功函数对场致发射稳定性的影响

从理论和实验上研究了材料功函数对场致发射稳定性的影响。研究发现，功函数是决定材料发射稳定性的主要因素。所得数据表明：（1）尖端功函数越稳定，发射电流波动性就越小；（2）尖端的功函数越小，发射的电流也越稳定，强度也越大，所需要的门极电压越低。这一结论在实验研究中充分地得到证实。实验表明，不需要超高真空条件，经过金膜或铯膜覆盖的钽尖端都有稳定的场发射。     

铯离子源

目前,在制备光电阴极时,普遍用重铬酸铯等化合物作为铯源,由于产生的铯呈原子状态,故称之为中性铯源。这种中性铯源有下面几个缺点: 1) 产生的铯蒸气会弥漫在整个激活空间或真空室,因而很容易附着在温度较低的零件表面,对于含有荧光屏的光电器件,铯会导致荧光粉发光效率大幅度下降。     

低能电子枪第一阳极长漂移管的计算

低能电子衍射在表面结构分析中起着重要作用,随着分析技术的提高,使用的电子束波长越来越长,对电子束的要求也越来越高。主要是:1.低能人射电子束必须有一     

长漂移管低能衍射电子枪主聚焦区的场分布及聚焦特性的研究

在使用LEED—AUGER系统进行表面分析时,需要长漂移管电子枪产生特定的电子束流。图1为我们设计制造的电子枪结构图。其主聚焦区是由第一阳极A_1、聚焦极A_2及第二阳极A_3组成。电极A_1的长度为54.0±0.1mm,圆管内径为2mm;电极A_2的长     

新型紫光放电管的研制

新型紫光放电管是由N2气和Cs组成的一个放电器件。本叙述了这种紫光放电管的制备、放电特性和辐射光谱特性并对N2在低于市电幅度条件下能够保持连续放电给出了较为明确的解释。     

砷化镓表面自旋极化光电子发射

本文详细地介绍了在圆偏振光作用下,NEA GaAs表面发射目旋极化光电子的原理,及NEA GaAs表面的制备和装置。介绍了表面Cs-O激活的方法。在用此法激活的NEA GaAs(100)表面上可得到灵敏度为8μA/mW,极化度约用35%以上的光电子束。发现清洁的GaAs表面覆盖以50%—60%Cs单原子层时,光电子的发射出现第一个极大值,同时发现稳定的发射取决于铯吸附量。     

光电平板显示屏电子源的研制

光电平板显示屏对电子源发射均匀性的要求较高，而Cs3Sb的常规工艺不能满足要求，本文报告了制备均匀性较好的Cs3Sb电子源的基本过程和其光电特性的测试结果，目前，电子源的光电流还较小，但Cs3Sb膜的厚度均匀。经过微通道板的电流放大以及操作工艺的改进，预计该电子源可以在光电平板显示屏中使用。     

利用微机提取俄歇电子信号

用四极栅能量分析器对样品进行表面分析,既可以得到表面的低能电子衍射图,又可以得到表面俄歇电子信息。但是由于四极栅能量分析器本身结构所限,其灵敏度和信噪比较之筒镜能量分析器为低。为弥补其不足,我们用微机及A/D、D/A技术对表面电     

用微机提取俄歇电子信号的几个问题

将微机应用于表面分析的俄歇信号采集处理,以前曾作了简要介绍。尽管锁相放大器是一个从噪声中提取弱信号的仪器,但如果信号中噪声太强,将限制锁相放大器灵敏度的使用。图1是对GaAs(100)作俄歇谱分析的曲线,人们很难从中得到些什么信息。测量时锁相放大器的灵敏度     

显象管中阴极失效机理的分析

本文用离子探针(IMA)和扫描电子显微镜(SEM)对不同寿命显象管中阴极的失效机理进行了初步分析。结果表明:不同寿命下超额Ba在涂层内的分布是中间含量大于两端,其含量峰值随寿命下降并内移,相对含量亦随寿命而降低;寿命初期Ni与涂层介面处有Mg的富集峰。随着寿命加长,Mg的总量降低,富集蜂内移;在Ni中有Ba的“反扩散”现象,Ba的累积量和渗透深度均随寿命而增加。上述现象对电子发射均产生不良影响。