件下,合成的阿利特-硫铝酸钡钙水泥的1d,3d和28d抗压强度分别达到18MPa,48MPa和95MPa以上,展现了良好的早期力学性能。同时,掺加CaF2能有效降低熟料中游离氧化钙的含量,促进阿利特在低温条件下形成。利用SEM-EDS,XRD等测试手段对熟料的组成、结构及性能进行了分析。     

水化硅酸钙结晶度的X射线衍射分析

本文从X射线衍射的基础理论出发,根据水化硅酸钙的X射线衍射谱形的变化,提出了一个测定其结晶度的简便方法。测定结果表明:水化硅酸钙的结晶度随合成时间延长而升高。同时,对方法本身可能引起的误差作了讨论。     

（Nb，Ti）C－Ni金属陶瓷的抗氧化性

用热等静压方法制备了（Ｎｂ，Ｔｉ）Ｃ－Ｎｉ金属陶瓷并作了８５０℃，９００℃，１０００℃及１１００℃下的等温氧化和室温～１１００℃的不等温氧化试验。在高温下，该金属陶瓷的表面被氧化成ＴｉＯ＿２，ＮｉＯ，ＮｉＴｉ＿３。认为Ｏ＿２通过氧化层向反应界面的扩散是控制氧化速率的主要步骤。氧化增重遵循抛物线规律，其激活能约为２３４ｋＪ／ｍｏｌ。     

Ti—C—Al体系热爆合成过程

采用整体加热燃烧合成法（即热爆合成）制备了ＴｉＣ－Ａｌ复合体系，利用差热分析（ＤＴＡ）、Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）和扫描电镜（ＳＥＭ）等手段研究了Ｔｉ－Ｃ－Ａｌ体系中升温速度及Ａｌ含量对ＴｉＣ反应合成过程的影响，分析了Ａｌ基体对ＴｉＣ粒子的形成机理．结果表明，在ＴｉＣ反应合成过程中，首先是Ｔｉ与Ａｌ反应形成Ｔｉ与Ａｌ的化合物，放出热量，随后促使Ｔｉ与Ｃ的放热反应发生，合成ＴｉＣ时放热产生的高温使Ｔｉ与Ａｌ的化合物分解，从而制得ＴｉＣ－Ａｌ复合体系；升温速度及Ａｌ含量只有超过一定值时，该体系才能在较低温度发生热爆反应；当Ａｌ的质量分数从１０％升至５０％时，ＴｉＣ的粒度从５．０μｍ阵至０．５μｍ．     

碳化钨对常压烧结氮化硅陶瓷致密化的影响

研究碳化钨对常压烧结Si3N4-MgO－CeO2陶瓷致密化和性能的影响，通过球磨引入适量的碳化钨对烧结氮化硅陶瓷的致密化和性能是有利的，通过控制球磨时间和球料比可控制磨入的碳化钨的含量，当碳化钨含量为3．9wt％时，效果最好，烧结氮化硅陶瓷的相对密度为98．5％，室温抗弯强度为948MPa。     

酞青钴-Fe_3O_4纳米复合粒子的化学稳定性研究

制备了酞菁钴（CoPc）－Fe3O4纳米复合粒子,研究了其化学稳定性．结果表明．CoPc与Fe3O4纳米粒子通过一定程度的化学键作用形成了有效的复合．在Fe3O4纳米粒子表面形成了包覆层,有效地保护其不被空气氧化。其抗氧化能力与CoPc包裹层的数目有很强的依赖关系。     

真空波导磁场控制型ECR溅射法的实验研究

微波电子回旋共振（delectroncyclotronresonance．ECR）等离子体溅射法是能在低温下制备高质量薄膜的最新镀膜技术．在该技术中,微波输入窗口易受金属粒子污染,导致微波在窗口反射,从而影响装置的正常工作。本文初步探讨了在ECR溅射装置中．采用真空波导与共振腔连成一体,在连接处配置磁轭（纯铁）．通过改变共振腔与波导连接处的磁场分布,能有效的避免微波窗口污染的技术途径,并较细致的研究了该装置的放电特性。