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采用USP-CVD沉积SnO2透明导电膜--F、Sb掺杂及特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜。对SnO2∶F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 赘/□左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以达到85%。分析了HF和NH4F掺杂的不同点。对在两种最佳工艺条件下沉积的膜的结构、电学性质进行了研究。对SnO2∶Sb薄膜的电学性质进行了研究,用X射线衍射方法分析了在同一温度下,不同Sb掺杂浓度的膜的结构。并对薄膜的透过率、折射率及光学带隙等光学性质进行了分析。 相似文献
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半导体硅的传统制备工艺主要有直拉法、区熔法及气相沉积法等,这些制备工艺都需要在高温下进行,且涉及到大型设备,制备成本较高,操作较为复杂。采用低温电沉积法制备硅具有简单可控、低成本的特点,因而受到了研究者青睐。主要从电极、溶剂的选取及电沉积方法等方面阐述了低温电沉积硅工艺研究现状,同时对低温电沉积硅存在的问题和发展趋势进行了讨论。 相似文献
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一引言Se在放射性废物安全处置及在生物医学等方面都有着广泛的应用前景[1],但目前对79Se的灵敏度在79Se/Se~10-7,远不能满足需要,并且79Se的半衰期目前还有较大的差别[1,2],因此开展79Se的AMS测定是非常有意义的。二79Se的AMS测量对79Se进行测量最大的困难是79Br的干扰,在目前的加速器能量下无法用能量损失、全剥离等方法对其鉴别[2]。利用一定能量的79Se和79Br轰击在靶上产生的特征X射线是进行同量异位素鉴别的关键技术[3]。由子相同元素不同同位素间的特征X射… 相似文献
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用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95%左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间。Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料。结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的I-V特性进行了研究。 相似文献
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为了提高加速器质谱(以下简称AMS)测量中的同量异位素鉴别能力,中国原子能科学研究院的加速器质谱小组研制了一种新型的气体探测器--冲气飞行时间谱仪(以下简称GF-TOF)探测器。本文将介绍其原理、结构和初步的在线调试结果。两个具有相同能量异位素在同一介质中的能量损失率是不同的,即他们的速度改变率不同,因此他们穿过同等长度的同一介质所需要的时间也就不同。测量这一时间的不同,就可以进行同量异位素的鉴别。与E-E气体探测器相比较,GF-TOF探测方法在分辨本领上具有一定的优势。GF-TOF系统由起始时… 相似文献
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用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间.Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料.结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的Ⅰ-Ⅴ特性进行了研究. 相似文献
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本次工作以二氧化锗作为锗源,在水溶液体系中分别以固态和液态电极进行半导体锗薄膜的制备并对其进行分析。XRD和拉曼光谱显示在Cu板上制备的样品均为无定形态的锗,沉积温度和时间对锗薄膜最终形成厚度具有显著影响,同时,过高的沉积温度会使锗薄膜在生长过程中产生裂缝。而在较低温度下(<90 ℃)可在液态电极上制备出晶体锗薄膜,且当沉积温度为80 ℃时晶体锗薄膜质量相对最好。此外,XRD测试结果表明较低的锗源浓度(<70 mM)会阻碍锗在(220)和(311)晶面的生长。 相似文献
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